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    • 2. 发明公开
    • 역 도통 전력 반도체 디바이스
    • 反向导电功率半导体器件
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    • 역도통전력반도체가제공된다. 이것은복수의다이오드셀들 (312) 및복수의게이트정류성사이리스터 (GCT) 셀들 (32) 을포함한다. 각각의 GCT 셀 (32) 은제 1 캐소드층 (34) 을포함하고, 각각의 GCT 셀 (32) 의제 1 캐소드층 (34) 은베이스층 (35) 에의해서로분리되는적어도 3 개의캐소드층영역들 (34a, 34b) 을포함하고, 제 1 주면 (41) 에평행한평면에대한정사영에있어서, 캐소드층영역들 (34a, 34b) 의각각의영역은그 종축을따르는방향에서의길이및 종축에수직인방향에서의폭 (w, w') 을갖는스트립형상이고, 다이도들셀들 (312) 은적어도혼합부분에서횡방향을 GCT 셀들 (32) 과교번하며, 각각의 GCT 셀 (32) 에서, 그 GCT 셀 (32) 에이웃하는다이오드셀 (312) 다음의 2 개의외부캐소드층영역들 (34b) 의각각의영역의폭 (w') 이그 GCT 셀 (32) 에서의 2 개의외부캐소드층영역들 (34b) 사이의임의의중간캐소드층영역 (34a) 의폭 (w) 보다작다.
    • 提供反向导通功率半导体。 它包括多个二极管单元(312)和多个栅极整流晶闸管(GCT)单元(32)。 每个GCT单元(32)包括第一阴极层(34),其中每个GCT单元(32)的第一阴极层(34)包括至少三个阴极层区域(34a,34b),它们彼此分开 基底层(35),其中在与所述第一主侧(41)平行的平面上的正交投影中,每个所述阴极层区域(34a,34b)的长度在其纵轴方向上具有长度,并且 在垂直于所述纵向轴线的方向上的宽度(w,w'),其中所述二极管单元(312)在至少混合部分中在横向上与所述GCT单元(32)交替,其中在每个GCT单元 ),与该GCT单元(32)相邻的二极管单元(312)旁边的两个外部阴极层区域(34b)中的每一个的宽度(w')小于任何中间阴极层(32)的宽度(w) 在该GCT单元(32)中的两个外部阴极层区域(34b)之间的区域(34a)。