专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020160081006A 샤워 헤드 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 审中-实审
标题翻译：淋浴头单元和用于用淋浴头单元处理基板的设备
公开(公告)号：KR1020160081006A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140194018
申请日：2014-12-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이수형 , 윤창로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 본발명은샤워헤드유닛및 이를포함하는기판처리장치를제공한다. 본발명의일 실시예에따른기판처리장치는내부에처리공간을가지는공정챔버와상기처리공간에위치하며기판을지지하는지지유닛과상기공정챔버로처리가스를공급하는가스공급유닛과그리고상기처리가스를상기지지유닛의상부로공급하는샤워헤드유닛를포함하되상기샤워헤드유닛은샤워헤드와상기샤워헤드상면에위치하며, 복수의분사홀을가지는가스분사판과그리고상기가스분사판에서로이격되어설치되어상기가스분사판을가열하며, 입력단자와출력단자를각각가지는복수의히터를포함하는기판처리장치를포함한다.
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋头单元和具有该喷淋头单元的基板处理装置。根据本发明的实施例，基板处理装置包括：处理室，其在处理室内具有处理空间; 位于所述处理空间中的支撑单元，并支撑基板; 气体供给单元，用于向处理室供给处理气体; 以及用于将处理气体供给到支撑单元的上部的淋浴头单元。淋浴头单元包括：淋浴头; 位于淋浴喷头的上部的气体喷射板，具有多个喷射孔; 以及安装成与气体喷射板分离的多个加热器，分别具有输入和输出端子。

2. 发明公开

KR1020130019541A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
标题翻译：基板加工设备和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020130019541A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110081551
申请日：2011-08-17
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김인준 , 윤창로
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/31116
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to improve processing efficiency by performing a radical reaction process and an anneal process in the same apparatus. CONSTITUTION: A substrate is loaded on a processing chamber(110). The substrate is received on a stage(120) after a loading process. An oxide layer is etched from the substrate by using plasma radical. The substrate is moved to the upper side of the processing chamber. The moved substrate is separated from the stage.
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过在同一装置中进行自由基反应处理和退火处理来提高处理效率。构成：衬底装载在处理室（110）上。在加载过程之后，基板被接收在台（120）上。通过使用等离子体激光从衬底蚀刻氧化物层。将基板移动到处理室的上侧。移动的基板与载物台分离。

3. 发明授权

KR101036605B1 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치 有权
标题翻译：基板支撑单元和单一基板抛光装置
公开(公告)号：KR101036605B1
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020080062444
申请日：2008-06-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최중봉 , 최기훈 , 구교욱 , 조중근 , 윤창로 , 손덕현 , 구세훈
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/68
CPC分类号： B24B37/30 , H01L21/6838 , H01L21/68728 , H01L21/68742
摘要： 본 발명은 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치를 개시한 것으로서, 기판 지지 유닛이 연마 공정 시에는 기판의 하면을 진공 흡착하고, 후-세정 공정 시에는 기판의 하면 세정을 위해 기판을 상향 이격된 상태로 지지하는 것을 구성상의 특징으로 가진다.
이러한 구성에 의하면, 기판이 매엽 방식의 기판 지지 유닛에 지지된 상태에서 기판의 상면에 대한 연마 공정과 이에 따르는 기판의 상하면에 대한 후-세정 공정을 순차적으로 진행할 수 있는 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치를 제공할 수 있다.
기판, 연마, 세정

4. 发明公开

KR1020110017521A 기판 이송 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 无效
标题翻译：用于传输基板的装置和用于处理具有该单元的基板的装置
公开(公告)号：KR1020110017521A
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：KR1020090075027
申请日：2009-08-14
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 유재현 , 윤창로
IPC分类号： H01L21/677 , B25J15/08 , B65G49/06 , G02F1/13
CPC分类号： H01L21/67742 , B65G49/061 , G02F1/1303 , H01L21/67754 , Y10S414/139
摘要： PURPOSE: The substrate transportation unit and substrate processing apparatus having the same transfers to immediately, the processing chamber after loading substrate in the substrate transportation unit. CONSTITUTION: The processing chamber(110) offers the space for being proceed the processing of the substrate(10). The processing chamber comprises the supporting member(112) supporting the substrates. The transfer chamber(120) offers the space for transferring the substrates to the processing chamber and sending back.
摘要翻译：目的：将衬底输送单元和基板处理设备转移到基板输送单元之后立即转移到处理室。构成：处理室（110）为进行基板（10）的处理提供空间。处理室包括支撑基板的支撑构件（112）。传送室（120）提供用于将基板传送到处理室并发回的空间。

5. 发明公开

KR1020100002523A 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치 有权
标题翻译：基板支撑单元和单一基板抛光装置
公开(公告)号：KR1020100002523A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062444
申请日：2008-06-30
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최중봉 , 최기훈 , 구교욱 , 조중근 , 윤창로 , 손덕현 , 구세훈
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/68
CPC分类号： B24B37/30 , H01L21/6838 , H01L21/68728 , H01L21/68742
摘要： PURPOSE: A substrate supporting unit and a single type substrate polishing apparatus using the same are provided to perform a post cleaning process of the top and bottom of a substrate subsequently. CONSTITUTION: In a substrate supporting unit and a single type substrate polishing apparatus using the same, a vacuum plate(240) absorbs a substrate. A support plate(210) is separately placed at the lower part of the vacuum plate, and a chuck member for clamping is installed on the support plate. A driving member moves a vacuum plate or a support plate up and down so that the chuck member supports the substrate on the vacuum plate while being separated from the vacuum plate.
摘要翻译：目的：提供基板支撑单元和使用该基板支撑单元的单一基板抛光装置，以随后对基板的顶部和底部执行后清洗处理。构成：在基板支撑单元和使用其的单一基板研磨装置中，真空板（240）吸收基板。支撑板（210）分别放置在真空板的下部，夹持卡盘部件安装在支撑板上。驱动构件使真空板或支撑板上下移动，使得卡盘构件将真空板上的基板支撑在与真空板分离的同时。

6. 发明公开

KR1020090017178A 기판 처리 방법 失效
标题翻译：处理基板的方法
公开(公告)号：KR1020090017178A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081726
申请日：2007-08-14
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 김이정 , 윤창로
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/427
摘要： A method for treating the substrates is provided to supply uniformly the plasma to the entire surface of substrate by moving horizontally the plasma supply member or the substrate support member. The substrate support member(100) supports the substrate(W) during the process progress. The fin member has the support pins and chucking(124). The chucking pins are arranged in the outer side of support pins. The chucking pins arrange the substrate supported by a plurality of support pins. The plasma processing part comprises the plasma supply member(220), and the first moving arm and the second moving arm moving the plasma supply member.The plasma supply member has a plurality of plasma generation unit(230) combined in the lower part of the support block and support block. Plasma generation units have the bar shape.
摘要翻译：提供一种用于处理基板的方法，通过水平移动等离子体供应构件或基板支撑构件，将等离子体均匀地提供给基板的整个表面。衬底支撑构件（100）在过程进行期间支撑衬底（W）。翅片构件具有支撑销和夹紧（124）。夹紧销布置在支撑销的外侧。夹持销布置由多个支撑销支撑的基板。等离子体处理部件包括等离子体供给部件（220），第一移动臂和第二移动臂移动等离子体供给部件。等离子体供给部件具有多个等离子体产生部（230），其组合在等离子体供给部件支撑块和支撑块。等离子体发生单元具有条形。

7. 发明授权

KR100777658B1 기판처리장치 및 기판을 처리하는 방법 有权
标题翻译：用于处理基板的装置和方法
公开(公告)号：KR100777658B1
公开(公告)日：2007-11-19
申请号：KR1020060052664
申请日：2006-06-12
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 최승주 , 윤창로
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/68764 , H01L21/67017 , H01L21/6835 , H01L21/68707 , H01L21/68792
摘要： A substrate treating apparatus and a method for treating a substrate are provided to minimize generation of process errors from a part of a wafer and to suppress excessive rotation of a supporting member. A plate(10) has a rotatable structure and supports a substrate. A processing liquid supply unit(50) supplies a processing liquid onto the substrate loaded on the plate. A plurality of supporting members(20) are installed on an upper surface of the plate. The supporting members come in contact with a lateral part of the substrate in order to prevent ejection of the substrate from the plate. A plurality of driven shafts(30) are connected to lower parts of the supporting members. A driving member(40) is formed to rotate the driven shafts. A control unit(60) controls the driving member in order to rotate the supporting members while the processing liquid is supplied onto the substrate.
摘要翻译：提供基板处理装置和处理基板的方法，以最小化来自晶片的一部分的工艺误差的产生并且抑制支撑构件的过度旋转。板（10）具有可旋转结构并且支撑衬底。处理液供给单元（50）将处理液供给到装载在板上的基板上。多个支撑构件（20）安装在板的上表面上。支撑构件与衬底的侧面部分接触以防止衬底从板的弹出。多个从动轴（30）连接到支撑构件的下部。驱动构件（40）形成为使从动轴旋转。控制单元（60）控制驱动构件，以便在将处理液体供应到基板上的同时旋转支撑构件。

8. 发明授权

KR100554022B1 기화 장치 失效
标题翻译：蒸气装置
公开(公告)号：KR100554022B1
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020030067463
申请日：2003-09-29
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 이재창 , 윤창로
IPC分类号： B01J7/02
摘要： 본 발명은 기화 장치에 관한 것으로, 챔버; 피증기액을 상기 챔버 내부로 분무시키는 분무 노즐; 상기 분무된 피증기액을 기화시키는 기화 가스를 공급하는 기화 가스관; 상기 챔버 외부로 기화된 피증기액을 배출하는 배출관; 및 상기 챔버를 가열하는 가열 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 액상의 이소프로필알코올(IPA)을 에어 분무 노즐(Air atomizing nozzle)을 사용하여 분무화함으로써 보다 용이하게 이소프로필알코올 증기(IPA vapor)를 생성할 수 있다. 또한, 에어 분무 노즐(Air atomizing nozzle)에 공급되는 액상의 이소프로필알코올(IPA)과 질소(N
2 ) 가스의 압력을 조절함으로써 이소프로필알코올 증기(IPA vapor)의 양을 정밀하게 제어할 수 있다.

9. 发明授权

KR100454242B1 웨이퍼 건조 방법 有权
标题翻译： 웨이퍼건조방법
公开(公告)号：KR100454242B1
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020010087125
申请日：2001-12-28
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 배정용 , 윤창로 , 박평재
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67028 , H01L21/67034
摘要： A method for drying a semiconductor substrate includes the steps of clearing the substrate by supplying a liquid into a processing bath of a chamber, injecting first dry gases onto a surface of the supplied liquid, draining the liquid from the processing bath so that the substrate is slowly exposed to the surface of the liquid, and injecting a second dry gas into the chamber and forcibly exhausting gas in the chamber.
摘要翻译：一种用于干燥半导体衬底的方法包括以下步骤：通过将液体供应到腔室的处理槽中，将第一干燥气体喷射到所供应的液体的表面上，从处理槽中排出液体以使得衬底是缓慢地暴露于液体表面，并将第二干燥气体注入腔室并强制排出腔室中的气体。

10. 发明公开

KR1020030056812A 웨이퍼 건조 장비 有权
标题翻译：烘干设备
公开(公告)号：KR1020030056812A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010087114
申请日：2001-12-28
申请人： 세메스 주식회사
发明人： 배정용 , 윤창로 , 박평재
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67034
摘要： PURPOSE: A wafer drying equipment is provided to be capable of preventing an oxide layer from being generated on the surface of a wafer while carrying out a drying process by basically blocking the contact of oxygen at the surface of the wafer by using a sealing part. CONSTITUTION: A wafer drying equipment(100) is provided with a processing bath(112) for loading a wafer guide(120), a cover(114), a jet port for jetting dry gas into the processing bath, a pressure decreasing part for reducing the pressure of the processing bath, and an exhaust pipe(172) for exhausting remaining gas containing the jetted dry gas and vapor. Preferably, the exhaust pipe is connected through a water exhaust pipe. Preferably, the water exhaust pipe includes the first and second water exhaust pipe(152a,152b). Preferably, a sealing part made of an O-ring(116) is installed between the cover and the processing bath.
摘要翻译：目的：提供晶片干燥设备，以通过使用密封部分基本上阻止晶片表面的氧接触进行干燥处理，从而防止在晶片表面上产生氧化层。构成：晶片干燥设备（100）设置有用于装载晶片引导件（120），盖（114），用于将干燥气体喷射到处理槽中的喷射口的加工槽（112），用于降低处理槽的压力，以及用于排出含有喷射的干燥气体和蒸汽的剩余气体的排气管（172）。优选地，排气管通过排水管连接。优选地，排水管包括第一和第二排水管（152a，152b）。优选地，由O形环（116）制成的密封部分安装在盖和处理槽之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式