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1. 发明专利

JP2019213055A 多段増幅回路审中-公开
公开(公告)号：JP2019213055A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018107705
申请日：2018-06-05
申请人：日本電信電話株式会社 , 国立大学法人京都大学
发明人：田仲顕至 , 福山裕之 , 野坂秀之 , 小野寺秀俊 , 平塚昌崇
IPC分类号： H03F1/48
摘要：【課題】従来よりも広帯域な多段増幅回路を提供する。【解決手段】多段増幅回路は、縦続接続された増幅回路A1,A2と、後段の増幅回路A1の正側電源端子PTと正側電源線PLとの間、および増幅回路A1の負側電源端子NTと負側電源線NLとの間の少なくとも一方に挿入された受動回路1,2とを備える。受動回路1,2の特性は、増幅回路A2の利得が初段の増幅回路A1の遮断周波数よりも高い周波数で上昇するように設定される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017168912A 帯域可変増幅器有权
公开(公告)号：JP2017168912A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016049885
申请日：2016-03-14
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：福山裕之 , 中野慎介 , 竹谷勉 , 野坂秀之
IPC分类号： H03F1/48 , H03F3/50
摘要：【課題】帯域可変増幅器に期待される高周波遮断効果が得られる帯域可変増幅器を提供する。【解決手段】ベース電極に入力端子30が接続され、コレクタ電極に第1電源V CC が接続され、エミッタ電極に出力端子40が接続される第1トランジスタQ1と、第1トランジスタQ1のエミッタ電極と第2電源V EE との間に直列に接続される電流源20と、電流源20に接続される帯域制御端子50とを具備する帯域可変増幅器1であって、帯域制御端子50に入力する帯域制御電圧V bw によって帯域幅を制御する。【選択図】図1

3. 发明专利

JPWO2015050168A1 光受信回路及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015050168A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：JP2015540526
申请日：2014-10-01
申请人：技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
发明人：鈴木　康之 , 康之鈴木 , 大典岡本 , 大典岡本
IPC分类号： H04B10/69 , H03F1/48 , H03F3/08
CPC分类号： G01J1/44 , G01J2001/446 , H01L21/02164 , H01L21/768 , H01L27/1443 , H01L31/02005 , H01L31/028 , H01L31/1808 , H03F1/083 , H03F3/08 , H04B10/60 , H04B10/693
摘要： PDとTIAとの間の配線による特性劣化を抑制する光受信回路及びその製造方法を提供する。光受信回路300は、フォトダイオード302と、フォトダイオード302に電源を供給するトランスインピーダンスアンプ308とを備える。フォトダイオード302のアノードとトランスインピーダンスアンプ308との間の配線の特性インピーダンスは、フォトダイオード302のカソードとトランスインピーダンスアンプ308との間の配線の特性インピーダンスより高い。

4. 发明专利

JPWO2014087886A1 広帯域増幅器有权
标题翻译：宽带放大器
公开(公告)号：JPWO2014087886A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014551051
申请日：2013-11-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：英悟桑田 , 英悟桑田 , 山中　宏治 , 宏治山中 , 大塚　浩志 , 浩志大塚 , 祐桐越 , 祐桐越 , 宣卓加茂 , 宣卓加茂
IPC分类号： H03F3/68 , H03F1/48 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/565 , H03F1/42 , H03F1/56 , H03F3/04 , H03F3/191 , H03F3/601 , H03F3/602 , H03F2200/222 , H03F2200/318
摘要：二つのトランジスタ1に各々接続されたインピーダンス整合回路5の並列コンデンサ5c,5dの一端をグランドに接続するビアホール5e,5f同士を共用化した。よって、従来の回路では、LPF形のインピーダンス整合回路3に対して段数とトランジスタ1のセル数を掛けた数だけビアホールが必要であったが、本発明の回路では、LPF形のインピーダンス整合回路5のビアホール数を半減させ、回路を小型化することができる。
摘要翻译：连接阻抗匹配电路5的并联电容器5c的孔5E是分别连接到两个晶体管1，地面的图5d一端，并一起共享5F。因此，在常规电路中，而是通过被要求通过各阶段的细胞的数目与晶体管1靠在LPF类型的阻抗匹配电路3相乘而得到的数量的孔，本发明的电路中，LPF型阻抗匹配电路5 的通孔的数量是一个减半，所以能够小型化电路。

5. 发明专利

JP5971366B1 ドライバ有权
标题翻译：司机
公开(公告)号：JP5971366B1
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2015039599
申请日：2015-02-27
申请人：沖電気工業株式会社
发明人：森野芳昭
IPC分类号： H03F1/48 , H01S5/042 , H03F3/45 , H04L25/06 , H04L25/03
摘要：【課題】DCレベルの調整が容易、かつ簡単な回路構成で、消費電力を抑制することができる高速ドライバを提供する。【解決手段】プリエンファシス機能付きLDドライバ10は、差動増幅回路のトランジスタ対を構成するトランジスタM1,M2と、第1および第2入力端子Vin1,Vin2に入力された第1および第2入力信号を基に微分波形を生成する第1および第2キャパシタC1,C2および抵抗R3,R4からなる第1および第2ハイパスフィルタ15,16と、トランジスタM1のドレインにドレインが接続されてトランジスタM1と並列配置され、かつゲートが第1ハイパスフィルタ15を介して第1入力端子Vin1に接続されたトランジスタM11と、トランジスタM2のドレインにドレインが接続されてトランジスタM2と並列配置され、かつゲートが第2ハイパスフィルタ16を介して第2入力端子Vin2に接続されたトランジスタM12と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：甲促进DC电平调整，而且简单的电路结构，提供一种能够抑制功耗的高速驱动器。与预加重10，第一和第二输入信号和M1，M2包括在晶体管对中的差分放大器电路的晶体管，LD驱动器被输入到第一和第二输入端子VIN1，VIN2 第一和第二高通滤波器15和16包括第一和第二电容器C1，C2和电阻器R3，R4，以基于产生差分波形，晶体管M1被连接到漏极晶体管M1的并联的漏极它被设置，并且栅极是经由一第一高通滤波器15连接到第一输入端子VIN1的晶体管M11，连接在漏极到M2被布置成与晶体管M2并联晶体管的漏极和栅极第二高通它包括通过过滤器16连接到第二输入端子Vin2的晶体管M12。 .The

6. 发明专利

JP5921482B2 ドハティ型増幅器有权
标题翻译： Doherty放大器
公开(公告)号：JP5921482B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2013071892
申请日：2013-03-29
申请人：株式会社東芝
发明人：来島徹
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/48 , H03F3/60 , H03F1/07

7. 发明专利

JP2015170892A 低雑音増幅回路审中-公开
标题翻译：低噪声放大器电路
公开(公告)号：JP2015170892A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014042675
申请日：2014-03-05
申请人：パナソニック株式会社
发明人：大歯真 , 高橋幸二
IPC分类号： H03F3/193 , H03F1/48
摘要：【課題】面積を大きく増やすことなく、利得がフラットな帯域を広げ、調整精度を高くすること。【解決手段】NMOSトランジスタ111のソース端子は、PMOSトランジスタ121のゲート端子に接続する。PMOSトランジスタ121のドレイン端子がNMOSトランジスタ111のゲート端子およびアクティブインダクタ122(PMOSトランジスタ123のドレイン端子)に接続する。アクティブインダクタ122において、PMOSトランジスタ123のゲート端子とドレイン端子は抵抗124を介して接続し、PMOSトランジスタ122のゲート端子とソース端子はキャパシタ125を介して接続する。ソース接地増幅回路120のピーク周波数は、アクティブインダクタ122の調整によりゲート接地増幅回路110の使用帯域の最高周波数よりも高く設定される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低噪声放大器电路，其可以扩大具有平坦增益的频带，并且在不增加其面积的情况下提高调整精度。解决方案：NMOS晶体管111的源极端子连接到 PMOS晶体管121. PMOS晶体管121的漏极端子连接到NMOS晶体管111的栅极端子和有源电感器122（PMOS晶体管123的漏极端子）。在有源电感器122中，PMOS晶体管123的栅极端子和漏极端子通过电阻器124彼此连接，并且PMOS晶体管122的栅极端子和源极端子通过电容器125彼此连接。通过调整有源电感器122，ta源极接地放大器电路120的峰值频率被设定为高于栅极接地放大器电路110的使用频带的最大频率。

8. 发明专利

JP2014204226A リングアンプ有权
标题翻译：环形放大器
公开(公告)号：JP2014204226A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013077648
申请日：2013-04-03
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社 , Asahi Kasei Electronics Co Ltd
发明人： MATSUURA RYO
IPC分类号： H03F3/347 , H03F1/48 , H03F3/34 , H03F3/345
摘要：【課題】全体の消費電流を増加せずに高速動作が可能なリングアンプを提供すること。【解決手段】出力段のインバータのMOSトランジスタMP1,MN1にそれぞれ並列にMOSトランジスタMP2,MN2を接続し、電源端との間にスイッチSWを挿入する。ホールドフェーズを2相に分割し、ホールドフェーズの前半のみスイッチを短絡することでスルーを向上させ、ホールドフェーズの後半ではスイッチを開放しリングアンプの帯域を下げることで、高速動作時のセットリング特性を改善することができる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供可以高速运行而不增加总体电流消耗的环形放大器。解决方案：MOS晶体管MP2，MN2分别与输出级反相器的MOS晶体管MP1，MN1并联连接，开关SW插在它们和电源端之间。保持相分为两相，开关仅在保持相的前半部分短路，以改善转换，开关在保持相位的后半部分断开，以减小环形放大器的频带，从而可以在高速运转时提高沉降特性。

9. 发明专利

JP5512040B2 Band variable amplifier 有权
公开(公告)号：JP5512040B2
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：JP2013508652
申请日：2011-04-04
申请人：三菱電機株式会社
发明人：正道野上 , 聡吉間 , 雅樹野田 , 潤一中川
IPC分类号： H03F1/48 , H03F1/22 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F1/223 , H03F3/45103 , H03F2203/45396 , H03F2203/45631 , H03F2203/45658 , H03F2203/45702

10. 发明专利

JP5379110B2 Apparatus and method for efficiently amplify a wideband envelope signal 有权
公开(公告)号：JP5379110B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2010249098
申请日：2010-11-05
申请人：テレフオンアクチーボラゲットエルエムエリクソン(パブル)
发明人：マテ、レナート , キンボール、ドン , アーチャンボールト、ジョー , ヘイリー、ウォルター
IPC分类号： H03F1/34 , H03F3/24 , H03F1/02 , H03F1/32 , H03F1/48 , H03F3/21 , H03F3/217
CPC分类号： H03F3/2171 , H03F1/0222 , H03F3/2173 , H03F2200/504
摘要： Systems and methods for amplifying an RF input signal include employing a moderately power efficient wide bandwidth device, such as an AB-type amplifier, to amplify the power residing in the high frequency components of the input signal, and a highly power efficient narrow bandwidth device, such as a synchronous buck DC/DC converter, to amplify the power residing in the low frequency components of the input signal. The amplified low frequency components and high frequency components are then combined to produce an amplified replica of the RF input signal. A positive feedback loop is provided between the output of the AB-type amplifier and the input of the DC/DC converter to provide stability to the amplified RF signal. A negative feedback loop is provided between the output of the DC/DC converter and the input of the AB-type amplifier to minimize interference introduced by the DC/DC converter.

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