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1. 发明专利

JP6951714B2 p型酸化物半導体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6951714B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2018537303
申请日：2017-08-29
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立大学法人京都大学
发明人：藤田静雄 , 金子健太郎 , 織田真也 , 人羅俊実
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/737 , C23C16/40 , H01L21/368 , H01L29/24 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/365

2. 发明专利

JP2021145329A RF回路モジュール及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021145329A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020207705
申请日：2020-12-15
申请人：株式会社村田製作所
发明人：青池将之
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H04B1/00 , H01L23/12 , H04B1/38
摘要：【課題】放熱性を高め、小型化可能なRF回路モジュールを構成する。また、ワイヤーによる回路の電気的特性の劣化を抑制して、高周波性能に優れたRF回路モジュールを構成する。【解決手段】RF回路モジュール113Aは、モジュール基板90と、第1回路が構成された第1基材10と、第2回路が構成された第2基材20と、を備える。第1回路は、第2回路の動作を制御する制御回路を含み、第2回路は、RF信号を増幅する高周波増幅回路を含む。第2基材20は第1基材10にマウントされ、第1基材10はモジュール基板90に、回路形成面が対向して配置される。第1基材10及び第2基材20は、第1回路と第2回路とを、モジュール基板90を介さずに電気的に接続する回路間接続配線32を有する。【選択図】図8

3. 发明专利

JP2021125870A 電力増幅回路、半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021125870A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020132359
申请日：2020-08-04
申请人：株式会社村田製作所
发明人：徳矢浩章 , 佐藤秀幸 , 播磨史生 , 嶋本健一 , 田中聡 , 河野孝透 , 敷島稜紀 , 黒川敦
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/417 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03F3/213
摘要：【課題】熱応力による、電力増幅回路への影響を緩和する。【解決手段】半導体基板301上に形成されるトランジスタ101と、半導体基板301上に形成され、制御電流Icの一部に基づくバイアス電流Ibをトランジスタ101に供給するトランジスタ111と、半導体基板301上に形成され、制御電流Icの一部がコレクタに供給され、電流I2に基づく電流I3をエミッタから出力するトランジスタ112と、トランジスタ101のエミッタと電気的に接続され、半導体基板301の平面視においてトランジスタ101が配置される配置領域A1に重なるように設けられる、バンプ201と、平面視においてトランジスタ112が配置される配置領域A2に重なるように設けられる、バンプ202と、を備える。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6913594B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6913594B2
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：JP2017194816
申请日：2017-10-05
申请人：株式会社東芝
发明人：宮崎久生 , 酒井忠司 , 山崎雄一
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/78

5. 发明专利

JP2021064747A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021064747A
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：JP2019189976
申请日：2019-10-17
申请人：新日本無線株式会社
发明人：木村泰輔 , 樋口哲夫
IPC分类号： H01L29/732 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/768 , H01L21/331
摘要：【課題】導電膜表面から不純物が外方拡散することを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】不純物を含むポリシリコン膜を形成した後、不純物が外方拡散する高温、減圧のような条件下の半導体装置の製造工程前に、ポリシリコン膜2の表面に外方拡散防止膜3を形成することでポリシリコン膜表面から不純物が外方拡散することを抑え、所望の不純物濃度のポリシリコン膜を残す。【選択図】図3

6. 发明专利

JPWO2019098295A1 p型酸化物半導体膜及びその形成方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019098295A1
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2018042346
申请日：2018-11-15
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人： ▲高▼橋勲 , 松田時宜 , 四戸孝
IPC分类号： C30B29/16 , C30B23/02 , C23C14/08 , H01L29/872 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/365 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/336 , C23C16/40
摘要：工業的に有用であり、かつ半導体特性に優れたp型酸化物半導体とその形成方法を提供する。金属酸化物(例えば、酸化イリジウムなど)のガスを原料として用いて、コランダム構造を有する基体(例えば、サファイア基板など)上で膜厚が50nm以上になるまで結晶成長を行うことにより、コランダム構造を有するp型酸化物半導体膜であって、膜厚が50nm以上であり、表面粗さ10nm以下であるp型酸化物半導体膜を形成する。

7. 发明专利

JP2020136417A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020136417A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019026009
申请日：2019-02-15
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：崔秀明
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/74
摘要：【課題】2つの値のホールド電圧を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置であるESD保護ダイオード100は、半導体層10、カソード電極12、アノード電極14、保護絶縁層18を備える。半導体層は、第1の面P1と第2の面P2とを有し、n+型の基板領域20と、n+型の基板領域と第1の面との間に設けられたp−型のアノード領域22と、p−型のアノード領域と第1の面との間に設けられ、n+型の基板領域よりもn型不純物濃度の低いn型のカソード領域24と、n型のカソード領域と第1の面との間に設けられ、p−型のアノード領域よりもp型不純物濃度の高いp+型の第1コンタクト領域26と、を有する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2020120080A 半導体素子审中-公开
公开(公告)号：JP2020120080A
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：JP2019012383
申请日：2019-01-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：黒川敦 , 小林一也
IPC分类号： H01L29/737 , H01L21/60 , H01L21/331
摘要：【課題】外部基板に実装する際に、電気的な接続不良の発生を抑制することができる半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子は、半導体基板と、半導体基板の上に設けられたコレクタ層と、コレクタ層の上に設けられたベース層と、ベース層の上に設けられたエミッタ層と、エミッタ層に電気的に接続されたエミッタ配線と、エミッタ配線の上に設けられた上部金属層と、エミッタ配線及び上部金属層を覆うとともに、少なくともコレクタ層と重なる領域に第1開口が設けられた第1保護膜と、第1開口を介してエミッタ配線と電気的に接続される下部バンプ金属層を含み、下部バンプ金属層の平面視での面積が第1開口の面積よりも大きいバンプと、を有し、第1保護膜の端部は、第1開口を囲み、かつ、上部金属層の上に設けられる。【選択図】図3

10. 发明专利

JP6728625B2 半導体デバイス、撮像装置、電子機器及び半導体デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6728625B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2015206471
申请日：2015-10-20
申请人：株式会社リコー
发明人：米田和洋 , 根来宝昭 , 愛須克彦 , 上田佳徳 , 中谷寧一 , 桜野勝之
IPC分类号： H01L29/732 , H01L27/14 , H01L21/331

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