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1. 发明专利

JP2021125870A 電力増幅回路、半導体デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2021125870A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020132359
申请日：2020-08-04
申请人：株式会社村田製作所
发明人：徳矢浩章 , 佐藤秀幸 , 播磨史生 , 嶋本健一 , 田中聡 , 河野孝透 , 敷島稜紀 , 黒川敦
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H01L29/417 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03F3/213
摘要：【課題】熱応力による、電力増幅回路への影響を緩和する。【解決手段】半導体基板301上に形成されるトランジスタ101と、半導体基板301上に形成され、制御電流Icの一部に基づくバイアス電流Ibをトランジスタ101に供給するトランジスタ111と、半導体基板301上に形成され、制御電流Icの一部がコレクタに供給され、電流I2に基づく電流I3をエミッタから出力するトランジスタ112と、トランジスタ101のエミッタと電気的に接続され、半導体基板301の平面視においてトランジスタ101が配置される配置領域A1に重なるように設けられる、バンプ201と、平面視においてトランジスタ112が配置される配置領域A2に重なるように設けられる、バンプ202と、を備える。【選択図】図2

2. 发明专利

JP6630117B2 コンタクトユニット及び検査治具有权
公开(公告)号：JP6630117B2
公开(公告)日：2020-01-15
申请号：JP2015214738
申请日：2015-10-30
申请人：株式会社ヨコオ , 株式会社村田製作所
发明人：永田孝弘 , 軣木岳史 , 中村宇宏 , 石川宜識 , 河野孝透 , 本間和寿
IPC分类号： G01R1/073 , H01L21/66 , G01R1/067

3. 发明专利

JP2016186484A コンタクトユニット及び検査治具审中-公开
标题翻译：联系单位和检查大
公开(公告)号：JP2016186484A
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：JP2015214738
申请日：2015-10-30
申请人：株式会社ヨコオ , 株式会社村田製作所
发明人：永田孝弘 , 軣木岳史 , 中村宇宏 , 石川宜識 , 河野孝透 , 本間和寿
IPC分类号： G01R1/073 , H01L21/66 , G01R1/067
摘要：【課題】高周波信号であっても正確な測定を行うことが可能なコンタクトユニット及び検査治具を提供する。【解決手段】ブロック70は、フレキシブル基板40の接点部領域の裏面に当接する平面部74と、平面部74から凹んだ凹部75とを有する。フレキシブル基板40に搭載された電子部品44は、凹部75内に位置する。凹部75は、平面部74と垂直な方向から見て、電源供給用バンプ41cに重ならない位置であって電源供給用バンプ41cと近接した位置に設けられる。電源供給用バンプ41cの真裏には、ブロック70の平面部74が当接する。【選択図】図12
摘要翻译：要解决的问题：提供可以精确地测量高频信号的接触单元和检查夹具。方框70包括：与柔性的接触点区域的背面接触的平坦部分74 基板40和平坦部分74的凹部75.电子部件44设置在柔性基板40上以设置在凹部75中。凹部75位于与电源接近但不重叠的位置突起41c从垂直于平坦部分74的方向观察。电源突起41c与块体70的平坦部分74直接接触在凸块41c的后表面中。选择的图示：图12

4. 发明专利

JP6922883B2 電力増幅回路有权
公开(公告)号：JP6922883B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2018246803
申请日：2018-12-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：小林俊介 , 河野孝透
IPC分类号： H03F3/213 , H03F3/24 , H03F1/30

5. 发明专利

JP2020108051A 電力増幅回路审中-公开
公开(公告)号：JP2020108051A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018246803
申请日：2018-12-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：小林俊介 , 河野孝透
IPC分类号： H03F3/213 , H03F3/24 , H03F1/30
摘要：【課題】温度上昇に伴うゲインの劣化を抑制しつつ増幅特性の線形性の劣化を抑制した電力増幅回路を構成する。【解決手段】電力増幅回路201は、高周波信号を電力増幅する電力増幅器PAと、電力増幅器に熱的に結合する温度検出素子を含む電力増幅器用温度検出回路101と、電力増幅器用温度検出回路101から出力される温度検出信号Vdiに基づいて電力増幅器PAに対するバイアス制御信号を発生するバイアス制御信号発生回路21と、温度検出信号を安定化させるレギュレータ回路12と、を備える。そして、電力増幅器PA、電力増幅器用温度検出回路101及びレギュレータ回路12は第1集積回路10に形成され、バイアス制御信号発生回路21は第2集積回路20に形成される。第1集積回路10の基板材料(例えばGaAs)は、第2集積回路20の基板材料(例えばSOI)より遮断周波数が高い。【選択図】図1

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