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1. 发明专利

JP2022002187A 放電ランプおよび放電ランプ用電極の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2022002187A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2020106865
申请日：2020-06-22
申请人：株式会社オーク製作所
发明人：芹澤和泉
IPC分类号： H01J61/073 , H01J61/06
摘要：【課題】放電ランプにおいて、接合剥がれを抑えながら、より放熱性を向上させた電極を得る。【解決手段】放電ランプ10の電極30は、その内部に内部空間50を形成している。内部空間50は、電極軸Eに対して同軸であり、伝熱部材60が設けられている。伝熱部材60は単結晶炭化ケイ素から成る部材であって、内部空間50において電極30と接合している。【選択図】図2

2. 发明专利

JPWO2020171065A1 放電ランプ用カソード部品、放電ランプ、および放電ランプ用カソード部品の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2020171065A1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020006284
申请日：2020-02-18
申请人：株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
发明人：青山斉 , 溝部雅恭 , 友清憲治 , 中野康彦
IPC分类号： H01J61/067 , H01J9/02 , H01J61/06 , H01J61/073
摘要：放電ランプ用カソード部品は、線径2mm以上35mm以下の胴体部と、胴体部から先細る先端部と、を具備する。カソード部品は、ThO 2 換算で0.5質量%以上3質量%以下のトリウムを含有するタングステン合金を含む。胴体部の中心を通るとともに胴体部の長さ方向に沿う断面における、中心を含むとともに90μm×90μmの単位面積を有する領域の電子線後方散乱回折分析を行う場合、電子線後方散乱回折分析により得られる結晶粒マップは、タングステンを含むタングステン結晶粒とトリウムを含むトリウム結晶粒とを有する。結晶粒マップの複数のトリウム結晶粒の粒度分布の累積分布グラフにおいて、累積頻度が90%である粒径は、3.0μm以上である。

3. 发明专利

JP6447888B2 ショートアーク型放電ランプ有权
公开(公告)号：JP6447888B2
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：JP2017000566
申请日：2017-01-05
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：安田幸夫 , 田川幸治 , 有本智良 , 船越充夫 , 團雅史
IPC分类号： H01J61/06 , H01J61/073

4. 发明专利

JP6441741B2 放電器用パッケージおよび放電器有权
公开(公告)号：JP6441741B2
公开(公告)日：2018-12-19
申请号：JP2015105288
申请日：2015-05-25
申请人：京セラ株式会社
发明人：北川明彦
IPC分类号： H01J61/30 , H01J61/067 , H01J61/06

5. 发明专利

JP6191865B2 放電ランプ有权
公开(公告)号：JP6191865B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2013174187
申请日：2013-08-26
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：田川幸治 , 船越充夫 , 有本智良 , 安田幸夫
IPC分类号： H01J61/06 , H01J61/073

6. 发明专利

JP2016517143A 電界放出装置の成形カソード审中-公开
标题翻译：形成的场致发射装置的阴极
公开(公告)号：JP2016517143A
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：JP2016503617
申请日：2014-03-14
申请人：ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ , ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ
发明人：ティレンヨナス , ティレンヨナス
IPC分类号： H01J63/06 , H01J9/02 , H01J61/06 , H01J61/067 , H01J61/35
CPC分类号： H01J63/06 , H01J9/025 , H01J19/24
摘要：本発明は、アノードとカソードを備え、カソードの形状はアノードとカソードが提供される真空容器の形状をもとに選択される、電界放出照明装置に関する。カソードの独創的な形状によって、電界放出照明装置の動作中にアノードとカソードとの間に提供される電界の均一性を向上することができる。本発明はまた、そのようなカソードの形状を選択する、対応する方法に関する。
摘要翻译：本发明包括一个阳极和一个阴极，所述阴极的形状是基于所述真空容器阳极的形状选择和提供阴极，场发射照明装置。原来的形状的阴极，所以能够提高电场的均匀性的场致发射发光装置的操作过程中在阳极和阴极之间设置。本发明还选择这样阴极的形状，相应的方法。

7. 发明专利

JPWO2014006779A1 タングステン合金部品、ならびにそれを用いた放電ランプ、送信管およびマグネトロン有权
标题翻译：钨合金部件和使用该，传输管和磁控管的放电灯
公开(公告)号：JPWO2014006779A1
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2014523549
申请日：2012-12-21
申请人：株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
发明人：山本　慎一 , 慎一山本 , 佳代中野 , 佳代中野 , 宏道堀江 , 宏道堀江
IPC分类号： H01J61/06 , H01J1/14 , H01J61/067 , H01J61/073
CPC分类号： C22C32/00 , C22C27/04 , H01J23/04 , H01J23/05 , H01J25/50 , H01J61/0735
摘要：タングステンと、Zr、ZrO2、ZrC、およびCからなる群より選択される少なくとも2種の成分とを含むタングステン合金部品が提供される。タングステン合金部品は、ZrをZrO2換算で0.1〜5wt%含有する。
摘要翻译：和钨，锆，氧化锆，的ZrC，和钨合金部分和选自由C组成的组中选择的至少两种组分提供。钨合金部分含有以ZrO 2的Zr术语0.1-5重量％。

8. 发明专利

JP2016095956A 放電灯用電極およびフラッシュランプ审中-公开
标题翻译：放电灯和闪光灯电极
公开(公告)号：JP2016095956A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014230277
申请日：2014-11-13
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：山崎憲五
IPC分类号： H01J61/06 , H01J61/073 , H01J61/067
摘要：【課題】高い繰り返し周期において高電流密度で点灯させるランプの電極として用いた場合にも、電子放射性物質の蒸発が抑制される放電灯用電極の提供。また、高い繰り返し周期において高電流密度で点灯させた場合にも、電子放射性物質の蒸発が抑制されて長寿命が得られるフラッシュランプの提供。【解決手段】放電灯用電極は、高融点金属粉末の多孔質焼結体からなる電極基材に電子放射性物質が含浸されてなる多孔質含浸体からなる放電灯用電極であって、前記電子放射性物質が、カルシウムおよびアルミニウムを含有する複合金属酸化物であり、前記多孔質含浸体の見掛気孔率が1%以上60%以下であることを特徴とする。本発明のフラッシュランプは、上記の放電灯用電極を備えることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于放电灯的电极，其中即使在高重复循环的高电流密度下用作要点亮的灯的电极时也抑制电子放射性物质的蒸发，并且还提供一种即使在高电流密度下以高重复循环照射也能抑制电子放射性物质的蒸发而获得长寿命的闪光灯。本发明公开了一种由浸渍电子形成的多孔浸渍体制成的放电灯用电极放射性物质变成由高熔点金属粉末的多孔烧结体组成的电极基体材料。电子放射性物质是含有钙和铝的复合金属氧化物。多孔浸渍体的表观孔隙率为1％以上且60％以下。闪光灯包括用于放电灯的电极。选择图：图1

10. 发明专利

JP2015230861A 放電ランプ有权
标题翻译：放电灯
公开(公告)号：JP2015230861A
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：JP2014117277
申请日：2014-06-06
申请人：ウシオ電機株式会社
发明人：田川幸治 , 有本智良 , 船越充夫 , 安田幸夫
IPC分类号： H01J61/073 , H01J61/06
摘要：【課題】陰極にトリウム以外のエミッタを添加してなる放電ランプにおいて、陰極先端からエミッタが過剰に蒸発して早期に枯渇してしまうことを防止するとともに、陰極先端への円滑なエミッタ供給ができるようにした構造を提供する。【解決手段】陰極3における本体部31は、トリウムを含まない高融点金属材料からなり、先端部32は、エミッタ(トリウムを除く)が含有されたタングステンからなるとともに、本体部および/または先端部の内部に形成された密閉空間33内に、先端部のエミッタ濃度より高濃度のエミッタ(トリウムを除く)が含有された焼結体34が埋設されており、先端部のタングステンの粒界密度:A(mm −1 )と、先端部の焼結体に当接する部位から先端面に至るまでのエミッタの濃度勾配:B(mol/mm 4 )との積が、260×10 −9 (mol/mm 5 )≦A×B≦670×10 −9 (mol/mm 5 )の範囲にある。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种结构，其能够防止发射极从阴极顶端的过度蒸发和早期的发射极的耗尽，并且还在放电灯中平滑地将发射极提供给阴极的尖端，其中向阴极添加除钍之外的发射极。解决方案：阴极3的主体部分31由不含钍的高熔点金属材料形成，并且尖端部分32由含有发射器（不包括钍）。包含具有比顶端部分的发射极浓度高的浓度的发射体（不包括钍）的烧结体34嵌入形成在主体和/或尖端部分的气密密封空间33中。尖端部分的钨的晶界密度A（mm）与从烧结体的尖端部到端面的接触部位的发射体的浓度梯度B（mol / mm）之间的积分为260× 10（mol / mm）≤A×B≤670×10（mol / mm）。

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