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1. 发明专利

JP2020132981A 金属回収方法及び金属回収装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020132981A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019031518
申请日：2019-02-25
申请人：三和油化工業株式会社
发明人：浅井博成 , 廣濱祥 , 鳥居寛三 , 内野雄貴 , 武田正治
IPC分类号： C22B7/00 , C22B11/00 , C22B15/00 , C22B23/00 , C22B25/00 , C22B30/06 , C22B58/00 , B09B3/00 , C22B3/46
摘要：【課題】回収対象である金属の種類を問わず、様々な金属を回収する際に適用することが可能な金属回収方法を提供すること。【解決手段】所定の濾布にて形成された袋状体又は有底筒状体からなる収容部を備えた金属回収用器具を用いて、収容部内に回収対象の金属より卑な金属からなる置換材を収容した金属回収用器具を、回収対象の金属がイオン状態にて存在する被処理溶液中に浸漬し、金属回収用器具の収容部内にて被処理溶液と置換材とを接触させて、回収対象の金属を置換析出させる。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2020516768A 金属を結合するための方法並びにカプセル化された滲出物及び乾燥ユーグレナ（ＥＵＧＬＥＮＡ）バイオマスの使用审中-公开
公开(公告)号：JP2020516768A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2019554746
申请日：2018-04-06
IPC分类号： C22B3/24 , B01J20/24 , B01J20/28 , B01J20/34 , C02F1/28 , C22B11/00 , C22B13/00 , C22B15/00 , C22B17/00 , C22B19/20 , C22B21/00 , C22B23/00 , C22B25/00 , C22B26/10 , C22B26/12 , C22B26/20 , C22B26/22 , C22B30/02 , C22B30/04 , C22B30/06 , C22B34/12 , C22B34/22 , C22B34/32 , C22B34/34 , C22B34/36 , C22B35/00 , C22B47/00 , C22B59/00 , C22B60/02 , C22B61/00
摘要：溶液中の標的金属を結合する方法である。標的金属を結合する方法は、i)標的金属を含有する溶液を、ii)藻類鞭毛虫培養物のカプセル化滲出物若しくはその分画、又はカプセル化乾燥ユーグレナバイオマス若しくはその分画と接触させて、標的金属と、カプセル化滲出物若しくはその分画、又はカプセル化乾燥ユーグレナバイオマス若しくはその分画との錯体を形成する工程、及び任意選択で錯体を溶液から分離する工程を含む。また本開示は、生物吸着剤要素、並びに溶液中の金属を結合することにおいてそれを使用する方法に関する。

4. 发明专利

JP6357123B2 金属の回収方法および金属の分析方法有权
公开(公告)号：JP6357123B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2015036116
申请日：2015-02-26
申请人：アークレイ株式会社
发明人：山田泰史 , 工藤晃嗣
IPC分类号： G01N31/00 , C22B11/00 , C22B13/00 , C22B19/20 , C22B21/00 , C22B30/04 , C22B43/00 , C22B17/00 , C22B30/06 , C22B61/00 , C22B7/00 , C22B3/20
CPC分类号： G01N33/493 , G01N1/34 , G01N1/40 , G01N1/4044 , G01N1/4055 , G01N33/84

5. 发明专利

JP2018066052A 低α線ビスマス审中-公开
公开(公告)号：JP2018066052A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016207179
申请日：2016-10-21
申请人： JX金属株式会社
发明人：細川侑
IPC分类号： C22B30/06
CPC分类号： Y02P10/234
摘要：【課題】 α線量が低減されたビスマスを提供すること。【解決手段】原料金属ビスマスを、電気分解して、硝酸ビスマス溶液を調製する工程、硝酸ビスマス溶液を、ビスマス又は、ビスマスよりも貴な金属元素の金属単体と、接触させて、硝酸ビスマス溶液からポロニウムイオンを析出除去する工程、ポロニウムイオンが析出除去された、硝酸ビスマス溶液から、電解採取して、金属ビスマスを回収する工程、を含む、低α線ビスマスの製造方法、及び表面α線量が0.001cph/cm 2 以下であり、Pb含有量が0.1ppm以下、U、Thの含有量が、それぞれ5ppb以下である、低α線ビスマス。【選択図】なし

6. 发明专利

JP2018059210A 低融点合金の回収方法及び回収装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018059210A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017225189
申请日：2017-11-22
申请人：株式会社流機エンジニアリング
发明人：田島永善 , 西村聡
IPC分类号： C22B7/00 , C22B13/02 , C22B30/02 , C22B30/06 , C22B25/02 , C22B58/00 , C22B17/02 , C22B9/02
CPC分类号： Y02P10/214 , Y02P10/234
摘要：【課題】金属微小体と低融点合金との混合物(混合液)から、低融点合金を回収して利用する。【解決手段】ビスマス、スズ、鉛、インジウム、カドミウム、アンチモンからなる群から選ばれた少なくとも1つを含み、16℃〜183℃の温度範囲で溶融する低融点合金と、金属体との混合物から、前記低融点合金を分離し、前記低融点合金を回収する方法であって、容器内のオイル温度を前記低融点合金の溶融温度以上に高めて加熱した状態で、オイルと前記金属体と前記低融点合金との混合液を撹拌し、その後、撹拌混合液から前記金属体をろ過分離し、低融点合金を分離回収する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2017179499A ビスマス電解澱物の処理方法有权
公开(公告)号：JP2017179499A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2016069536
申请日：2016-03-30
申请人： JX金属株式会社
发明人：小野瑛基 , 笹岡英俊
IPC分类号： C22B3/10 , C22B3/22 , C22B3/44 , C22B7/00 , C22B30/06
CPC分类号： Y02P10/234
摘要：【課題】 Bi電解澱物から純度の高いBiOClを得ることができるビスマス電解澱物の処理方法を提供する。【解決手段】ビスマス電解澱物の処理方法は、ビスマス電解澱物を塩酸にてpH1以下に調整して浸出する工程と、前記浸出後、固液分離を行う工程と、前記固液分離によって得られた浸出後液のpHが1を超えるように水を添加することでオキシ塩化ビスマスを生成させる工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017094251A 吸着材及びこれを用いた分離方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017094251A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2015227416
申请日：2015-11-20
申请人：日立化成テクノサービス株式会社 , 日立化成株式会社 , 国立大学法人茨城大学
发明人：五十嵐淑郎 , 斎藤昇太郎 , 尾島沙希子 , 櫻井惠太 , 佛願道男
IPC分类号： B01J20/34 , B01D15/00 , C02F1/28 , C22B3/24 , C22B34/14 , C22B30/06 , B01J20/26
CPC分类号： Y02P10/234
摘要：【課題】都市鉱石を含む溶液中の希少金属イオン(特に、ジルコニウムイオン及びビスマスイオン)を効率よく、選択的に吸着できる吸着材を提供すること。【解決手段】りん酸修飾非架橋ポリマを担体に固定してなる吸着材を提供する。【選択図】図1

10. 发明专利

JPWO2014069357A1 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金有权
标题翻译：低α射线铋制剂和低α射线铋和铋合金
公开(公告)号：JPWO2014069357A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2014544474
申请日：2013-10-25
申请人： Jx金属株式会社
发明人：侑細川 , 侑細川 , 伊藤　順一 , 順一伊藤
IPC分类号： C25C1/22 , C22B30/06 , C22C12/00 , C22C13/02
CPC分类号： B23K35/264 , B23K35/26 , C22C12/00 , C22C13/02 , C25C1/22
摘要： α線量が0.01cph/cm2以下であることを特徴とするビスマス。ビスマス濃度5〜50g/L、pH0.0〜0.4の硝酸溶液にチタン製のカソードおよびビスマスアノードを挿入し、カソード電流密度0.1〜1 A/dm2で電解精製を行うことを特徴とする低α線ビスマスの製造方法。最近の半導体装置は、高密度化及び高容量化されているので、半導体チップ近傍の材料からのα線の影響により、ソフトエラーが発生する危険が多くなってきている。特に、半導体装置に近接して使用される、はんだ材料に対する高純度化の要求が強く、またα線の少ない材料が求められているので、本発明は、ビスマスのα線発生の現象を解明すると共に、要求される材料に適応できるビスマスのα線量を低減させた高純度ビスマス及びその合金を得ることを課題とする。【選択図】図2
摘要翻译：铋α剂量大于0.01cph / cm 2的等于或更小。铋浓度为5至50g / L，并插入在阴极和由钛制成硝酸盐溶液PH0.0〜0.4，低α射线和阴极进行电解精炼电流密度0.1至1 A /平方分米铋阳极制造铋的方法。近年来的半导体器件，因为它是一个高密度和高容量，由于从软错误的风险附近的半导体芯片的材料α射线的影响增加了。特别地，在接近被用于半导体器件中，用于焊料材料，并且因为需要更少的材料α射线的高纯度的强烈需求，本发明是阐明α射线产生铋的现象在一起，它是一个对象，以获得高纯度的铋和它们的合金具有降低的α剂量铋，以适应所要求的材料。 .The

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