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1. 发明专利

JPWO2020110954A1 セラミック構造体及び端子付構造体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020110954A1
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2019045835
申请日：2019-11-22
申请人：京セラ株式会社
发明人：和多田一雄 , 松岡亨
IPC分类号： H01L21/683 , H05B3/02 , C04B37/02
摘要：ヒータは、基体、端子及び接合層を有している。基体は、セラミックからなる。接合層は、金属が主成分であり、基体と端子との間に位置する。基体は、第1面及び第2面を有している。第1面は、基体の外側へ面しており、端子と重なっている領域及び端子の周囲に位置している領域の少なくとも一方を含んでいる。第2面は、第1面に交差しており、第1面から離れるほど基体の内部側へ位置している。接合層は、端子及び第1面から第2面に至っている。

2. 发明专利

JP6947318B2 銅/グラフェン接合体とその製造方法、および銅/グラフェン接合構造有权
公开(公告)号：JP6947318B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2021007345
申请日：2021-01-20
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸
IPC分类号： C01B32/194 , C01B32/21 , C04B37/02 , B23K20/00 , H01L23/373

3. 发明专利

JP2021159926A ろう材およびその製造方法並びに金属−セラミックス接合基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021159926A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020061887
申请日：2020-03-31
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：尾崎歩
IPC分类号： B23K35/30 , C22C5/06 , B23K35/40 , C04B37/02 , B23K35/22
摘要：【課題】金属−セラミックス接合基板において、ボイドや未接合などの接合欠陥が小さく、且つ優れた耐熱衝撃性を両立する、金属板とセラミックス基板の接合用のろう材およびその関連技術を提供する。【解決手段】平均粒径(D50)が20μm以下であるチタン粉を0.7〜2.0質量%、銅粉を3〜15質量%、残部として銀粉を含む粉体と、ビヒクルとを含むペースト状のろう材およびその関連技術を提供する。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2021138577A セラミックス構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2021138577A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020038568
申请日：2020-03-06
申请人：日本特殊陶業株式会社
发明人：薮花優棋
IPC分类号： B23K1/00 , C04B37/02
摘要：【課題】導電性中空柱状部材が傾きなく十分な接合強度で接合されたセラミックス構造体を提供する。【解決手段】セラミックス構造体100は、主面112から内部に伸長する穴部114を有するセラミックス基材110と、セラミックス基材110に埋設された電極層120と、電極層120に電気的に接続され、穴部114から少なくとも一部が露出するようにセラミックス基材110に埋設された金属端子130と、穴部114に挿入され、ロウ材140によって少なくとも金属端子130と接合された導電性部材150と、を備え、導電性部材150は、少なくとも一方の端部が開口した中空柱状に形成され、導電性部材150は、導電性部材150の開口端152の周縁部の3以上の所定の位置の接合箇所154で、ロウ材140を含む接合部160によって金属端子130またはセラミックス基材110と接合されている。【選択図】図1

5. 发明专利

JPWO2020045388A1 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2020045388A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2019033430
申请日：2019-08-27
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸
IPC分类号： B23K20/00 , H05K1/03 , H01L23/13 , C04B37/02
摘要：銅又は銅合金からなる銅部材(22)と、窒化ケイ素からなるセラミックス部材(11)とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、銅部材(22)とセラミックス部材(11)との間には、セラミックス部材(11)側にマグネシウム酸化物層(31)が形成され、このマグネシウム酸化物層(31)と銅部材(22)との間に、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層(32)が形成されており、Mg固溶層(32)のマグネシウム酸化物層(31)側に、マグネシウム窒化物相(35)が存在することを特徴とする。

6. 发明专利

JP2021118357A 銅/グラフェン接合体とその製造方法、および銅/グラフェン接合構造有权
公开(公告)号：JP2021118357A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2021007345
申请日：2021-01-20
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸
IPC分类号： C01B32/194 , C01B32/21 , C04B37/02 , B23K20/00 , H01L23/373
摘要：【課題】銅又は銅合金からなる銅部材と、グラフェン集合体を含有するグラフェン含有炭素質部材とが強固に接合されており、冷熱サイクル負荷時においても剥離が生じることがなく、冷熱サイクル信頼性に優れた銅/グラフェン接合体とその製造方法を提供する。【解決手段】この銅/グラフェン接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、グラフェン集合体を含有するグラフェン含有炭素質部材と、が接合された構造の銅/グラフェン接合体であって、銅部材とグラフェン含有炭素質部材との間においては、グラフェン含有炭素質部材側に、Ti,Zr,Nb,Hfから選択される1種又は2種以上の活性金属の炭化物を含む活性金属炭化物層が形成されており、この活性金属炭化物層と銅部材との間に、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されている。【選択図】図3

7. 发明专利

JPWO2020004564A1 半導体製造装置用部材の製造方法および半導体製造装置用部材审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020004564A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019025655
申请日：2019-06-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：関口敬一 , 宗石猛
IPC分类号： H01L21/683 , C04B37/02
摘要：本開示の半導体製造装置用部材の製造方法は、樹脂と、金属粒子と、を含有し、該金属粒子は、該金属粒子100質量%のうち、100nm以下の粒径を有する金属微粒子が1質量%以上を占めるペーストを用いて、金属端子とセラミックス部材とを接合する。また、本開示の半導体製造装置用部材は、金属端子と、セラミックス部材と、前記金属端子および前記セラミックス部材を繋げる接合部と、を備える。そして、該接合部は、金属粒子を含有する。

8. 发明专利

JP2021072447A 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021072447A
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：JP2020179054
申请日：2020-10-26
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：寺▲崎▼ 伸幸
IPC分类号： C04B37/02 , B23K1/19 , H01L23/40 , H05K1/02
摘要：【課題】厳しい冷熱サイクルを負荷した場合であってもセラミックス部材の割れの発生を抑制することができるとともに、耐マイグレーション性に優れた銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】銅又は銅合金からなる銅部材12と、窒素含有セラミックスからなるセラミックス部材11とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、銅部材12とセラミックス部材11との接合界面においては、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されるとともに、セラミックス部材11側に、Ti,Zr,Nb,Hfから選択される1種又は2種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層41が形成されており、この活性金属窒化物層41の厚さが0.05μm以上1.2μm以下の範囲内とされている。【選択図】図2

9. 发明专利

JP6853443B2 パワーモジュール用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6853443B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2017028469
申请日：2017-02-17
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：松尾拓也 , 加藤浩和
IPC分类号： H01L23/13 , B32B15/04 , H05K3/00 , C04B37/02

10. 发明专利

JPWO2019172345A1 セラミックス樹脂複合体と金属板の仮接着体、その製造方法、当該仮接着体を含んだ輸送体、およびその輸送方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019172345A1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019008969
申请日：2019-03-06
申请人：デンカ株式会社
发明人：南方仁孝 , 山縣利貴 , 井之上紗緒梨 , 吉松亮 , 古賀竜士
IPC分类号： C04B37/02 , B32B18/00 , C04B41/83
摘要：強度の低いセラミックス樹脂複合体を破損・劣化させにくくすること。非酸化物セラミックス焼結体に、示差走査型熱量計から計算される硬化率が5.0%以上70%以下となるようにシアネート基を有する熱硬化性樹脂組成物を含浸させたセラミックス樹脂複合体と、該セラミックス樹脂複合体の少なくとも一つの面に仮接着した状態にある金属板とを含み、前記セラミックス樹脂複合体と前記金属板とのせん断接着強度が0.1MPa以上1.0MPa以下であるセラミックス金属仮接着体。

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