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1. 发明专利

KR20210025707A KR20210025707A - Compact high-density plasma source 审中-公开
公开(公告)号：KR20210025707A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020217005948A
申请日：2019-07-26
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 로저 패트릭 , 닐 엠. 피. 벤자민 , 리 첸 , 앨렌 쇼프 , 클린트 에드워드 토마스 , 토마스 더블유. 앤더슨 , 상 헌 송
IPC分类号： H01J37/32 , H01Q1/26
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01Q1/26 , H01Q1/36 , H01Q9/42
摘要： RF 안테나는 전력 공급될 (powered) 때, 챔버의 프로세스 영역에서 플라즈마를 유도성으로 생성하도록 구성되고, 평면을 따라 배향되는 병렬 전도성 라인들의 어레이를 포함하고, 어레이는 제 1 전도성 라인, 제 2 전도성 라인, 제 3 전도성 라인, 및 제 4 전도성 라인을 포함하고; 제 1 전도성 라인 및 제 2 전도성 라인은 인접하고, 제 2 전도성 라인 및 제 3 전도성 라인은 인접하고, 그리고 제 3 전도성 라인 및 제 4 전도성 라인은 인접하고; RF 안테나는 전력 공급될 때, 인접한 제 1 전도성 라인 및 제 2 전도성 라인의 전류 흐름은 반대 방향으로 발생하고, 인접한 제 2 전도성 라인 및 제 3 전도성 라인의 전류 흐름은 동일한 방향으로 발생하고, 인접한 제 3 전도성 라인 및 제 4 전도성 라인의 전류 흐름은 반대 방향으로 발생한다.

2. 发明专利

JPWO2017126055A1 アンテナ装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017126055A1
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016539233
申请日：2016-01-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田中泰 , 西岡泰弘 , 稲沢良夫 , 福間雄一郎
IPC分类号： H01Q3/44 , H01Q1/26 , H01Q19/30 , H01Q21/24
CPC分类号： H01Q1/26 , H01Q3/01 , H01Q3/44
摘要：アンテナ装置(1)は、電波を放射する放射器(10)と、直列に配列された放電管(21,22,23)からなる放電管列を含む放電管群(20)と、その放電管列の中から選択された放電管にプラズマを発生させる放電制御部(2)とを備える。放電管列を構成する放電管(21,22,23)のうち放射器(10)に最も近い放電管(22)と放射器(10)との間の間隔は、放射器(10)の動作波長λ以内であり、且つ、各放電管のプラズマ発生可能領域の長軸方向における長さ(L1,L2及びL3)は、動作波長λの半分以下である。

3. 发明专利

JP6057932B2 プラズマアンテナ用放電管およびプラズマアンテナ装置有权
标题翻译：等离子体天线放电管和等离子体天线装置
公开(公告)号：JP6057932B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2014024519
申请日：2014-02-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：内藤皓貴 , 吉田幸久
IPC分类号： H01Q1/26

4. 发明专利

JP5980452B2 アンテナ装置有权
公开(公告)号：JP5980452B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2015559914
申请日：2015-01-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：秋元晋平 , 柳崇 , 深沢徹
IPC分类号： H01Q9/14 , H01Q1/26
CPC分类号： H01Q1/364 , H01Q1/081 , H01Q9/145

5. 发明专利

JP2012104496A Method and apparatus for producing uniform processing rate 审中-公开
标题翻译：用于生产均匀加工速率的方法和装置
公开(公告)号：JP2012104496A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：JP2011279987
申请日：2011-12-21
申请人： Lam Research Corporation , ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人： ARTHUR M HOWALD , ANDRAS KUTHI , MARK HENRY WILLCOXSON , ANDREW D BAILEY III
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01Q1/26 , H01Q7/00 , H01Q11/12 , H01Q21/29
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/3299 , H01Q7/00 , H01Q21/29 , H05H1/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an antenna arrangement for generating an rf electromagnetic field distribution at a plasma generating region in a process chamber of a plasma processing apparatus.SOLUTION: The antenna arrangement includes an rf inductive antenna 210 for generating a first rf electromagnetic field extending into the plasma generating region, and passive antennas 220, 222. The passive antennas 220, 222 are inductively coupled to the rf inductive antenna 210 to generate a second rf electromagnetic field. The second rf electromagnetic field modifies the first rf electromagnetic field such that the rf electromagnetic field at the plasma generating region has altered radial and azimuthal distributions to provide a different degree of processing uniformity of the processing apparatus from that in the absence of the passive antennas 220, 222. The rf electromagnetic field distribution at the plasma generating region has a different azimuthal symmetry from that in the absence of the passive antennas 220, 222 to the rf inductive antenna 210.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在等离子体处理装置的处理室中的等离子体产生区域处产生rf电磁场分布的天线装置。解决方案：天线装置包括用于产生延伸到等离子体产生区域中的第一射频电磁场的射频感应天线210以及无源天线220,222。无源天线220,222感应耦合到射频感应天线210 以产生第二射频电磁场。第二射频电磁场修改第一射频电磁场，使得等离子体产生区域处的射频电磁场具有改变的径向和方位分布，以提供处理装置与不存在无源天线220时的不同程度的处理均匀性等离子体产生区域上的射频电磁场分布具有与在无源天线220,222不存在于rf感应天线210时不同的方位角对称性。（C）2012，JPO和INPIT

6. 发明专利

JP2002252207A HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY, PLASMA PROCESSING APPARATUS, INSPECTION METHOD OF PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 失效
公开(公告)号：JP2002252207A
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：JP2001046052
申请日：2001-02-22
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
发明人： OKUMURA TOMOHIRO
IPC分类号： H05H1/46 , B01J19/08 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01Q1/26 , H04B1/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency power supply that can perform an accurate power control, a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and an inspection method that can provide an accurate inspection. SOLUTION: An accurate power control is realized by supplying an antenna 5 protruded into a vacuum container 1 with a high frequency power whose frequency is f=100 MHz using an antenna high frequency power supply 4 to generate plasma in the vacuum container 1, while a fixed gas is being introduced from a gas supplier 2 into the vacuum container 1, exhaust is being carried out by a turbo-molecular pump 3 as an exhaust system and the inside of the vacuum container 1 is being kept to a fixed pressure, and by providing a low- pass filter between the traveling-wave output terminal of a directional coupler and an amplifier in the high frequency power supply 4 when performing a plasma processing to a substrate 7 mounted on a substrate electrode 6.

7. 发明专利

JP6563152B2 アンテナ装置有权
公开(公告)号：JP6563152B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2019506901
申请日：2017-03-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：秋元晋平 , ▲柳▼ 崇 , 西岡泰弘
IPC分类号： H01Q1/26

8. 发明专利

JPWO2017126054A1 アンテナ装置及びアレーアンテナ装置有权
公开(公告)号：JPWO2017126054A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017549550
申请日：2016-01-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：西岡泰弘 , 田中泰 , 稲沢良夫 , 荻野勇人 , 福間雄一郎
IPC分类号： H01Q1/26 , H01Q3/44 , H01Q9/14 , H01Q21/06
CPC分类号： H01Q1/26 , H01Q3/01
摘要：密封容器(6)は、第一の電極(4)と第二の電極(5)を有し、これら電極の最大寸法と電極間の距離とが、対象とする信号の波長の十分の一以下に設定され、内部がプラズマ状態となるよう構成されている。第二の電極(5)は第一の導体(1)に接続され、第一の電極(4)は、第一の導体(1)に対して垂直に配置された第二の導体(2)に接続されている。

9. 发明专利

JPWO2016075956A1 アンテナ装置有权
公开(公告)号：JPWO2016075956A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015548532
申请日：2015-05-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：皓貴内藤 , 皓貴内藤 , 吉田　幸久 , 幸久吉田 , 真悟山浦 , 真悟山浦 , 勇人荻野 , 勇人荻野 , 雄一郎福間 , 雄一郎福間
IPC分类号： H01Q1/26
CPC分类号： H01Q1/26 , H01Q1/366
摘要：地導体(1)と、内部に電離性ガスを有し、折り返し部(201)と両端が地導体(1)を境に配置されるよう当該地導体(1)に貫通した誘電体チューブ(2)と、誘電体チューブ(2)の両端に設けられた第1の電極端子(3,4)と、第1の電極端子(3,4)に接続され、電離性ガスをプラズマ状態にするプラズマ励起電源(5)と、地導体(1)よりも誘電体チューブ(2)の両端側において、当該誘電体チューブ(2)の外周に当接するよう嵌められた環状の第2の電極端子(6)と、第2の電極端子(6)に高周波信号を供給する高周波発信部(7)と、第2の電極端子(6)と高周波発信部(7)とを接続する給電線路(8)とを備え、誘電体チューブ(2)の両端の内径が、第2の電極端子(6)の内径よりも大きい。

10. 发明专利

JP5968556B1 アンテナ装置有权
标题翻译：的天线装置
公开(公告)号：JP5968556B1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：JP2015548532
申请日：2015-05-15
申请人：三菱電機株式会社
发明人：内藤皓貴 , 吉田幸久 , 山浦真悟 , 荻野勇人 , 福間雄一郎
IPC分类号： H01Q1/26
CPC分类号： H01Q1/26
摘要：地導体(1)と、内部に電離性ガスを有し、折り返し部(201)と両端が地導体(1)を境に配置されるよう当該地導体(1)に貫通した誘電体チューブ(2)と、誘電体チューブ(2)の両端に設けられた第1の電極端子(3,4)と、第1の電極端子(3,4)に接続され、電離性ガスをプラズマ状態にするプラズマ励起電源(5)と、地導体(1)よりも誘電体チューブ(2)の両端側において、当該誘電体チューブ(2)の外周に当接するよう嵌められた環状の第2の電極端子(6)と、第2の電極端子(6)に高周波信号を供給する高周波発信部(7)と、第2の電極端子(6)と高周波発信部(7)とを接続する給電線路(8)とを備え、誘電体チューブ(2)の両端の内径が、第2の電極端子(6)の内径よりも大きい。
摘要翻译：接地导体（1）具有内部离子化的气体，电介质管穿透到接地导体（1），使得折叠部和所述相对的端部（201）设置在边界接地导体（1）（2 和），以及所述第一电极端子（3,4）中的电介质管（2的两端提供的），被连接到第一电极端子（3,4），等离子体离子化气体成等离子体状态激励电源（5），介电管的比接地导体两端（1）（2）中，安装圆形的第二电极端子接触所述电介质管（2）的外周面（6 a）所示，高频振荡器供给高频信号到所述第二电极端子（6）和（7），第二电极端子（6），用于连接高频振荡器单元进料管线（7）和（8）所提供的，在上述电介质筒的内径两端（2）比所述第二电极端子的内径大（6）。

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