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1. 发明专利

JP5775278B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP5775278B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2010198040
申请日：2010-09-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：広瀬篤志
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786 , H01L31/10 , G11C11/42 , H01L27/146

2. 发明专利

JP4558420B2 Separating gate flash memory cell manufacturing method using a spacer oxide process 有权
公开(公告)号：JP4558420B2
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：JP2004258973
申请日：2004-09-06
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：成用全 , 在 ▲みん▼ 兪 , 應 ▲よう▼ 安 , 仁丘尹 , 正護文 , 材鉉朴 , ▲よう▼ 先李 , ▲てつ▼ 純權
IPC分类号： H01L21/8247 , G11C11/42 , G11C16/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L29/66825 , G11C16/0425 , H01L21/28273 , H01L29/42324 , H01L29/7885
摘要： There is provided a method of fabricating a split-gate flash memory cell using a spacer oxidation process. An oxidation barrier layer is formed on a floating gate layer, and an opening to expose a portion of the floating gate layer is formed in the oxidation barrier layer. Subsequently, a spacer is formed on a sidewall of the opening with a material layer having insulation property by oxidizing, and an inter-gate oxide layer pattern between a floating gate and a control gate is formed in the opening while the spacer is oxidized by performing an oxidation process.

3. 发明专利

JPWO2005073788A1 リラクサー強誘電体固溶体単結晶、デバイス及びデバイスの使用方法有权
公开(公告)号：JPWO2005073788A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：JP2005517538
申请日：2005-01-28
申请人：国立大学法人岐阜大学
发明人：直彦安田 , 直彦安田 , 英弘大和 , 英弘大和 , 真岩田 , 真岩田
IPC分类号： G02F1/03 , C30B29/32 , G02F1/00 , G11C11/42 , H01L27/10
CPC分类号： C30B29/32 , G02F1/0027 , H01L41/18
摘要：リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、(1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3・xPbTiO3、(1−x)Pb(Zn1/3Nb2/3)O3・xPbTiO3、及び(1−x)Pb(In1/2Nb1/2)O3・xPbTiO3のいずれかで表される鉛系複合ペロブスカイト化合物からなる。組成比xは0.1よりも大きくかつ0.2よりも小さい。リラクサー強誘電体固溶体単結晶は、キュリー温度未満において、高誘電率でかつ光の透過を阻止する第1の状態と低誘電率でかつ光の透過を許容する第2の状態の間を変移可能である。第1の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶に閾値以上の大きさの電界を印加すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第2の状態に変移する。第2の状態のときにリラクサー強誘電体固溶体単結晶をキュリー温度以上に加熱すると、リラクサー強誘電体固溶体単結晶は第1の状態に変移する。

4. 发明专利

JP3737175B2 Optical memory element 失效
公开(公告)号：JP3737175B2
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：JP33959595
申请日：1995-12-26
申请人：富士通株式会社
发明人：義昭中田 , 健一今村 , 芳弘杉山
IPC分类号： G03C1/72 , H01L27/10 , G11C11/42 , H01L29/06 , H01L29/66
CPC分类号： G11C2216/08

5. 发明专利

JP3707804B2 Optical information processing apparatus 失效
公开(公告)号：JP3707804B2
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：JP10963893
申请日：1993-05-11
申请人：シャープ株式会社
发明人：ジー．ロビンソンミカエル
IPC分类号： G02F1/13 , G06E3/00 , G06F15/18 , G06G7/60 , G06N3/067 , G06N99/00 , G11C11/42
CPC分类号： G06N3/067

6. 发明专利

JP3706220B2 Information processing method and information processing apparatus 失效
公开(公告)号：JP3706220B2
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：JP6616297
申请日：1997-03-19
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：克実村瀬 , 雅夫永瀬 , 聡藤原 , 庸夫高橋
IPC分类号： G11C11/42 , H01L27/10 , H01L29/66
CPC分类号： G11C2216/08

7. 发明专利

JP2005243127A Ultraviolet erasable semiconductor memory 审中-公开
标题翻译： ULTRAVIOLET可擦除半导体存储器
公开(公告)号：JP2005243127A
公开(公告)日：2005-09-08
申请号：JP2004050362
申请日：2004-02-25
申请人： Sanyo Electric Co Ltd , 三洋電機株式会社
发明人： KUMAGAI YUKIHISA
IPC分类号： G11C16/04 , G11C5/00 , G11C8/00 , G11C11/34 , G11C11/42 , G11C16/00 , G11C16/06 , G11C16/18 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C16/18 , G11C8/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, in constitution, such as that an EPROM memory cell is equipped with two MOSFETs and data is read by detecting the difference of currents of these MOSFETs, when the data is erased with irradiation of ultraviolet rays, the output of a differential amplifier becomes uncertainty and confirmation of an initialization state is not easy. SOLUTION: In this ultraviolet erasable semiconductor memory, the channel width W A of a MOSFET of one side of the two MOSFETs constituting the memory cell is formed narrower than the channel width W B of the MOSFET of another side. As a result, the current value I HA of the data signal of the MOSFET having the channel width W A becomes smaller than the current value I HB of the MOSFET having the channel width W B in the initialization state in which the memory is irradiated with the ultraviole rays. Thus, the output of the differential amplifier is decided according to the magnitude relation of currents being I HA HB and a data value "0" is defined. On the other hand, in writing of data "1", the MOSFET is turned in an OFF state by by raising a threshold Vt while pouring charges into the floating gate electrode 36 of the MOSFET having the channel width W B . COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题为了解决在EPROM存储单元配置有两个MOSFET的结构中，通过检测这些MOSFET的电流差来读取数据的问题，当数据被照射时被擦除的紫外线，差分放大器的输出变得不确定，并且初始化状态的确认是不容易的。解决方案：在该紫外线可擦除半导体存储器中，构成存储单元的两个MOSFET的一侧的MOSFET的沟道宽度W A 形成为窄于沟道宽度W SB 另一侧的MOSFET的。结果，具有沟道宽度W A 的MOSFET的数据信号的电流值I HA 变得小于当前值I SB SB >在存储器被紫外线照射的初始化状态下具有通道宽度W B 的MOSFET。因此，根据电流的大小关系决定差分放大器的输出，并且定义数据值“0”。另一方面，在写入数据“1”时，通过在将电荷注入具有沟道宽度W B的MOSFET的浮置栅电极36中的同时提高阈值Vt来将MOSFET转变为截止状态， SB>。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

8. 发明专利

JP2005509909A And a photoelectric device capable of matrix-addressable, the electrode means 审中-公开
公开(公告)号：JP2005509909A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：JP2003544755
申请日：2002-11-01
申请人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ
发明人：グデセン、ハンス、グデ , − エリクノーダル、ペル , レイスタッド、ゲイール、アイ．
IPC分类号： H05B33/12 , G09F9/30 , G11C11/42 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L27/32 , H01L31/00 , H01L31/02 , H01L51/50 , H05B33/22 , H05B33/26 , H05B33/14
CPC分类号： H01L51/5203 , G02F1/134336 , G11C11/42 , H01L27/156 , H01L27/307 , H01L27/3281 , H01L2251/5392
摘要：平行帯状電極１、２を有する第１および第２電極手段（ＥＭ１、ＥＭ２）の間に挟まれた全域層に設けた光電能動材料３から成る機能媒体を含み、第２電極手段ＥＭ２の電極２が第１電極手段ＥＭ２の電極１に対してある角度で配置されたマトリックス・アドレス指定可能な光電装置であり、各電極１、２が重なり合い、使用される能動材料３に応じて、ディスプレイ装置における光学的能動ピクセル５または受光素子におけるピクセル５に対応する。各電極手段ＥＭ１、ＥＭ２において、電極１、２は、高密な平行関係で設けられ、電極幅の何分の１かの厚さを有する薄膜６によって互いに絶縁される。これにより、能動材料３におけるピクセル５の充填率が１に近くなり、対応する高度なピクセル化が達成されるため、表面輝度が高く、高解像度のディスプレイ、または高感度で高解像度の受光素子が提供される。

9. 发明专利

JP2004085688A Transition device, as well as display device and memory device using same 审中-公开
公开(公告)号：JP2004085688A
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：JP2002243453
申请日：2002-08-23
申请人： Casio Comput Co Ltd , カシオ計算機株式会社
发明人： NAKAMURA OSAMU
IPC分类号： G02F1/19 , G11C11/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce attenuation of light in a display device or the like by solving inconvenience such as darkening and contrast lowering of a display picture due to attenuation of light in passing through layers.
SOLUTION: The transition device 1 comprises a lamination structure consisting of a lower electrode 3, an insulating film 4, a transition layer 5 and an upper electrode 6 sequentially laminated on a substrate 7. A tunneling current flows when potential of the lower electrode 3 gets higher than that of the upper electrode 6 and thereby the transition layer 5 transits from semiconductive to metallic. When the potential of the lower electrode 3 gets identical to that of the upper electrode 6, the transition layer 5 transits from metallic to semiconductive. The transition layer 5 has a high reflectance when it is in a metal state and has a low reflectance when it is in a semiconductor state. When the transition layers 5 are arrayed as pixels or as segment display elements a reflective display device is provided.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

10. 发明专利

JP3415856B2 失效
公开(公告)号：JP3415856B2
公开(公告)日：2003-06-09
申请号：JP50422599
申请日：1998-06-17
IPC分类号： G11C11/42 , G11C11/21 , G11C13/00 , G11C13/02 , G11C13/04 , G11C16/02 , G11C17/00 , G11C17/14 , H03K19/12 , H03K19/14

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