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2. 发明专利

JP6595676B1 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体有权
公开(公告)号：JP6595676B1
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2018159987
申请日：2018-08-29
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/04 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の主面における転位密度を効率よく低減させる。【解決手段】下地基板を準備する工程と、下地基板の主面上に、所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、(0001)面以外の一対の傾斜界面で挟まれ(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上にマスク層の開口部を介してエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、マスク層の開口部の上方に、複数の谷部および複数の頂部を形成する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5931401B2 エピタキシャル構造体及びその製造方法有权
标题翻译：外延结构及其制造方法
公开(公告)号：JP5931401B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2011238659
申请日：2011-10-31
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：魏洋 , 馮辰 , ▲ハン▼ 守善
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , C30B25/04

5. 发明专利

JP2015188058A エピタキシャル構造体及びその製造方法有权
标题翻译：其外形结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2015188058A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2014257212
申请日：2014-12-19
申请人：ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人：魏洋 , ▲ハン▼ 守善
IPC分类号： C30B25/04 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/06 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02606 , H01L21/0262 , H01L29/0673 , Y10S977/742
摘要：【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、カーボンナノチューブフィルムを提供する第一ステップと、カーボンナノチューブの表面に欠陥を形成する第二ステップと、複数のカーボンナノチューブの表面にナノ材料層を成長させる第三ステップと、カーボンナノチューブフィルムを除去し、無機絶縁ナノチューブフィルムを形成する第四ステップと、無機絶縁ナノチューブフィルムを基板の成長表面に設置する第五ステップと、基板の前記成長表面にエピタキシャル構造層を成長させる第六ステップと、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供外延结构和外延结构的制造方法。解决方案：本发明的发光二极管的制造方法包括：提供碳纳米管膜的第一步骤; 在碳纳米管的表面上形成缺陷的第二步骤; 在碳纳米管的表面上生长纳米材料层的第三步骤; 除去碳纳米管膜以形成无机绝缘纳米管膜的第四步骤; 第五步，其中将无机绝缘纳米管膜设置在基板的生长表面上; 以及在衬底的生长表面上生长外延结构层的第六步骤。

6. 发明专利

JP2014195125A NON-POLAR (Al, B, In, Ga) N QUANTUM WELL, HETEROSTRUCTURE MATERIAL, AND DEVICE 审中-公开
标题翻译：非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱，异质结构材料和器件
公开(公告)号：JP2014195125A
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：JP2014133816
申请日：2014-06-30
申请人： Regents Of The Univ Of California , ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人： CRAVEN MICHAEL D , KELLER STACIA , DENBAARS STEVEN P , MARGALITH TAL , SPECK JAMES S , NAKAMURA SHUJI , MISHRA UMESH K
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/04 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, and Ga) N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.SOLUTION: One or more non-polar (1120)a-plane GaN layer is grown on an r-plane (1102) sapphire substrate by utilizing metallorganic chemical vapor deposition MOCVD. The non-polar (1120)a-plane GaN layer comprises a template for producing a non-polar (Al, B, In, and Ga)N quantum well, the heterostructure material, and a device.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成非极性（Al，B，In和Ga）N量子阱，异质结构材料和氮化物半导体器件的方法。解决方案：一个或多个非极性（1120）a 通过利用金属有机化学气相沉积MOCVD在r面（1102）蓝宝石衬底上生长平面GaN层。非极性（1120）a面GaN层包括用于产生非极性（Al，B，In和Ga）N量子阱的模板，异质结构材料和器件。

7. 发明专利

JP5276852B2 Method of manufacturing Iii nitride semiconductor epitaxial substrate 有权
公开(公告)号：JP5276852B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2008029456
申请日：2008-02-08
申请人：昭和電工株式会社
发明人：章坂東 , 浩天野
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/04 , C23C16/34 , C30B25/04 , H01L21/205 , H01L31/10 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/02
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L31/03048 , H01L31/1844 , H01L33/0075 , H01S5/32341 , H01S2304/12 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： There is provided a group III nitride semiconductor epitaxial substrate which has a suppressed level of threading dislocation in the vertical direction and excellent crystal quality, the group III nitride semiconductor epitaxial substrate including a substrate (1) for growing an epitaxial film; and an ELO layer (4) having a composition of AlxGa1-xN (0@x@1) formed either on top of the substrate (1) or on top of a group III nitride layer (2) formed on top of the substrate (1), wherein the ELO layer (4) is a layer formed by using a mask pattern (3), which is composed of carbon and is formed either on top of the substrate (1) or on top of the group III nitride layer (2).

8. 发明专利

JP5096677B2 Non-polar (Al, B, In, Ga) N quantum well 有权
公开(公告)号：JP5096677B2
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：JP2005512863
申请日：2003-12-11
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人：マイケルディー．クレイブン， , スティーブンピー．デンバース，
IPC分类号： H01L29/06 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/10 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/60 , H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/15 , H01L29/20 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , C30B25/02 , C30B25/04 , C30B25/105 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要： A method of fabricating non-polar a-plane GaN/(Al,B,In,Ga)N multiple quantum wells (MQWs). The a-plane MQWs are grown on the appropriate GaN/sapphire template layers via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) with well widths ranging from 20 Å to 70 Å. The room temperature photoluminescence (PL) emission energy from the a-plane MQWs followed a square well trend modeled using self-consistent Poisson-Schrodinger (SCPS) calculations. Optimal PL emission intensity is obtained at a quantum well width of 52 Å for the a-plane MQWs.

9. 发明专利

JP2012144422A Epitaxial structure, and method for producing the same 有权
标题翻译：外来结构及其生产方法
公开(公告)号：JP2012144422A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：JP2011238659
申请日：2011-10-31
申请人： Hon Hai Precision Industry Co Ltd , Qinghua Univ , ツィンファユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
发明人： GI YO , FENG CHEN , FAN FENG-YAN
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/34 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial structure, and a method for producing the same.SOLUTION: This method for producing an epitaxial structure includes a first step of providing a substrate having at least one crystal surface, a second step of arranging a carbon nanotube layer containing a plurality of voids on the crystal surface of the substrate, and a third step of growing an epitaxial layer on the crystal surface of the substrate.

10. 发明专利

JP2012131705A Group iii nitride semiconductor and substrate for growing group iii nitride semiconductor 有权
标题翻译：用于生长III族氮化物半导体的III族氮化物半导体和衬底
公开(公告)号：JP2012131705A
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：JP2012052557
申请日：2012-03-09
申请人： Dowa Electronics Materials Co Ltd , Dowaエレクトロニクス株式会社
发明人： TOBA RYUICHI
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III nitride semiconductor where the dislocation density of the group III nitride semiconductor is further reduced and at the same time the time required for chemical lift-off is greatly shortened when a self-supporting substrate and a semiconductor element are produced.SOLUTION: The group III nitride semiconductor includes a pattern mask with a striped opening on an AlN template substrate where an AlN single crystal layer or a group III nitride single crystal layer including Al is formed at a thickness of 0.005 μm or more and 10 μm or less on the substrate, an AlN template substrate which is a nitrided sapphire substrate or an AlN single crystal substrate, a metal nitride layer formed in the opening and a group III nitride semiconductor layer being formed on the metal nitride layer, wherein the group III nitride semiconductor layer is a continuous film by ELO growth (epitaxial lateral overgrowth) where the metal nitride layer is a nucleus.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供III族氮化物半导体，其中III族氮化物半导体的位错密度进一步降低，同时当自支撑衬底并制造半导体元件。解决方案：III族氮化物半导体包括在AlN模板衬底上具有条纹开口的图案掩模，其中AlN单晶层或包含Al的III族氮化物单晶层以0.005μm或更大的厚度形成， 10μm以下的AlN模板衬底，作为氮化蓝宝石衬底或AlN单晶衬底的AlN模板衬底，形成在开口中的金属氮化物层和形成在金属氮化物层上的III族氮化物半导体层，其中， III族氮化物半导体层是金属氮化物层为核的ELO生长（外延侧向生长）的连续膜。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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