基本信息:
- 专利标题： エピタキシャル構造体及びその製造方法
- 专利标题（英）：Epitaxial structure and manufacturing method of the same
- 专利标题（中）：其外形结构及其制造方法
- 申请号：JP2014257212 申请日：2014-12-19
- 公开(公告)号：JP2015188058A 公开(公告)日：2015-10-29
- 发明人： 魏 洋 , ▲ハン▼ 守善
- 申请人： ツィンファ ユニバーシティ , 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
- 申请人地址： 中華人民共和国 ベイジン 100084, ハイダン ディストリクト
- 专利权人： ツィンファ ユニバーシティ,鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
- 当前专利权人： ツィンファ ユニバーシティ,鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司
- 当前专利权人地址： 中華人民共和国 ベイジン 100084, ハイダン ディストリクト
- 代理人： 村山 靖彦; 志賀 正武; 渡邊 隆; 実広 信哉
- 优先权： CN201410115667.6 2014-03-26
- 主分类号： C30B25/04
- IPC分类号： C30B25/04 ; H01L21/205
摘要：
【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の発光ダイオードの製造方法は、カーボンナノチューブフィルムを提供する第一ステップと、カーボンナノチューブの表面に欠陥を形成する第二ステップと、複数のカーボンナノチューブの表面にナノ材料層を成長させる第三ステップと、カーボンナノチューブフィルムを除去し、無機絶縁ナノチューブフィルムを形成する第四ステップと、無機絶縁ナノチューブフィルムを基板の成長表面に設置する第五ステップと、基板の前記成長表面にエピタキシャル構造層を成長させる第六ステップと、を含む。 【選択図】図1
摘要（中）：
要解决的问题：提供外延结构和外延结构的制造方法。解决方案：本发明的发光二极管的制造方法包括：提供碳纳米管膜的第一步骤; 在碳纳米管的表面上形成缺陷的第二步骤; 在碳纳米管的表面上生长纳米材料层的第三步骤; 除去碳纳米管膜以形成无机绝缘纳米管膜的第四步骤; 第五步，其中将无机绝缘纳米管膜设置在基板的生长表面上; 以及在衬底的生长表面上生长外延结构层的第六步骤。
公开/授权文献:
- JP6017527B2 エピタキシャル構造体及びその製造方法 公开/授权日：2016-11-02