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1. 发明专利

JP2021028285A 層状ホウ化水素审中-公开
公开(公告)号：JP2021028285A
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：JP2019148099
申请日：2019-08-09
申请人：国立大学法人筑波大学 , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：近藤剛弘 , 冨中悟史
IPC分类号： C01B35/02
摘要：【課題】均質かつ高純度の層状ホウ化水素を提供する。【解決手段】有機溶媒中のMgB 2 のマグネシウムイオンをプロトンとイオン交換することにより、ホウ素および水素からなり、B−H−B架橋結合とB−H結合を有する層状ホウ化水素を粉末の形で得る。イオン交換の条件を最適化し、従来の製造方法ではわずかに存在していた酸化部位を除去することで、より均質且つ高純度の層状ホウ化水素を得ることができる。【選択図】なし

2. 发明专利

JP6177173B2 高純度ホウ素及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6177173B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2014062648
申请日：2014-03-25
申请人： JX金属株式会社
发明人：高畑雅博
IPC分类号： C01B35/02

3. 发明专利

JP2017079314A ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び表面処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017079314A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015208012
申请日：2015-10-22
申请人：国立大学法人静岡大学 , National Univ Corp Shizuoka Univ
发明人： UMEMOTO HIRONOBU
IPC分类号： H01L21/223 , C01B6/10 , C01B35/02 , H01L21/22 , H01L21/31
摘要：【課題】安価かつ安全な、ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、及び当該化学的活性種を用いた半導体基板の表面処理方法を提供すること。【解決手段】ボラザン及びボラジンの少なくとも一種を含むガスを加熱された金属体に接触させ、該金属体をホウ素化する工程と、前記ガスの供給を絶った状態で金属体を加熱し化学的活性種BHx(xは0〜3の整数)を発生させる工程と、を備える、ホウ素原子を含む化学的活性種の発生方法、並びに発生した当該化学的活性種をシリコンからなる被処理基板に供給する、表面処理方法。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5783536B2 ホウ素の回収方法有权
标题翻译：硼的恢复方法
公开(公告)号：JP5783536B2
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2012077346
申请日：2012-03-29
申请人：公益財団法人塩事業センター
发明人：渕脇哲司 , 鴨志田智之 , 長谷川正巳
IPC分类号： C02F1/58 , C01B35/02

5. 发明专利

JP2013147419A Method for removing organic contaminant from boron-containing powder by high temperature processing 有权
标题翻译：通过高温处理从含硼粉末中除去有机污染物的方法
公开(公告)号：JP2013147419A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013005857
申请日：2013-01-17
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： LUSTIG JAMES MICHAEL , JOHANNING JEFFREY LOUIS
IPC分类号： C01B35/02
CPC分类号： C01B35/023
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for removing organic contaminants from boron-containing powder by high temperature processing.SOLUTION: Methods for removing an organic contaminant from contaminated boron powder include a step of providing contaminated boron powder, the boron powder being commingled with an organic contaminant. The method also includes steps of placing the contaminated boron powder onto an inert container and placing the inert container and the contaminated boron powder into an enclosed space. The enclosed space environment is altered to create an oxygen deficient atmosphere. A heat source is provided to heat the contaminated boron powder to an elevated temperature. The method includes a step of vaporizing the organic contaminant so as to reduce the amount of the organic contaminant commingled with the boron powder. Another method includes a step of reducing the amount of the organic contaminant commingled with the boron powder to not more than about 0.1 weight percent of soluble residue.
摘要翻译：要解决的问题：提供通过高温处理从含硼粉末中除去有机污染物的方法。解决方案：从被污染的硼粉中除去有机污染物的方法包括提供污染的硼粉末的步骤，将硼粉末与有机污染物。该方法还包括以下步骤：将污染的硼粉置于惰性容器上，并将惰性容器和被污染的硼粉置于封闭空间中。封闭的空间环境被改变以产生缺氧的气氛。提供热源以将受污染的硼粉末加热到升高的温度。该方法包括使有机污染物蒸发以减少与硼粉混合的有机污染物的量的步骤。另一种方法包括将与硼粉末混合的有机污染物的量减少至不超过可溶性残余物的约0.1重量％的步骤。

6. 发明专利

JP2013100215A Method for removing contaminant from boron powder 审中-公开
标题翻译：从BORON粉中除去污染物的方法
公开(公告)号：JP2013100215A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012185064
申请日：2012-08-24
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： LUSTIG JAMES MICHAEL
IPC分类号： C01B35/02
CPC分类号： C01B35/023
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for removing an organic contaminant from contaminated boron powder.SOLUTION: This method includes: a step 110 of providing a contaminated boron powder, being comingled with an organic contaminant; a step 112 of placing the contaminated boron powder and the organic contaminant comingled therewith onto an inert container; a step 114 of placing the inert container, the contaminated boron powder, and the organic contaminant comingled therewith, into an enclosed space, where a heat source is provided in the enclosed space; a step 118 of heating the contaminated boron powder and the organic contaminant comingled therewith to an elevated temperature; and a step 120 of altering the organic contaminant so as to reduce the amount of the organic contaminant comingled with the boron powder.
摘要翻译：待解决的问题：提供从被污染的硼粉中除去有机污染物的方法。解决方案：该方法包括：提供被污染的硼粉末与有机污染物混合的步骤110; 将污染的硼粉末和与其接触的有机污染物放置在惰性容器上的步骤112; 将惰性容器，被污染的硼粉末和与其接触的有机污染物放置在封闭空间内的放置在封闭空间中的热源的步骤114; 将污染的硼粉末和与其接触的有机污染物加热到升高的温度的步骤118; 以及改变有机污染物的步骤120，以便减少随着硼粉末附着的有机污染物的量。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2012501942A Purification methods of elemental boron 有权
公开(公告)号：JP2012501942A
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：JP2011525515
申请日：2009-08-28
申请人：ハー.ツェー.スタルクゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングH.C. Starck GmbH
发明人：ヴィルヘルムカラウフリードリヒ
IPC分类号： C01B35/04 , C01B35/02
CPC分类号： C01B35/023 , Y10T428/2982
摘要：本発明は、元素状ホウ素の精製方法及び当該方法により得られたホウ素に関する。

8. 发明专利

JP4674168B2 Treatment method of wastewater 有权
公开(公告)号：JP4674168B2
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：JP2006018745
申请日：2006-01-27
申请人：日宝化学株式会社
发明人：孝明宮澤 , 信洋田口 , 誠高橋
IPC分类号： C02F1/04 , B01D9/02 , C01B7/14 , C01B35/02 , C02F1/28 , C02F1/76 , C02F9/00

10. 发明专利

JP2010153791A Boron doped semiconductor nanowire and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译： BORON DOPED SEMICONDUCTOR NANOWIRER AND MANUFACTURING METHOD WITHEROF
公开(公告)号：JP2010153791A
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：JP2009236883
申请日：2009-10-14
申请人： National Institute For Materials Science , 独立行政法人物質・材料研究機構
发明人： FUKADA NAOKI , SATO KEISUKE
IPC分类号： H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B35/02 , C30B29/62 , H01L21/20 , H01L21/22 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L51/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a boron doped semiconductor nanowire whose diameter is uniform in the direction of growth axis, and also to provide its manufacturing method.
SOLUTION: The boron doped semiconductor nanowire of a uniform diameter in the direction of growth axis is manufactured by manufacturing steps including: a step (1) in which group IV semiconductor nanowire is grown on a substrate using semiconductor material gas; a step (2) in which a boron film is deposited on the surface of the semiconductor nanowire by introducing only diborane gas; and a step (3) in which the semiconductor nanowire with the boron film on the surface of which the boron film is deposited is thermally annealed at the temperature of melting point of semiconductor nanowire (main body) or lower.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供其直径在生长轴方向上均匀的硼掺杂半导体纳米线，并且还提供其制造方法。解决方案：通过包括以下步骤的制造步骤制造在生长轴方向上具有均匀直径的硼掺杂半导体纳米线：其中使用半导体材料气体在衬底上生长IV族半导体纳米线的步骤（1）通过仅引入乙硼烷气体而在半导体纳米线的表面上沉积硼膜的步骤（2）; 在半导体纳米线（主体）以下的熔点的温度下对其中沉积有硼膜表面的具有硼膜的半导体纳米线进行热退火的工序（3）。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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