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1. 发明专利

JP2004515441A Preparation of the nanocrystallite 有权
公开(公告)号：JP2004515441A
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：JP2002548750
申请日：2001-12-06
申请人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジーMassachusetts Institute Of Technology
发明人：ネイサンイー．スコット， , マウンギージー．バウェンディー，
IPC分类号： C01B19/04 , C01B17/20 , C01B19/00 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L33/00
CPC分类号： C01B17/20 , B82Y30/00 , C01B19/007 , C01P2004/64 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/605 , H01L33/005 , H01L33/0083 , Y10S516/922 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/822 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/916 , Y10T428/2991
摘要：本発明は、ナノクリスタライトを製造する方法を特徴とする。このナノクリスタライトは、１５０Å未満の直径を有する。このナノクリスタライトは、狭いサイズ分布を有するナノクリスタライトのメンバーであり得る。このナノクリスタライトは、球形、棒形、円盤形または他の形状であり得る。このナノクリスタライトは、半導体材料のコアを含み得る。コアは、このコアの表面上にオーバーコーティングを有し得る。このオーバーコーティングは、このコアの組成とは異なる組成を有する半導体材料であり得る。

2. 发明专利

JP2018178116A 複合材料を使った発光装置、複合材料の製造方法、および光学フィルム审中-公开
公开(公告)号：JP2018178116A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2018077676
申请日：2018-04-13
申请人：優美特創新材料股▲ふん▼有限公司
发明人：周必泰 , 周尚威
IPC分类号： C09K11/89 , C09K11/87 , C09K11/74 , C09K11/70 , C09K11/64 , C09K11/65 , C09K11/66 , C09K11/62 , C09K11/60 , C09K11/59 , C09K11/58 , C09K11/56 , C09K11/67 , G03B21/00 , G03B21/14 , G09F9/00 , H01L33/50 , G02F1/13357 , G02F1/1335 , C09K11/88
CPC分类号： G03B21/204 , B82Y20/00 , B82Y35/00 , C09K11/025 , C09K11/883 , F21S10/007 , F21V9/30 , F21V14/08 , G02B1/04 , G02B26/008 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0083 , Y10S977/774 , Y10S977/81 , Y10S977/812 , Y10S977/814 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：【解決手段】円盤形状を形成するように配置された複数の色変換装置であって、少なくとも1個の量子ドット102aと、当該少なくとも1個の量子ドットの表面を封入するシリカ材料104aとを含む複合材料100aを含むそれぞれの色変換装置と、前記円盤形状の中心に配置された回転部分と、を有するプロジェクターカラーホイール。【効果】従来の蛍光体に比べて、プロジェクターカラーホイールの色域を改善することができる。さらに、シリカ(SiO2)材料を使用して量子ドットを封入することにより、熱安定性が高められる。【選択図】図2A

3. 发明专利

JP2006265022A METHOD FOR PRODUCTION OF InP PARTICULATE, AND InP PARTICULATE-DISPERSION LIQUID OBTAINED BY THE METHOD 有权
标题翻译：生产InP颗粒的方法和方法获得的InP颗粒分散液
公开(公告)号：JP2006265022A
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：JP2005083707
申请日：2005-03-23
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： TOKUMITSU HIDEZO
IPC分类号： C01B25/08
CPC分类号： C09K11/70 , C01B25/087 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/896
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing nanometer-scale InP particulates efficiently and industrially advantageously in a short time, and also to provide a dispersion of the InP particulates.
SOLUTION: This method comprises reacting, in a solvent, an In-basic ingredient comprising two or more In-compounds with a P-ingredient comprising at least one P-compound to produce InP particulates. The above two or more In-compounds comprise at least one first In-compound which has a group to be removed by reacting with a functional group of the P-compound having P atoms adjacent to In atoms upon the formation of the In-P bond, and at least one second In-compound which has an electron density lower than that of the first In-compound in the In atom in the compound. As for the above solvent, a Lewis basic solvent is used. Besides, the dispersion of the InP particulates obtained by the above method is also provided.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：提供在短时间内有效和工业上有效地生产纳米级InP颗粒的方法，并且还提供InP颗粒的分散体。解决方案：该方法包括在溶剂中使包含两种或更多种In化合物的碱性成分与包含至少一种P化合物的P成分反应以产生InP颗粒。上述两种或更多种In化合物包含至少一种第一In化合物，其具有在形成In-P键时与具有与In原子相邻的P原子的P化合物的官能团反应除去的基团和至少一种第二In化合物，其电子密度低于化合物中的In原子中的第一In化合物的电子密度。对于上述溶剂，使用路易斯碱性溶剂。此外，还提供了通过上述方法获得的InP颗粒的分散体。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP4994599B2 InP fine particle dispersion obtained by the manufacturing method and the method of the InP fine 有权
公开(公告)号：JP4994599B2
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：JP2005083707
申请日：2005-03-23
申请人： Hoya株式会社
发明人：秀造徳光
IPC分类号： C01B25/08
CPC分类号： C09K11/70 , C01B25/087 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/896

5. 发明专利

JP4219164B2 Preparation of the nanocrystallite 有权
公开(公告)号：JP4219164B2
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：JP2002548750
申请日：2001-12-06
申请人：マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジーMassachusetts Institute Of Technology
发明人：ネイサンイー．スコット， , マウンギージー．バウェンディー，
IPC分类号： C01B19/04 , C01B17/20 , C01B19/00 , C09K11/08 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L33/00
CPC分类号： C01B17/20 , B82Y30/00 , C01B19/007 , C01P2004/64 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/605 , H01L33/005 , H01L33/0083 , Y10S516/922 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/822 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/916 , Y10T428/2991
摘要： A method of synthesizing or manufacturing a nanocrystal from a metal-containing compound.

6. 发明专利

JP2008184382A Preparation of nanocrystallites 审中-公开
标题翻译：纳米晶的制备
公开(公告)号：JP2008184382A
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：JP2008121690
申请日：2008-05-07
申请人： Massachusetts Inst Of Technol , マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジーMassachusetts Institute Of Technology
发明人： BAWENDI MOUNGI G , STOTT NATHAN E
IPC分类号： C01B19/04 , C01G11/02 , C01B17/20 , C01B19/00 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/60 , H01L33/00
CPC分类号： C01B17/20 , B82Y30/00 , C01B19/007 , C01P2004/64 , C30B7/00 , C30B7/14 , C30B29/40 , C30B29/48 , C30B29/605 , H01L33/005 , H01L33/0083 , Y10S516/922 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/822 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/916 , Y10T428/2991
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a new and useful nanocrystallite. SOLUTION: The method of manufacturing a nanocrystallite comprises: a process in which a metal M or an M containing salt and a reducing agent are contacted to form an M-containing precursor, wherein M is Cd, Zn, Mg, Hg, Al, Ga, In or Tl; a process in which the M-containing precursor is made by being contacted with X donors to, form a mixture, wherein X is O, S, Se, Te, N, P, As or Sb; and a process in which the mixture is heated under the presence of amines to form a nanocrystallite. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

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