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1. 发明专利

JPWO2017022710A1 電磁波放電放射装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017022710A1
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016072513
申请日：2016-08-01
申请人：イマジニアリング株式会社
发明人：池田裕二 , 神原誠士
IPC分类号： F02P23/04 , F02P3/01 , H05H1/24
CPC分类号： H05H1/24 , F02P23/045 , H01Q1/36 , H01Q9/42 , H01Q21/061 , H01T13/16 , H01T13/40 , H01T13/50 , H05B6/70 , H05B6/72 , H05H1/02 , H05H1/46 , H05H1/52 , H05H2001/463
摘要：【課題】電磁波のみによって放電を生じさせる小型の放電装置であって、長手方向の寸法を大幅に小型化することができるとともに、供給する電磁波の出力に応じて対象空間に電磁波を放射することができる電磁波放電放射装置を供給すること。電磁波を発振する電磁波発振器MWと、この電磁波発信器MWを制御する制御装置2と、主面側に複数の放電放射パターン11を形成した第1基板10と、電磁波発振器MWからの電磁波の給電を受ける受電ポート21及び受電ポート21から放電放射パターン11の受電点である受電端11aまでの距離を同距離とし、放電放射パターン11の受電端11aとビアを介して接続される給電端22aを備えた給電パターン22を形成した第2基板20とを備え、放電放射パターン11を、給電パターン22と接続される受電端11aを中心に渦巻き状に、かつ、供給される電磁波の波長に対して1/4波長の長さとなるように形成する。【選択図】図1

2. 发明专利

JPWO2015002131A1 磁化同軸プラズマ生成装置有权
标题翻译：磁化同轴等离子体生成装置
公开(公告)号：JPWO2015002131A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015525201
申请日：2014-06-30
申请人：学校法人日本大学
发明人：朋彦浅井 , 純一関口 , 匡史松本
IPC分类号： H05H1/26 , C23C14/32
CPC分类号： H05H1/12 , H05H1/02 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H1/48 , H05H2001/466
摘要：磁化効率を高め、省電力化やコイルへの熱負荷を軽減可能な磁化同軸プラズマ生成装置を提供する。スフェロマックプラズマを生成する磁化同軸プラズマ生成装置は、外部電極1と内部電極2とプラズマ生成ガス供給部3と電源回路4とバイアスコイル5とバイアスコイル用パルス電源6と磁束保持部7と制御部8とからなる。バイアスコイル5は、内部電極の内部に配置され、外部電極と内部電極との間にバイアス磁場を発生する。そして、バイアスコイル用パルス電源6は、バイアスコイルをパルス駆動する。磁束保持部7は、外部電極の外側に配置される。制御部8は、スフェロマックプラズマが生成されるのに必要なバイアス磁場が外部電極と内部電極との間に与えられるのに十分な時間、且つ磁束保持部へのバイアス磁場の磁束の染み込み時間よりも短い時間でバイアスコイルをパルス駆動するようにバイアスコイル用パルス電源を制御する。
摘要翻译：增强的磁化效率，省电和线圈提供磁化同轴等离子体发生器的热负荷的减轻。用于产生铁麦克等离子体扫描磁化同轴等离子体生成装置中，外电极1和内部电极2与等离子体产生气体供给部3和电源电路4和偏置线圈5和偏置线圈脉冲电源6和磁通量保持单元7，控制部8 组成。偏置线圈5配置在内部电极，产生外部电极和内部电极之间施加偏置磁场。用于偏置线圈脉冲偏置线圈的脉冲电源6。通量保持器7定位在外部电极的外侧。控制单元8，时间足以向原生质球麦克等离子体所需的偏置磁场的磁通的外部电极和内部电极，比和渗透时间之间所产生的偏磁场之间施加的磁通量保持部控制装置，用于偏置线圈的脉冲电源进行脉冲驱动偏置线圈在一个短的时间。

3. 发明专利

JP5363652B2 System and method for compressing plasma 有权
公开(公告)号：JP5363652B2
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：JP2012523007
申请日：2010-07-28
申请人：ジェネラルフュージョンインコーポレイテッド
发明人：スティーブンジェイムズハワード , ダグラスハーヴェイリチャードソン , ジェイムズグレグソン , マイケルジョージズラバージ , ロンマッキルレイス
IPC分类号： H05H1/02 , H05H1/54
CPC分类号： H05H1/02 , G21B3/006 , H05H1/24 , H05H1/54
摘要： Embodiments of systems and methods for compressing plasma are disclosed in which plasma can be compressed by impact of a projectile on a magnetized plasma in a liquid metal cavity. The projectile can melt in the liquid metal cavity, and liquid metal may be recycled to form new projectiles.

4. 发明专利

JP6278414B2 磁化同軸プラズマ生成装置有权
公开(公告)号：JP6278414B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2015525201
申请日：2014-06-30
申请人：学校法人日本大学
发明人：浅井朋彦 , 関口純一 , 松本匡史
IPC分类号： C23C14/32 , H05H1/26
CPC分类号： H05H1/12 , H05H1/02 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H1/48 , H05H2001/466

5. 发明专利

JP2014526119A Optical pumping for plasma maintenance 审中-公开
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2014526119A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：JP2014518888
申请日：2012-06-25
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：イリアベゼル , アナトリーシチェメリニン , マシューデルスタイン
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01J61/20 , H01J65/042 , H05H1/02
摘要：プラズマを維持する方法は、所定容積のガスを提供することと、第１の選択された波長の照射を生成することと、第１の選択された波長の照射を所定容積のガス中に集束させることにより、ガスの第１の領域内に第１のプラズマ種を形成し、ガスの少なくとも第２の領域内に少なくとも第２のプラズマ種を形成することとを含む。第１の領域は、第１の平均温度および第１のサイズを有し、少なくとも第２の領域は、少なくとも第２の平均温度および少なくとも第２のサイズを有し、照射の第１の選択された波長を第１のプラズマ種の吸収線へ同調させることにより、第１の選択された波長の照射は、少なくとも第２のプラズマ種によって実質的に透過され、第１の選択された波長の照射は、第１のプラズマ種によって実質的に吸収され、吸収線は、第１のプラズマ種のイオン吸収遷移または圧力励起中性遷移の少なくとも１つに関連する。
【選択図】図１Ａ
摘要翻译：维持等离子体的方法包括提供一定体积的气体; 产生第一选定波长的照明; 以及通过将所述第一波长的照射聚焦到所述气体体积中，在所述气体的第一区域中形成第一等离子体物质和所述气体的第二区域中的第二等离子体物质，所述第一区域具有第一平均温度和第一等离子体物质具有第二平均温度和第二尺寸的第二区域，由第二等离子体物质透射的第一选定波长的照明，通过调谐第一等离子体物质的第一选定波长的照射，由第一等离子体物质吸收的第一选定波长的照明照射到第一等离子体物质的吸收线，吸收线与第一等离子体物质的离子吸收转变或激发的中性转变相关联。

6. 发明专利

JP2013536543A Plasma torch 有权
公开(公告)号：JP2013536543A
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：JP2013518308
申请日：2011-02-25
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：秀樹濱谷 , 順竹内 , 史徳渡辺 , 哲郎野瀬 , オレゴパビロビッチソルネンコ , アンドレイウラジミロビッチスミルノフ
IPC分类号： H05H1/32 , C23C4/12 , H05H1/28 , H05H1/34
CPC分类号： H05H1/02 , H05H1/34 , H05H2001/3426 , H05H2001/3452 , H05H2001/3478 , H05H2001/3484
摘要：本発明のプラズマトーチは、カソードとアノードとの間に電極間インサートであるカスケードを有し、このカスケードは、カソード側からアノード側に向かうに従って内径が多段で段階的に拡大する内部形状を有する。これにより、プラズマトーチの出力が、電流増加に拠らずにアーク電圧の増加によって得られ、カソード及びアノードの各電極の長寿命化が可能となる。また、カスケードの内部において準層流のプラズマが生成されるので、プラズマジェットの出力変動が低減でき、運転処理コストの低減が可能となる。また、アノード出口側の出射ノズルに、同軸で環状且つ低速のガスシールドジェットを生成するサイドシールドモジュールが設けられることで、周辺環境からのガス流入が遮断され、出射ノズル及びプラズマジェットへの酸素の侵入を遮断できる。従って、プラズマ溶射等の表面処理や、耐火性粉末材料加工、プラズマ化学処理等を高効率で行うことが可能となる。

7. 发明专利

JP2007524957A System and method for plasma confinement 审中-公开
公开(公告)号：JP2007524957A
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：JP2006507394
申请日：2004-03-19
申请人：ユタ州立大学
发明人：エドワーズ，ダブリュー．，ファレル , ヘルド，エリック
IPC分类号： H05H1/16 , G21B1/05 , G21B1/11 , G21B1/25 , G21K1/00 , H05G2/00 , H05H1/02 , H05H1/06 , H05H1/08 , H05H1/12 , H05H3/06
CPC分类号： H05G2/003 , G21B1/05 , H05H1/02 , H05H3/06 , Y02E30/126
摘要：プラズマ閉じ込めのための装置（１１２）および方法が開示されている。プラズマ（１００）の安定平衡は、マックスウェル方程式、運動モーメント方程式、断熱方程式の対象となるシステムエネルギを、準中立状態を強いることなく、変化させることによって決定される。ある実施例では、電子は、２つの流体の電荷分離によって発生する磁力および内部的な静電力によるイオンによって封じ込められる。ある実施例では、エネルギ変化プロセスのための入力パラメータは、プラズマのベータパラメータ状態を満たすように選択され、それにより、制御変数の数を一つ減らしている。一次元的に平衡な円筒状に対称なプラズマの半径方向の長さは、電子膜の深さによって特徴づけられている。そのようなプラズマは、コンパクトな形状を有する高いアスペクト比のトロイドとして封じ込むことができる。コンパクトなプラズマ溶融装置の出願は、中性子の発生、Ｘ線の発生、電力の発生を含む。

8. 发明专利

JP5376091B2 Plasma torch 有权
公开(公告)号：JP5376091B2
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：JP2013518308
申请日：2011-02-25
申请人：新日鐵住金株式会社
发明人：秀樹濱谷 , 順竹内 , 史徳渡辺 , 哲郎野瀬 , オレゴパビロビッチソルネンコ , アンドレイウラジミロビッチスミルノフ
IPC分类号： H05H1/32 , C23C4/12 , H05H1/28 , H05H1/34
CPC分类号： H05H1/02 , H05H1/34 , H05H2001/3426 , H05H2001/3452 , H05H2001/3478 , H05H2001/3484
摘要： A plasma torch comprises a cascade between a cathode and an anode. The cascade is an inter-electrode insert. An interior of the cascade is shaped so that a diameter of the interior expands in series in a plurality of steps from a side of the cathode to a side of the anode. As a result of the cascade being provided, the output power of the plasma torch is obtained not by an increase in the electric current but by an increase in the arc electric voltage. Therefore, the lifespan of each of the electrodes, i.e., the cathode and the anode, becomes remarkably longer. In addition, since a quasi laminar flow of the plasma is generated in the interior of the cascade, a fluctuation in the output power of the plasma jet is reduced. Thus, it is possible to lower the driving and operating costs. Therefore, it is possible to perform surface treatment such as plasma spraying, utilizing a high-performance plasma processing, a processing of refractory powder materials, and plasma chemistry processing and the like, with a high degree of efficiency. In addition, a side shield module is provided at an outlet side of the anode of the forming nozzle. The side shield module generates a gas shield jet which is coaxial, annular, and low-velocity. Thus, gas from the surrounding environment is prevented from flowing in. Consequently, oxygen is prevented from entering the forming nozzle and the plasma jet. Hence, it is possible to generate a plasma jet having a low Reynolds number of the plasma forming gas, with a quasi laminar flow, exhibiting low noise, the diameter of its cross section expanding in a stable manner, having a long plasma length, and comprising argon, nitrogen, and hydrogen.

9. 发明专利

JP2013501314A System and method for compressing a plasma by recycling the projectile 有权
公开(公告)号：JP2013501314A
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：JP2012523007
申请日：2010-07-28
申请人：ジェネラルフュージョンインコーポレイテッド
发明人：スティーブンジェイムズハワード , ダグラスハーヴェイリチャードソン , ジェイムズグレグソン , マイケルジョージズラバージ , ロンマッキルレイス
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/24 , H05H3/06 , H05H6/00
CPC分类号： H05H1/02 , G21B3/006 , H05H1/24 , H05H1/54
摘要： Embodiments of systems and methods for compressing plasma are disclosed in which plasma can be compressed by impact of a projectile on a magnetized plasma in a liquid metal cavity. The projectile can melt in the liquid metal cavity, and liquid metal may be recycled to form new projectiles.

10. 发明专利

JP4979704B2 Target and method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4979704B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2008530014
申请日：2006-09-12
申请人：ボードオブリージェンツオブザネバダシステムオブハイアーエデュケーションオンビハーフオブザユニバーシティオブネバダリーノー
发明人：コーガングラント , アダムズジェシー , フックスジュリエン , マレコススティーヴン , イーコーワントーマス , ラギャロウデックナタリー , 靖彦千徳
IPC分类号： G21K5/08 , C23C30/00 , G21B1/03 , H05H1/24
CPC分类号： H05H1/24 , G21B1/19 , H01J35/08 , H05G2/00 , H05G2/001 , H05G2/008 , H05H1/02 , Y02E30/16 , Y10T428/12 , Y10T428/12299 , Y10T428/1241 , Y10T428/12493 , Y10T428/12806 , Y10T428/12868 , Y10T428/12889 , Y10T428/13
摘要： In particular embodiments, the present disclosure provides targets including a metal layer and defining a hollow inner surface. The hollow inner surface has an internal apex. The distance between at least two opposing points of the internal apex is less than about 15 μm. In particular examples, the distance is less than about 1 μm. Particular implementations of the targets are free standing. The targets have a number of disclosed shaped, including cones, pyramids, hemispheres, and capped structures. The present disclosure also provides arrays of such targets. Also provided are methods of forming targets, such as the disclosed targets, using lithographic techniques, such as photolithographic techniques. In particular examples, a target mold is formed from a silicon wafer and then one or more sides of the mold are coated with a target material, such as one or more metals.

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