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1. 发明专利

JP2009147800A Bias circuit 有权
标题翻译：偏置电路
公开(公告)号：JP2009147800A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：JP2007324947
申请日：2007-12-17
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： ARAI TOMOYUKI
IPC分类号： H03F3/45 , H03F1/22
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F1/3211 , H03F2200/453 , H03F2203/45244 , H03F2203/45398 , H03F2203/45508
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve both of linearity and a gain of an amplifier circuit, in a bias circuit which supplies bias to an analog circuit such as the amplifier circuit.
SOLUTION: A gm compensation current source 13 controls current that runs through a current source transistor 21 and source-grounded transistors 22, 23, that determine a gain, of an amplifier circuit 200 so that mutual conductance gm of the source-grounded transistors 22, 23 is compensated and the gain is compensated. A 1/r current source 14 runs current inversely proportional to variation of load resistors 26, 27 of the amplifier circuit 200 so that gate bias points of gate-grounded transistors 24, 25 that are connected to the source-grounded transistors 22, 23 remain constant, and deterioration of linearity at a drain terminal of a gate-grounded transistor is suppressed.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在向诸如放大器电路的模拟电路提供偏置的偏置电路中，实现放大器电路的线性和增益两者。解决方案：gm补偿电流源13控制通过电流源晶体管21和确定放大器电路200的增益的源极接地晶体管22,23的电流，使得源极接地的互导gm 晶体管22,23被补偿并且增益被补偿。 1 / r电流源14运行与放大器电路200的负载电阻26,27的变化成反比的电流，使得连接到源极接地晶体管22,23的栅极接地晶体管24,25的栅极偏置点保持栅极接地晶体管的漏极端子的线性度的恒定和劣化被抑制。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2007214798A Differential amplification device 有权
标题翻译：差分放大器件
公开(公告)号：JP2007214798A
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：JP2006031421
申请日：2006-02-08
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： IMAYAMA TERUO
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/45 , H03G1/04
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0266 , H03F1/3211 , H03F3/45098 , H03F2200/456 , H03F2200/462 , H03F2200/474 , H03F2203/45136 , H03F2203/45154 , H03F2203/45156 , H03F2203/45398
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a differential amplification device whose distortion characteristics can be optimized while the power consumption is reduced. SOLUTION: The differential amplification device 100 includes a differential amplifier 3 which amplifies a voltage signal S1 input from input terminals 1a and 1b and outputs the amplified voltage signal S2 through output terminals 2a and 2b; an amplitude detecting circuit 4 which detects the amplitude of the voltage signal S1 input to the differential amplifier 3 and outputs a detection current Id corresponding to the amplitude, and a compensating circuit 5 which outputs a compensation current Ic at a desired mirror ratio in response to input of the detection current Id and varies the mirror ratio to control the level of the compensation current Ic according to the amplitude of the voltage signal S1 detected by the amplitude detecting circuit 4; and bias circuit 6 which supplies to the differential amplifier a bias voltage Vb for adding a bias value to the voltage signal S2 to be output based upon the level of the compensation current Ic. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种差分放大装置，其在降低功耗的同时可以优化失真特性。解决方案：差分放大装置100包括：差分放大器3，放大从输入端子1a和1b输入的电压信号S1，并通过输出端子2a和2b输出放大的电压信号S2; 振幅检测电路4，其检测输入到差分放大器3的电压信号S1的振幅，并输出与振幅对应的检测电流Id;以及补偿电路5，响应于所需的镜像比，输出补偿电流Ic 输入检测电流Id，并根据由振幅检测电路4检测的电压信号S1的振幅，改变反射镜比以控制补偿电流Ic的电平; 以及偏置电路6，其向差分放大器提供偏置电压Vb，用于根据补偿电流Ic的电平将偏置值添加到要输出的电压信号S2。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP5024020B2 Bias circuit 有权
公开(公告)号：JP5024020B2
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：JP2007324947
申请日：2007-12-17
申请人：富士通株式会社
发明人：知之荒井
IPC分类号： H03F3/45 , H03F1/22
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F1/3211 , H03F2200/453 , H03F2203/45244 , H03F2203/45398 , H03F2203/45508

4. 发明专利

JP4695519B2 Differential amplifier 有权
公开(公告)号：JP4695519B2
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：JP2006031421
申请日：2006-02-08
申请人：株式会社東芝
发明人：山輝男今
IPC分类号： H03F1/02 , H03F3/45 , H03G1/04
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0266 , H03F1/3211 , H03F3/45098 , H03F2200/456 , H03F2200/462 , H03F2200/474 , H03F2203/45136 , H03F2203/45154 , H03F2203/45156 , H03F2203/45398

5. 发明专利

JP2008544727A Offset trimming circuit of the amplifier independent of temperature 审中-公开
公开(公告)号：JP2008544727A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：JP2008519688
申请日：2006-06-29
申请人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
发明人：アトラッシュ、アメール、ハニ , シェラムット、シャンムガナンド
IPC分类号： H03F3/34 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F3/45744 , H03F3/45766 , H03F3/45771 , H03F2200/447 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2203/45048 , H03F2203/45244 , H03F2203/45291 , H03F2203/45322 , H03F2203/45354 , H03F2203/45374 , H03F2203/45396 , H03F2203/45398 , Y10S323/907
摘要：温度補償されたオフセット補正をする演算増幅器であり、第１および第２ＦＥＴはゲートが入力信号を受けるように接続されると共に、第１バイアス電流を受けるように共に接続され、更に第１カレントミラーのそれぞれの側に接続されている。補正アンプは、第２バイアス電流を受けるよう、共に接続され、更に第２カレントミラー（ＭＮ１、ＭＮ２）のそれぞれ側に接続された第１および第２補正ＦＥＴ（ＭＰ１、ＭＰ２）を有する。両端に固定電圧を発生するように抵抗器（Ｒ２）が配置されており、この抵抗器の一方のターミナルは、第１補正ＦＥＴ１のゲートに接続されており、他方のターミナルは、第２補正ＦＥＴのゲートに接続されている。第２補正ＦＥＴから流れるエキストラ電流が第２カレントミラーを流れることを、カレントミラー作用により防止し、第３カレントミラーを形成するようなバイアス回路も設けられている。

6. 发明专利

JP2008153786A Transconductor 有权
标题翻译：跨
公开(公告)号：JP2008153786A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2006337534
申请日：2006-12-14
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： ITO RUI , ITAKURA TETSURO
IPC分类号： H03F3/34 , H03G3/10
CPC分类号： H03G1/0029 , H03F1/3211 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2203/45318 , H03F2203/45342 , H03F2203/45352 , H03F2203/45398 , H03H11/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power-saving transconductor which has high linearity.
SOLUTION: The transconductor has first and second transistors which each have a first gate, a second gate, a source, and a drain, where the first gate and second gate can independently be controlled, a difference voltage input can be supplied between both first gates, sources are connected to each other, and a first control voltage can be supplied to both second gates in common, and both drains are differential current output terminals; third and fourth transistors which have connections similar to those of the first and second transistors, where polarities from differential voltage inputs to differential current output terminals are opposite to each other and both drains are connected to the drains of the first and second transistors; and a current source which is connected between both sources of the first and second transistors and between sources of the third and fourth transistors.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高线性度的节电型跨导体。解决方案：跨导体具有第一和第二晶体管，它们各自具有第一栅极，第二栅极，源极和漏极，其中第一栅极和第二栅极可以独立地被控制，在两个晶体管之间可以提供差分电压输入，两个第一栅极，源极彼此连接，并且第一控制电压可以共同地提供给两个第二栅极，并且两个漏极都是差分电流输出端子; 第三和第四晶体管具有类似于第一和第二晶体管的连接，其中差分电压输入到差分电流输出端的极性彼此相反，并且两个漏极连接到第一和第二晶体管的漏极; 以及电流源，其连接在第一和第二晶体管的两个源极之间以及第三和第四晶体管的源极之间。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4073152B2 Variable gain amplifier 有权
公开(公告)号：JP4073152B2
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：JP2000198192
申请日：2000-06-30
申请人：富士通株式会社
发明人：伸二齊藤
IPC分类号： H03G3/10 , H03F3/45 , H03G1/00 , H03G3/02
CPC分类号： H03G1/0023 , H03F3/45103 , H03F2203/45302 , H03F2203/45352 , H03F2203/45398 , H03F2203/45702

8. 发明专利

JP4068227B2 Low voltage cmos operational amplifier circuit and sample-and-hold circuit equipped with it 失效
公开(公告)号：JP4068227B2
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：JP21157298
申请日：1998-07-27
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：根淳姜 , 煕哲崔 , 棟映張 , 承勲李 , 裕美李
IPC分类号： H01L21/8234 , H03F3/45 , H01L27/088
CPC分类号： H03F3/45219 , H03F3/45654 , H03F2203/45398

9. 发明专利

JP2006238447A Variable amplifier and its use 有权
标题翻译：可变放大器及其使用
公开(公告)号：JP2006238447A
公开(公告)日：2006-09-07
申请号：JP2006045627
申请日：2006-02-22
申请人： Infineon Technologies Ag , インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト
发明人： SIMON MARTIN
IPC分类号： H03G3/10 , H04B1/04
CPC分类号： H03G1/0029 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/45188 , H03F3/45201 , H03F2200/372 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2203/45024 , H03F2203/45052 , H03F2203/45311 , H03F2203/45398 , H03F2203/45544 , H03G1/007
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the variable amplifier which can be suitably used for a radio frequency transmitter, a regulator structure having the variable amplifier and a use of the variable amplifier in a radio frequency transmission structure. SOLUTION: The variable amplifier amplifies a radio frequency input signal in response to a control signal. A current path is formed between a supply potential terminal VDD and a reference potential terminal GND. This current path includes an amplification transistor 1 and a cascade transistor 2. This cascade transistor 2 is connected with an input part VCTRL for supplying the control signal. An output of the variable amplifier is controlled by the cascade transistor 2. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供可适用于射频发射机的可变放大器，具有可变放大器的调节器结构和在射频传输结构中使用可变放大器。解决方案：可变放大器响应于控制信号放大射频输入信号。在电源电位端子VDD和参考电位端子GND之间形成电流通路。该电流路径包括放大晶体管1和级联晶体管2.该级联晶体管2与用于提供控制信号的输入部分VCTRL连接。可变放大器的输出由级联晶体管2控制。版权所有：（C）2006，JPO＆NCIPI

10. 发明专利

JP2015039087A 半導体集積回路装置および高周波電力増幅器モジュール审中-公开
标题翻译：半导体集成电路器件和高频功率放大器模块
公开(公告)号：JP2015039087A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2011277875
申请日：2011-12-20
申请人：株式会社村田製作所 , Murata Mfg Co Ltd
发明人： IIJIMA MASANORI , MORISAWA FUMIMASA
IPC分类号： H03F3/24 , H03F1/30 , H03F3/68
CPC分类号： H03F1/0233 , H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F3/45 , H03F3/45071 , H03F3/45183 , H03F3/45475 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/27 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/429 , H03F2200/528 , H03F2200/78 , H03F2203/45112 , H03F2203/45398 , H03F2203/45528 , H03F2203/45542 , H03F2203/45594 , H03F2203/45601 , H03F2203/45622 , H03F2203/45674 , H03F2203/45726 , H03F2203/7206 , H03F2203/7209 , H03F2203/7236 , H03G1/0088
摘要：【課題】送信電力特性のばらつきを低減可能な半導体集積回路装置および高周波電力増幅器モジュールを提供する。【解決手段】例えば、バンドギャップリファレンス回路BGRと、レギュレータ回路VREGと、これらの間に設けられ、ユニティ・ゲイン・バッファBFを含んだ基準電圧補正回路VREFCTL1とを備え、VREFCTL1によってBGRからのバンドギャップ電圧Vbgのばらつきを補正する。VREFCTL1は、それぞれ異なる抵抗値(Rr1〜Rr3)を持つ第1〜第3抵抗経路を備え、BFの出力電圧を反映した電流(I2)を第1〜第3抵抗経路のいずれか1個に選択的に供給することで補正を行う。この際の選択は、ボンディングワイヤBWを端子REF1〜REF3のいずれか1個に接続することで行う。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供减少传输功率特性变化的半导体集成电路器件和高频功率放大器模块。解决方案：半导体集成电路器件例如包括带隙基准电路BGR，调节器电路 VREG和设置在它们之间并包括单位增益缓冲器BF的参考电压校正电路VREFCTL1，并且VREFCTL1校正来自BGR的带隙电压Vbg的变化。 VREFCTL1包括具有不同电阻值（Rr1-Rr3）的第一至第三电阻路径，并且通过选择性地将反映BF的输出电压的电流（I2）提供给第一至第三电阻路径中的任何一个来执行校正。通过将接合线BW连接到端子REF1-REF3中的任何一个来进行选择。

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