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1. 发明专利

JP2015177328A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177328A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014051997
申请日：2014-03-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：宮沢繁美
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/08
CPC分类号： H01T15/00 , F02P3/0435 , H01T1/15 , H03K17/04206 , F02P3/0552
摘要：【課題】ノイズ耐量を確保しつつ従来よりもスイッチング速度を高速化可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、パワー半導体素子と、パワー半導体素子のゲート端子に接続されるゲートプルダウン回路と、入力端子とパワー半導体素子のゲート端子との間に接続されたゲート抵抗と、を備え、ゲートプルダウン回路は、入力端子に入力される信号がローレベルであるときにパワー半導体素子のゲート容量から電荷を引き抜く定電流回路を有することを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种与过去相比可以获得更高的开关速度的半导体器件，同时确保抗噪声性。本实施例的半导体器件包括：功率半导体元件，栅极下拉电路，连接到功率半导体元件的栅极端子和连接到功率半导体元件的输入端子和栅极端子之间的节点的栅极电阻，其中栅极下拉电路具有用于从栅极电荷的栅极电容提取电荷的恒定电流电路当输入到输入端子的信号处于低电平时，功率半导体元件。

2. 发明专利

JP6291929B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6291929B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014051997
申请日：2014-03-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：宮沢繁美
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/08
CPC分类号： H01T15/00 , F02P3/0435 , F02P3/0552 , H01T1/15 , H03K17/04206

3. 发明专利

JP2012142273A Device and method for circuit protection 有权
标题翻译：用于电路保护的装置和方法
公开(公告)号：JP2012142273A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：JP2011273959
申请日：2011-12-15
申请人： General Electric Co , ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人： DANIEL EDWARD DELFINO , BUCCI DAVID VINCENT , AARON ENGEL , WILLIAM LADNER
IPC分类号： H01T1/15
CPC分类号： H01T1/15 , H01T4/04 , H01T21/00 , Y10T29/49826
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for diverting energy away from an arc flash occurring within an electrical power system.SOLUTION: The device comprises an arc source configured to create a second arc flash, a plasma gun configured and disposed to inject plasma in proximity of said arc source in response to the arc flash, an arc containment device configured and disposed to house said arc source and said plasma gun, said arc containment device comprising a cover configured and disposed to cover said arc source and said plasma gun, said cover comprising an inner surface and an outer surface, said inner surface being proximal to said arc source and said plasma gun, and said inner surface including an insulating ceramic plasma spray coating.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于将能量转移离开在电力系统内发生的电弧闪光的装置。解决方案：该装置包括被配置为产生第二电弧闪光的电弧源，等离子体枪，其配置和设置成响应于电弧闪光而在所述电弧源附近注入等离子体;电弧容纳装置，被配置和设置成容纳所述电弧源和所述等离子体枪，所述电弧容纳装置包括构造和设置为覆盖所述电弧源和所述等离子体枪的盖，所述盖包括内表面和外表面，所述内表面靠近所述电弧源和所述电弧源等离子体枪，并且所述内表面包括绝缘陶瓷等离子体喷涂。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP5874743B2 ESD保護装置有权
标题翻译： ESD保护器件
公开(公告)号：JP5874743B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2013556352
申请日：2013-01-24
申请人：株式会社村田製作所
发明人：大坪喜人
IPC分类号： H01T1/15 , H01T2/02 , H01T4/12
CPC分类号： H01T1/15 , H01T4/12 , H05K1/026

5. 发明专利

JP5865049B2 回路保護のための装置および方法有权
标题翻译：装置和方法的电路保护
公开(公告)号：JP5865049B2
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：JP2011273959
申请日：2011-12-15
申请人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人：ダニエル・エドワード・デルフィーノ , デイヴィッド・ヴィンセント・ブッチ , アーロン・インジェル , ウィリアム・ラドナー
IPC分类号： H01T2/02 , H01T1/15
CPC分类号： H01T1/15 , H01T21/00 , H01T4/04 , Y10T29/49826

6. 发明专利

JP2011504281A Arrester with a thermal overload protection 审中-公开
公开(公告)号：JP2011504281A
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：JP2010534442
申请日：2008-11-10
申请人：エプコスアクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag
发明人：チマーマン、ゲロ , ボバート、ペーター , モルシネック、ライナー
IPC分类号： H01T4/12 , H01T1/02 , H01T4/10
CPC分类号： H01T1/15
摘要：本発明は、少なくとも２つの電極１を有する避雷器に関する。電極１のうち、少なくとも１つは、通気路２を有する。避雷器の内部領域は、通気路２を介して、避雷器の外部領域へ接続されている。ここで、通気路２は、可溶部３を用いることによって閉じられている。可溶部は、好ましくは、避雷器の外部領域に面している通気路の終端に、配置される。
【選択図】図１

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