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1. 发明专利

JP2013098534A Multi-junction photodiode in application of molecular detection and discrimination and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：应用分子检测和鉴定的多结点光电子体及其制造方法
公开(公告)号：JP2013098534A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：JP2012170866
申请日：2012-08-01
申请人： Ti-Shiue Biotech Inc , 體學生物科技股▲ふん▼有限公司Ti−Shiue Biotech, Inc.
发明人： TSAI CHIUN-LUNG , HUANG JUI-FENG , XU MIEN-FANG , CHEN ZHI YANG
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/111 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L31/035281
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-junction photodiode in application of molecular detection and discrimination, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A multi-junction photodiode provides a semiconductor device including a substrate having first conductive type dopants, an epitaxy layer having the first conductive type dopants, a deep well region having second conductive type dopants, a first well region having the first conductive type dopants, a second well region having the second conductive type dopants, a third well region having the first conductive type dopants, and a first dope region having the second conductive type dopants. The epitaxy layer is disposed on the substrate, and the deep well region is disposed in the epitaxy layer. The first well region having three sides connected to the epitaxy layer is disposed in the deep well region. The second well region is disposed in the first well region. The third well region having three sides connected to the epitaxy layer is disposed in the second well region. The first dope region is disposed in the third well region.
摘要翻译：要解决的问题：提供应用分子检测和鉴别的多结光电二极管及其制造方法。解决方案：多结光电二极管提供半导体器件，其包括具有第一导电类型掺杂剂的衬底，具有第一导电类型掺杂剂的外延层，具有第二导电类型掺杂剂的深阱区，具有第一导电类型掺杂剂的第一阱区，具有第二导电型掺杂剂的第二阱区，具有第一导电型掺杂剂的第三阱区，以及具有第二导电型掺杂剂的第一掺杂区。外延层设置在基板上，深孔区域设置在外延层中。具有连接到外延层的三边的第一阱区域设置在深阱区域中。第二阱区设置在第一阱区中。具有连接到外延层的三边的第三阱区域设置在第二阱区域中。第一涂料区域设置在第三阱区域中。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JPS59105380A Photosensitive solid-state oscillation element 失效
标题翻译：光敏固体振荡元件
公开(公告)号：JPS59105380A
公开(公告)日：1984-06-18
申请号：JP21488682
申请日：1982-12-08
申请人： Matsushita Electric Works Ltd , Matsushita Electronics Corp
发明人： YAMATO TOSHIYA , KONNO TOSHIMITSU , NAGATO YUKIHARU , KANEKO CHIYUUKEI , ABE TOSHIROU
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0236 , H01L31/111
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/111 , Y02E10/50
摘要： PURPOSE:To increase the substantial photo receiving area and reduce the chip area by a method wherein the photo receiving surface of a photosensitive solid- state oscillation element which operates by oscillation by light irradiation is formed into wave form or uneven form. CONSTITUTION:The photo receiving area is increased by changing the surfaces of an N type grown layer 2 and a P type diffused layer 3, i.e., the photo receiving surface of the photosensitive solid-state oscillation element into a wave form. The form of this photo receiving surface can be in irregular unevenness. From the point that the photo receiving area increases, the light reaching the photo receiving surface from a light source is well absorbed to the surface, photosensitivity more improves than in the case that the photo receiving surface is a plane, and the oscillation is disclosed with a small amount of light. On the other hand, if the amount of light is the same, the element oscillates at a high frequency.
摘要翻译：目的：通过其中通过光照射的振荡操作的光敏固态振荡元件的光接收表面形成波形或不均匀形式的方法来增加实质的光接收面积并减小芯片面积。构成：通过将N型生长层2和P型扩散层3的表面，即光敏固体振荡元件的光接收表面改变成波形来增加光接收面积。这种照片接收表面的形式可以是不规则的不均匀性。从光接收面积增加的角度来看，从光源到达光接收表面的光被表面吸收良好，光敏性比在光接收面是平面的情况下更加改善，并且振荡被公开于少量的光。另一方面，如果光量相同，则元件以高频率振荡。

3. 发明专利

JP2015222810A 光センサおよびその製造方法有权
标题翻译：相机的光电传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP2015222810A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：JP2015089786
申请日：2015-04-24
申请人：體學生物科技股▲ふん▼有限公司
发明人：遊騰健
IPC分类号： H01L31/10 , G01N21/64 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/111 , G01N21/648 , G01N21/7703 , G02B6/4204 , H01L31/00 , H01L31/02327 , G01N2021/7716 , G01N2021/7786
摘要：【課題】光損失の減少した光センサを提供する。【解決手段】光センサ100は、導波路領域200と、光検出領域55とを含む。導波路領域200は、入射光8を導くように構成される。光8は、挿入部分20から伝わり、導波路部分27の中を伝わる。光8のエバネセント波が、コア層27の上の検体231と結合する。光8のエバネセント波に対応して、検体231は、光81、82、および83の異なった波長の蛍光光を放射する。光検出領域55は、多重接合フォトダイオード552、554、557を有する。光検出領域55は、光81、82、および83を検出する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供降低光损耗的光电传感器。解决方案：光电传感器100包括波导区域200和光电检测区域55.波导区域200被构造成引导入射光8.光8从插入部分20并在波导部分27内传播。光8的ev逝波与核心层27上的样本231组合。根据光8的消逝波，样本231辐射荧光81,82 ，和83个波长不同。光检测区域55具有多个结光电二极管552,554和557，并检测光81,82和83。

4. 发明专利

JPS6193681A Semiconductor device 失效
公开(公告)号：JPS6193681A
公开(公告)日：1986-05-12
申请号：JP11629285
申请日：1985-05-29
申请人： Max Planck Gesellschaft
发明人： KURAUSU BURUUKU , YOSHIJI HORIKOSHI
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/111
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L31/035263 , H01L31/111

5. 发明专利

JPWO2018012076A1 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ有权
公开(公告)号：JPWO2018012076A1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017015832
申请日：2017-04-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小川新平 , 藤澤大介 , 嶋谷政彰 , 奥田聡志
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/111
摘要：グラフェン層に入射した電磁波を光電変換して検出する電磁波検出器が、表面と裏面とを有する基板と、基板の表面上に設けられた下部絶縁層と、下部絶縁層の上に設けられた、強誘電体層、および強誘電体層を挟んで対向配置された一対の電極と、強誘電体層の上に設けられた上部絶縁層と、下部絶縁層および上部絶縁層の上に、2つの電極を接続するように設けられたグラフェン層とを含み、または下部絶縁層の上に設けられたグラフェン層と、グラフェン層の上に、上部絶縁層を介して設けられた強誘電体層、および該強誘電体層を挟んで対向配置された一対の電極とを含み、下部絶縁層と反対側のグラフェン層の表面が電磁波入射面であり、電磁波により強誘電体層の分極値が変化し、グラフェン層に電圧が印加される。

6. 发明专利

JP6297233B1 電磁波検出器及び電磁波検出器アレイ有权
公开(公告)号：JP6297233B1
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2017549108
申请日：2017-04-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：小川新平 , 藤澤大介 , 嶋谷政彰 , 奥田聡志
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/111
摘要：グラフェン層に入射した電磁波を光電変換して検出する電磁波検出器が、表面と裏面とを有する基板と、基板の表面上に設けられた下部絶縁層と、下部絶縁層の上に設けられた、強誘電体層、および強誘電体層を挟んで対向配置された一対の電極と、強誘電体層の上に設けられた上部絶縁層と、下部絶縁層および上部絶縁層の上に、2つの電極を接続するように設けられたグラフェン層とを含み、または下部絶縁層の上に設けられたグラフェン層と、グラフェン層の上に、上部絶縁層を介して設けられた強誘電体層、および該強誘電体層を挟んで対向配置された一対の電極とを含み、下部絶縁層と反対側のグラフェン層の表面が電磁波入射面であり、電磁波により強誘電体層の分極値が変化し、グラフェン層に電圧が印加される。

7. 发明专利

JP6042482B2 光センサおよびその製造方法有权
标题翻译：光传感器及其制造方法
公开(公告)号：JP6042482B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2015089786
申请日：2015-04-24
申请人：體學生物科技股▲ふん▼有限公司
发明人：遊騰健
IPC分类号： H01L31/10 , G01N21/64 , H01L31/0232
CPC分类号： H01L31/111 , G01N21/648 , G01N21/7703 , G02B6/4204 , H01L31/00 , H01L31/02327 , G01N2021/7716 , G01N2021/7786

8. 发明专利

JP5427928B2 Molecular detection and multi-junction photodiode be applied to identification, and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5427928B2
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：JP2012170866
申请日：2012-08-01
申请人：體學生物科技股▲ふん▼有限公司Ti−Shiue Biotech, Inc.
发明人：俊瓏蔡 , 瑞峰黄 , 明芳許 , 至揚陳
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/111 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L31/035281

9. 发明专利

JP5254222B2 Light sensor and ambient light sensor 有权
公开(公告)号：JP5254222B2
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：JP2009514586
申请日：2007-10-04
申请人：シャープ株式会社
发明人：ジェームズハドウェンベンジャミン , ジェームズブラウンクリストファー
IPC分类号： H01L31/10 , G02F1/133
CPC分类号： G01J1/44 , G01J1/1626 , G01J1/4204 , G09G3/3406 , G09G2360/144 , H01L31/105 , H01L31/111

10. 发明专利

JP2010506141A Light sensor and ambient light sensor 有权
公开(公告)号：JP2010506141A
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：JP2009514586
申请日：2007-10-04
申请人：シャープ株式会社
发明人：ジェームズブラウンクリストファー , ジェームズハドウェンベンジャミン
IPC分类号： G01J1/44 , G01J1/02 , G01J1/42 , G02F1/133 , H01L31/10
CPC分类号： G01J1/44 , G01J1/1626 , G01J1/4204 , G09G3/3406 , G09G2360/144 , H01L31/105 , H01L31/111
摘要：【課題】信号対雑音比を向上する。
【解決手段】光センサを動作させる方法であって、直列に接続されたｎ個（ｎ＞１）の光検知素子８を備える光センサ１２にバイアス電圧を印加するステップと、光センサ１２への印加バイアス電圧によって、光センサ１２がその信号対雑音比が最高となる点またはそれに近い点に保たれている時に、光センサ１２に流れる電流を測定するステップとを含む方法。この方法は、光センサ１２への印加バイアス電圧が、ｎ×Ｖ
ｂｉ（暗状態で、その電圧付近で光検知素子８の一つに流れる電流の符号が変化するバイアス電圧；光検知素子８がフォトダイオードである実施形態ではフォトダイオードの「ビルトイン」電圧）に等しいまたはほぼ等しい時に、光センサ１２に流れる電流を測定することによって、容易に実行できる。直列に接続されたｎ個のフォトダイオードが照射されたときに生成される光電流は一つのフォトダイオードが照射されたときに生成される光電流とほぼ等しいが、直列に接続されたｎ個のフォトダイオードの漏洩電流（暗電流）は一つのフォトダイオードの漏洩電流よりも著しく低いので、信号対雑音比が顕著に向上する。
【選択図】図９

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