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1. 发明专利

JP2011222874A Semiconductor wafer, photo detector, photo detector array, hybrid type detector device, optical sensor device, and manufacturing method of semiconductor wafer 有权
标题翻译：半导体波片，图像检测器，图像检测器阵列，混合型检测器件，光学传感器器件和半导体波形的制造方法
公开(公告)号：JP2011222874A
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：JP2010092523
申请日：2010-04-13
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： MORI DAIKI , INOGUCHI YASUHIRO , INADA HIROSHI , NAGAI YOICHI , MIURA KOHEI , NAKAHATA HIDEAKI , AKITA KATSUSHI , ISHIZUKA TAKASHI , FUJII KEI
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/03046 , B82Y20/00 , H01L27/1446 , H01L27/1467 , H01L31/035236 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photo detector and the like, an optical sensor device, and a manufacturing method of semiconductor wafer, which have high photosensitivity in a near infrared region.SOLUTION: There are included an InP substrate 1, a light receiving layer 3 of an MQW located over the InP substrate, a contact layer 5 located over the light receiving layer, a p-type region 6 reaching from a surface of the contact layer down to the light receiving layer, and a p-side electrode 11 having an ohmic contact with the p-type region. The MQW has a laminate structure in which an InGaAs (0.38≤x≤0.68) layer and a GaAsSb(0.25≤y≤0.73) layer are coupled, and an Sb composition y in a part of the InP substrate side is larger than an Sb composition y in a part of its opposite side in the GaAsSblayer.
摘要翻译：要解决的问题：提供在近红外区域具有高光敏性的光电检测器等，半导体晶片的光学传感器装置和制造方法。解决方案：包括InP衬底1，位于InP衬底上的MQW的光接收层3，位于光接收层上的接触层5，从该表面到达的p型区域6 接触层向下延伸到光接收层，以及与p型区域具有欧姆接触的p侧电极11。 MQW具有层叠结构，其中，在（SBB =“POST”> 1-x As（0.38≥x≥0.68）层和将Sb 1-y （0.25≥y≥0.73）层耦合，Sb组分y InP衬底侧比在GaAs y Sb 的相对侧的一部分中的Sb组分y大层。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2012202826A Thermal infrared solid state image sensing device and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：热红外固体状态图像感测装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2012202826A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011067719
申请日：2011-03-25
申请人： Nec Corp , 日本電気株式会社
发明人： TOYAMA SHIGERU
IPC分类号： G01J1/02 , H01L27/144
CPC分类号： G01J5/12 , G01J5/024 , G01J2005/068 , H01L27/1467 , H01L31/1876
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermal infrared solid state sensing device with a reference device which allows a sacrifice layer to remain even having a slit forming a light receiving part without causing the accuracy deterioration of a resist mask pattern, having high drift suppressing accuracy due to the light shielding effect and the heat transfer effect of the reference device; and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A reference device having an insulation film including a thermoelectric transducer therein, with a slit forming a light receiving device opened through to a sacrifice layer, is provided with a film of conductive material which covers a light receiving part and the slit and a protection film thereon. The film of conductive material and the protection film enter the inside of the slit along the side wall of the slit, allowing a cavity to remain inside the slit. Consequently, the residual stress of the insulation film is maintained in a uniform state for the light receiving device and the reference device, without causing the accuracy deterioration of a resist mask pattern due to focus deviation. The light shielding effect on the incident infrared rays and the heat transfer effect for efficient heat removal are thus enhanced, resulting in higher drift suppressing accuracy.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有参考装置的热红外固体感测装置，其允许牺牲层保持甚至具有形成光接收部分的狭缝，而不会导致具有高的抗蚀剂掩模图案的精度劣化由于参考装置的遮光效果和传热效果引起的漂移抑制精度; 及其制造方法。解决方案：具有在其中具有热电换能器的绝缘膜的参考装置设置有覆盖光接收部分和狭缝的导电材料膜，狭缝形成通向牺牲层的光接收装置和其上的保护膜。导电材料膜和保护膜沿着狭缝的侧壁进入狭缝的内部，允许空腔保持在狭缝内。因此，绝缘膜的残余应力对于光接收装置和参考装置保持在均匀的状态，而不会由于聚焦偏移而导致抗蚀剂掩模图案的精度劣化。因此，对入射红外线的遮光效果和有效散热的传热效果提高，导致漂移抑制精度更高。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2004529359A Apparatus and method for providing a snapshot operation heat the infrared imaging in the automated process control article test application 审中-公开
公开(公告)号：JP2004529359A
公开(公告)日：2004-09-24
申请号：JP2002591808
申请日：2002-05-21
申请人：プレスコテクノロジーインコーポレーテッドPressco Technology Inc.
发明人：コクラン，ドン，ダブリュー． , セック，スティーブン，ディー．
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01N21/88 , G01J2005/0077 , G01N21/89 , G01N25/72 , G01N2021/845 , H01L27/1467 , H04N5/33
摘要：本発明は、自動化されたプロセス制御物品検査アプリケーションの中でスナップショット動作熱赤外線イメージングを提供するための装置および方法に関する。より詳細には、それは、熱電気冷却手段と矛盾のない温度における相対的に低コストの良好な測定感度、およびスナップショットモードで動作される能力が、鉛塩ベースの画像取得センサー（２０）が種々の自動化されたプロセス制御および物品検査アプリケーションに使用されることを可能とする高速機械視覚検査システム（１２）におけるイメージングフロントエンドとしてのスナップショットモード鉛塩エリアアレイイメージングセンサー（２０）の使用に関係する。

4. 发明专利

JP5708122B2 熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法有权
标题翻译：热式红外线固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5708122B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011067719
申请日：2011-03-25
申请人：日本電気株式会社
发明人：遠山茂
IPC分类号： H01L27/144 , G01J1/02
CPC分类号： G01J5/12 , G01J5/024 , H01L27/1467 , G01J2005/068 , H01L31/1876

5. 发明专利

JP2015056700A 撮像素子、撮像装置および半導体装置审中-公开
标题翻译：成像装置，成像装置和半导体装置
公开(公告)号：JP2015056700A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013187658
申请日：2013-09-10
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： HIGASHI YUSUKE , MARUGAME TAKAO , NOGUCHI HIROKI , MITANI YUICHIRO , SAITO MASUMI
IPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/341 , H04N5/376
CPC分类号： H04N5/37452 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1467 , H01L27/14689 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H04N5/3765 , H04N5/378
摘要：【課題】画像処理を高速に行うことを可能にする。【解決手段】実施形態にかかる撮像素子は、複数の受光素子と、前記複数の受光素子にそれぞれ接続された複数の走査回路と、それぞれ第1の配線から分岐して前記複数の走査回路のいずれかに接続された複数の第2の配線と、前記第1の配線と前記複数の第2の配線とが形成する複数の分岐点のうち隣接する分岐点間に電気的に介在するように前記第1の配線上に設けられた少なくとも1つの可変抵抗素子とを備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：能够高速执行图像处理。解决方案：一种成像装置，包括：多个光接收元件; 连接到所述多个光接收元件中的每一个的多个扫描电路; 多个第二布线，从第一布线分支并连接到所述多个扫描电路中的任一个; 以及至少一个可变电阻元件，设置在第一布线上，以便电插入由第一布线和多条第二布线形成的多个分支点的相邻分支点之间。

6. 发明专利

JP2009109511A Device and method for providing snapshot action thermal infrared imaging within automated process control article inspection application 审中-公开
标题翻译：在自动化过程控制中提供快速动作热红外成像的装置和方法文章检查应用
公开(公告)号：JP2009109511A
公开(公告)日：2009-05-21
申请号：JP2008329777
申请日：2008-12-25
申请人： Pressco Technology Inc , プレスコテクノロジーインコーポレーテッドPressco Technology Inc.
发明人： COCHRAN DON W , CECH STEVEN D
IPC分类号： G01N25/72
CPC分类号： G01N21/88 , G01J2005/0077 , G01N21/89 , G01N25/72 , G01N2021/845 , H01L27/1467 , H04N5/33
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and method for providing snapshot action thermal infrared imaging within automated process control article inspection applications. SOLUTION: A snapshot mode-operated lead salt-based image acquisition sensor 20 which is relatively low-cost and has good measurement sensitivity at temperatures consistent with thermoelectric cooling means, is used for various automated process control and article inspection applications, thus enabling a high-speed machine visual inspection system 12. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在自动化过程控制物品检查应用中提供快照动作热红外成像的设备和方法。
解决方案：用于各种自动化过程控制和物品检查应用的快照模式操作的基于铅盐的图像采集传感器20，其相对低成本且在与热电冷却装置一致的温度下具有良好的测量灵敏度，因此实现高速机器目视检查系统12.版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2018040791A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018040791A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017165876
申请日：2017-08-30
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：保坂肇 , 新田嘉一 , 奥村健市 , 助川俊一
IPC分类号： G01J1/42 , G01K7/01 , G01K7/18 , G01K7/22 , H04N5/369 , H04N5/33 , G01J5/48
CPC分类号： G01J1/02 , G01J1/44 , G01J5/48 , H01L27/14634 , H01L27/1467 , H01L27/1469 , H04N5/225 , H04N5/33 , H04N5/369
摘要：【課題】温度検出素子において空所を高い精度で設けることを可能とする構成、構造を有する撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置は、第1構造体20及び第2構造体40から構成されており;第1構造体20は、第1基板21、第1基板21に形成され、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子15、駆動線72及び信号線71を備えており;第2構造体40は、第2基板41、及び、第2基板41に設けられ、被覆層43によって被覆された駆動回路を備えており;第1基板21は被覆層43と接合されており、温度検出素子15と被覆層43との間には空所50が設けられており、駆動線72及び信号線71は、駆動回路と電気的に接続されている。【選択図】図1

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