基本信息:
- 专利标题： Silicon carbide dimpled substrate
- 专利标题（中）：硅碳化硅基板
- 申请号：JP2013098691 申请日：2013-05-08
- 公开(公告)号：JP2013219365A 公开(公告)日：2013-10-24
- 发明人： HARRIS CHRISTOPHER , CEM BASCERI , GOERKE THOMAS , CENGIZ BALKAS
- 申请人： Cree Inc , クリー インコーポレイテッドCree Inc.
- 专利权人： Cree Inc,クリー インコーポレイテッドCree Inc.
- 当前专利权人： Cree Inc,クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ．
- 优先权： US75748106 2006-01-10
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/3205 ; H01L21/329 ; H01L21/768 ; H01L29/161 ; H01L29/201 ; H01L29/41 ; H01L29/47 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L29/872 ; H01L33/00 ; H01L33/20 ; H01L33/32 ; H01L33/38
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dimpled substrate including a substrate of high thermal conductivity having a first main surface and a second main surface opposite the first main surface, and a method of manufacturing the dimpled substrate.SOLUTION: Active epitaxial layers 16 are formed on the first main surface 12 of the substrate 10. Dimples 22 are formed to extend from the second main surface 14 into the substrate toward the first main surface. An electrical contact 24 of low resistance material is formed on the second main surface and within the dimples. A back contact of low resistance and low loss is thus formed while maintaining the substrate as an effective heat sink.
摘要（中）：
要解决的问题：提供一种包括具有第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面的具有高导热性的基板的凹坑基板，以及制造该凹凸基板的方法。解决方案：形成有源外延层16 在基板10的第一主表面12上形成凹部22，从第二主表面14延伸到基板朝向第一主表面。 低电阻材料的电触点24形成在第二主表面和凹坑内。 因此，在保持基板作为有效散热器的同时形成低电阻和低损耗的背接触。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |