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1. 发明专利

JP6291341B2 基台をクリーニングする方法、半導体ウエハの熱処理方法、及び固体撮像装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6291341B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014098887
申请日：2014-05-12
申请人：キヤノン株式会社
发明人：小川俊之 , 浮ケ谷信貴
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/146 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67109 , B08B7/0071 , H01L21/02054 , H01L21/67051 , H01L21/68757

2. 发明专利

JP2013031842A Method of surface treatment and surface-treated article 有权
标题翻译：表面处理和表面处理制品的方法
公开(公告)号：JP2013031842A
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：JP2012187000
申请日：2012-08-27
申请人： Mitsubishi Rayon Co Ltd , 三菱レイヨン株式会社 , Ehime Univ , 国立大学法人愛媛大学
发明人： UENISHI MICHIHARU , NOMURA NOBUFUKU , TOYODA HIROMICHI
IPC分类号： B01J19/08 , B08B3/08 , B08B7/00 , C03C23/00 , C04B41/80 , H01L21/306 , H01M8/02 , H01M8/10
CPC分类号： B01D65/02 , A61L2/14 , B01D2321/2075 , C23G5/00 , H01L21/02054 , H01L21/02315 , H01L21/3065 , H05H1/00 , H05H1/24
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of surface treatment for decomposing or removing organic matter such as stains adhering to an article with suppressed damages on the article without scattering in the air, a method of surface treatment for etching the article surface while suppressing damages on the article, a scarcely damaged article by washing the surface to a high extent, and a scarcely damaged article by etching the surface.SOLUTION: The method surface treatment is a method surface treatment for removing organic matters from a material having a contact angle of 90 degree or less to water by bringing plasma generated in steam bubbles in a water-containing liquid into contact with the organic matter adhering to the material in the liquid; or an etching method for etching the surface of a material having a contact angle of 90 degree or less to water by bringing plasma generated in steam bubbles in a water-containing liquid into contact with the material without breaking the material.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面处理方法，用于分解或除去粘附在物品上的有机物质，对制品的损伤受到抑制而不会飞散在空气中，表面处理方法用于蚀刻物品表面同时通过蚀刻表面来抑制物品的损坏，通过将表面洗涤很大程度的几乎不被损坏的物品和几乎不被损坏的物品。解决方案：方法表面处理是通过使含水液体中产生的等离子体在含水液体中与有机物接触而从具有90度以下接触角的材料除去有机物的方法表面处理物质粘附在液体中的物质; 或蚀刻方法，通过使含水液体中产生的蒸汽气泡产生的等离子体与材料接触而使材料的接触角为90度以下的材料的表面蚀刻而不破坏材料。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2005509516A Apparatus and method for cleaning a glass substrate using a cold flame 审中-公开
公开(公告)号：JP2005509516A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：JP2003545420
申请日：2002-11-20
申请人：エイジェンシーフォーサイエンス, テクノロジーアンドリサーチAgency For Science,Technology And Research
发明人：サウ，ンゲンチェン， , テュティ，マリアナリム， , デイヴィッド，ティーリャン，
IPC分类号： B08B3/02 , B08B3/08 , B08B7/00 , C03B29/02 , C03C23/00 , H01J9/38 , H01J17/16 , H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02046 , B08B7/0071 , C03B29/025 , C03C23/0075 , H01L21/02054 , H01L21/67028 , Y10S438/906
摘要： Contaminants from surfaces of temperature sensitive substrates, such as glass substrates are removed by exposing the surfaces to a hydrogen Surface-mixed diffusion flame for a predetermined duration of time. The predetermined duration of time being insufficient to heat up the surfaces substantially thereby causing damage to the temperature sensitive substrates.

6. 发明专利

JP2017157746A 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017157746A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016041347
申请日：2016-03-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：稲富弘朗 , 岡村聡 , 枇杷聡
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/6704 , H01L21/67109 , H01L21/67742 , H01L21/67748 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/02054
摘要：【課題】基板処理容器内に搬入されるウエハ上の液体が乾燥することを防ぐ。【解決手段】基板処理装置3は、容器本体31Aと、この容器本体31A外方よりウエハWを容器本体31A内へ搬送し、処理中ウエハWを保持する保持部材42とを含む。容器本体41の外方にウエハWを支持する基板支持ピン49と、保持部材42を冷却する冷却板45が設けられている。【選択図】図5A

7. 发明专利

JP2016032063A 処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法有权
标题翻译：处理装置，处理方法和制造电子装置的方法
公开(公告)号：JP2016032063A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2014154807
申请日：2014-07-30
申请人：株式会社東芝
发明人：佐藤勝広 , 平林英明
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02057 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , B08B3/10
摘要：【課題】昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることができ、且つ、生産性の向上を図ることができる処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る処理装置は、複数の被処理物の表面に、第1の流動体を供給する第1の供給部と、前記第1の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、昇華性物質を含む流動体を供給する第2の供給部と、前記昇華性物質を含む流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、ガスを供給するガス供給部と、前記複数の被処理物のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層を昇華させる昇華部と、を備えている。前記ガス供給部は、前記複数の被処理物のそれぞれの表面における前記ガスの流速を制御することで、前記複数の被処理物のそれぞれの表面に形成される前記昇華性物質を含む層の厚みを制御する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够将包含升华材料的层的厚度设定为适当厚度并提高生产率的处理装置，处理方法和电子装置的制造方法。解决方案：根据实施例包括：第一供应单元，其将第一流体供应到多个工件的表面; 第二供应单元，其向包含第一流体的多个工件的表面提供含有可升华材料的流体; 向供给含有可升华材料的流体的多个工件的表面供给气体的气体供给单元; 以及升华单元，其升华包括形成在所述多个工件中的每一个的表面上的可升华材料的层。气体供给单元通过控制多个工件的表面上的气体的流量来控制包括形成在多个工件的表面上的可升华材料的层的厚度。图2：

8. 发明专利

JP5856112B2 太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP5856112B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2013163054
申请日：2013-08-06
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：イマン , クウォンジョンヒョ , リソングン , クウォンテヨン
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L21/02054 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/068 , Y02E10/52 , Y02E10/547

9. 发明专利

JP5177617B2 Oxide silicon thin film forming apparatus 有权
公开(公告)号：JP5177617B2
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：JP2006346861
申请日：2006-12-25
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：健仁小笹 , 俊英鎌田
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L27/1218 , H01L29/78603

10. 发明专利

JP4831216B2 Wafer surface treatment method 有权
公开(公告)号：JP4831216B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2009175226
申请日：2009-07-28
申请人：株式会社Sumco
发明人：宏明佐藤 , 茂奥内 , 基黒紙
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02054 , H01L21/02049

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