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1. 发明专利

JP4186727B2 switch 有权
公开(公告)号：JP4186727B2
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：JP2003184204
申请日：2003-06-27
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：邦彦中村 , 淑人中西 , 康幸内藤 , 紀智清水
IPC分类号： B81B3/00 , H01H59/00 , H01H49/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01G5/40 , H01H2001/0078 , H01H2059/0027
摘要： A switch comprises voltage applying means for providing direct current potentials to first to third beams arranged with a spacing slightly distant one from another, and electrodes for inputting/outputting signals to/from the beams. By controlling the direct current potential provided to the beam, an electrostatic force is caused to thereby change the beam positions and change a capacitance between the beams. By causing an electrostatic force between the first and second beams and moving the both beams, the first and second beams can be electrically coupled together at high speed. Also, an electrostatic force is caused on the third beam arranged facing to the first and second beams, to previously place it close to the first and second beams. When the electrostatic force is released from between the first and second beams, the second beam moves toward the third beam thereby releasing the first and second beams of an electric coupling.

2. 发明专利

JP4223246B2 Micro-relay and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4223246B2
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：JP2002232182
申请日：2002-08-08
申请人：富士通コンポーネント株式会社
发明人：裕文佐宗 , 英樹岩田 , 誉嗣柚場
IPC分类号： B81B3/00 , H01H59/00 , B81C1/00
CPC分类号： H01H2059/0027

3. 发明专利

JP4124428B2 Micro-relay 有权
公开(公告)号：JP4124428B2
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：JP2002232184
申请日：2002-08-08
申请人：富士通コンポーネント株式会社
发明人：裕文佐宗 , 英樹岩田 , 誉嗣柚場
IPC分类号： B81B3/00 , H01H59/00
CPC分类号： H01H2059/0027

4. 发明专利

JP2018198194A メタマテリアルコンタクトを備えるマイクロ電気機械スイッチ审中-公开
公开(公告)号：JP2018198194A
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2018042929
申请日：2018-03-09
申请人：シナジーマイクロウェーブコーポレーション , Synergy Microwave Corporation
发明人：シバン・ケイ・カウル , アジャイ・クマール・ポダー , ウルリッヒ・エル・ローデ
IPC分类号： B81B3/00 , H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01H1/0036 , H01H2001/0052 , H01H2001/0084 , H01H2001/0089 , H01H2059/0027 , H01H2205/004 , H01H2239/004 , H01H2239/018 , H01P1/127 , H01P1/2005
摘要：【課題】信号特性が改善され、張りつきを改善できるRF MEMSスイッチを提供する。【解決手段】本スイッチは、第1の接地面と第2の接地面との間にある、入力ポート及び出力ポートを有する信号線を備える。また、本スイッチは、スイッチの作動を制御するためのビームを有する。また本スイッチは、第1の接地面及び第2の接地面に形成された1つ以上の欠陥接地構造と、各欠陥接地構造の上方に各欠陥接地構造と対応して位置する第2可撓性ビームとを更に有する。また本スイッチは反発性カシミール力を生成するためのメタマテリアル構造を有する。【選択図】なし

5. 发明专利

JP2007521612A Micro-electro-mechanical devices and modules, as well as a method for manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2007521612A
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：JP2006516744
申请日：2004-06-23
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：ペーター、ヘー．ステーネケン , ヨーゼフ、テー．エム．ファン、ベーク
IPC分类号： H01H59/00 , B81B3/00 , H02N1/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01G5/40 , H01H2059/0027 , H01H2059/0045
摘要：本発明のＭＥＭＳ素子は、第１、第２、及び中間第３電極を有する。第２電極と第３電極とによって構成された切替可能コンデンサが入力と出力との間の信号経路内に設けられ、第１電極と第３電極とによって構成された切替可能コンデンサが信号経路とグランドとの間に設けられるので、ダイナミック・レンジが大きくなる。本発明のＭＥＭＳ素子は受動構成要素の回路網における集積に非常に適している。

6. 发明专利

JP2004071482A Micro-relay 有权
公开(公告)号：JP2004071482A
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：JP2002232184
申请日：2002-08-08
申请人： Fujitsu Component Ltd , 富士通コンポーネント株式会社
发明人： IWATA HIDEKI , YUZUBA YOSHITSUGU , SASO HIROFUMI
IPC分类号： B81B3/00 , H01H59/00
CPC分类号： H01H2059/0027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro-relay provided with an isolation characteristic and having excellent sealing capability. SOLUTION: This micro-relay is provided with: a first fixed board having a first fixed contact and a fixed electrode; a second fixed board having a second fixed contact and disposed oppositely to the first fixed board; and a movable plate disposed between the first and second boards. The movable plate includes a frame part and a movable part mounted movably with respect to the frame part. The frame part is enclosed and jointed between the first and second fixed board. The movable part is provided with a movable electrode facing to the fixed electrode and a movable contact at a position corresponding to the first and second fixed contacts, and moves between the first and second fixed boards based on electrostatic attraction force generated between the movable electrode and the fixed electrode. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

7. 发明专利

JP2016137565A 厚い可動膜を備えるMEMS構造体审中-公开
标题翻译：具有厚度可移动薄膜的MEMS结构
公开(公告)号：JP2016137565A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015249763
申请日：2015-12-22
申请人：デルフメムズエスエーエス
发明人：アンネ−ソフィロリエ , アントワーヌボナベル , カリムセグエニ
IPC分类号： B81B3/00 , H01H49/00 , H01H59/00 , H01G5/16 , B81C1/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B3/0051 , B81C1/00158 , H01H49/00 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81C2201/013 , H01H2059/0027 , H01H2059/0036 , H01H2227/004
摘要：【課題】動作の信頼性を向上させるMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】犠牲ベース層102上に第1膜層101を形成し、前記第1膜層上に第2膜層105を形成し、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備え、前記第1膜層の移動を制限するストッパ104を形成する。また、第1膜層と、前記第1膜層上に形成された第2膜層とを備える可動膜を備え、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備える。第1膜層は、従来用いられた均一な厚みの膜よりも薄いので膜の自由移動距離は減少し、それにより動作の信頼性が向上する。【選択図】図3e
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高操作可靠性的MEMS器件的制造方法。解决方案：在牺牲基层102上形成第一膜层101，在第一膜层上形成第二膜层105，第二膜层包括用于暴露第一膜层的侧部的侧凹部（R），并且形成用于限制第一膜层的移动的止动件104。设置具有形成在第一膜层上的第一膜层和第二膜层的可动膜，第二膜层包括用于暴露第一膜层侧面的侧凹部（R）。由于第一膜层比常规使用的厚度均匀的膜薄，所以膜的自由移动距离减小，从而提高了操作可靠性。图3e

8. 发明专利

JP2016129134A 多層膜を備えるMEMS構造体审中-公开
标题翻译：具有多层薄膜的MEMS结构
公开(公告)号：JP2016129134A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2015249801
申请日：2015-12-22
申请人：デルフメムズエスエーエス
发明人：ルノーロビン , ニコラロルフェリン , カリムセグエニ
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , B81B3/0086 , B81C1/00158 , H01H49/00 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81C2201/0188 , H01H2059/0027 , H01H2059/0036 , H01H2227/004
摘要：【課題】挿入損失を低減することが可能なMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチの製造方法を提供する。【解決手段】基板10上にポスト30,30’及び導電線40を形成するステップと、第1膜層60と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に第2膜層とを形成することを含む、ポスト及び導電線上に膜を形成するステップとを備える。また、基板上に形成されたポスト及び導電(伝送)線と、ポスト及び導電線上の膜とを備えるMEMSデバイス、特に、MEMSスイッチが提供される。膜は、第1膜層と、第1膜層が、第2膜層が第2膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、ポストの一つの上の領域、及び/又は、導電線上の領域の第1膜層上に形成された第2膜層とを含む。【選択図】図2a
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少插入损耗的MEMS器件，特别是MEMS开关的制造方法。解决方案：开关的制造方法包括：形成支柱30和30'的步骤以及导线 40; 以及在所述柱和所述导线上形成膜的步骤，所述导线包括通过所述导线的一个和/或所述区域在所述柱上的区域的第一膜层上形成第二膜层，以使所述区域第一膜层60和第一膜层不邻接并形成于形成有第二膜层和第二膜层的区域。提供了一种MEMS器件，其包括形成在衬底上的柱和导电（透射）线和柱上的膜和导线，特别是MEMS开关。该膜包括在导电线的一个和/或区域上形成在柱上的区域的第一膜层上的第二膜层，以便具有第一膜层和第一膜层的区域不邻接并形成到形成第二膜层和第二膜层的区域。选择图：图2a

10. 发明专利

JP2004111360A Switch 有权
公开(公告)号：JP2004111360A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：JP2003184204
申请日：2003-06-27
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： NAKANISHI YOSHITO , NAKAMURA KUNIHIKO , SHIMIZU NORITOMO , NAITO YASUYUKI
IPC分类号： B81B3/00 , H01H49/00 , H01H59/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01G5/40 , H01H2001/0078 , H01H2059/0027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a switch capable of reducing a response time and reducing a voltage being applied.
SOLUTION: A switch comprises voltage applying means for respectively providing direct current potentials to first to third beams 1 to 3 arranged with a spacing slightly distant one from another, and electrodes 4 to 9 for inputting/outputting AC signals to/from the respective beams. The positions of the respective beams 1 to 3 are changed by an electrostatic force so as to change a capacitance between the beams 1 to 3. By causing an electrostatic force between the first and second beams 1 and 2 and moving the both beams, the first and second beams 1 and 2 can be electrically coupled together at high speed. Also, an electrostatic force is caused on the third beam 3 arranged facing to the second beam 2, to previously place it close to the first and second beams 1 and 2. When the electrostatic force is released from between the first and second beams 1 and 2, the second beam moves toward the third beam thereby releasing the electric coupling of the first and second beams.
COPYRIGHT: (C)2004,JPO

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