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1. 发明专利

JP5647792B2 キャパシタ用容量絶縁膜の製造方法有权
标题翻译：一种用于制造电容器的电容绝缘膜的方法
公开(公告)号：JP5647792B2
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：JP2010009000
申请日：2010-01-19
申请人：ピーエスフォールクスコエスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. , ピーエスフォールクスコエスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.
发明人：正巳谷奥 , 正巳谷奥
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/085 , H01G4/1218 , H01L21/02186 , H01L21/02244 , H01L21/31683 , H01L28/40

2. 发明专利

JP2009512177A Multilayer thin film capacitor and its manufacturing method and apparatus 有权
公开(公告)号：JP2009512177A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008518029
申请日：2006-06-21
申请人：セヒャンインダストリアルカンパニーリミティッドSehyang Industrial Co., Ltd.
发明人：ハー，ジェホ
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12 , H01G4/33
CPC分类号： H01G4/06 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/085 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/306 , H01G13/00 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49144 , Y10T29/5313 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178
摘要：本発明は、複数個のスリットを有するシャドーマスクを備えた一つのマスクセットを用い、シャドーマスクと蒸着ソースとの間の蒸着角の設定により真空蒸着を行う。一旦作り出された真空状態にて、下部端子層、誘電層、内部電極層、及び上部端子層からなる多層薄膜キャパシタを一気に形成する。または、複数個のスリットを有するシャドーマスクをそれぞれ備え、互いに向き合うように設けられた上部及び下部マスクセットの相対的な移動により、スリットパターンを調節し、一旦作り出された真空状態にて、下部端子層、誘電層、内部電極層、及び上部端子層からなる多層薄膜キャパシタを一気に形成する。

3. 发明专利

JPS61131412A Manufacture of thin film capacitor 失效
公开(公告)号：JPS61131412A
公开(公告)日：1986-06-19
申请号：JP26095385
申请日：1985-11-20
申请人： Boierure Deiitaa
发明人： DEIITAA BOIERURE
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/08 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/085 , H01G4/306 , Y10S148/014 , Y10S148/093

5. 发明专利

JP2017172042A 誘電体膜および電子部品审中-公开
公开(公告)号：JP2017172042A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2017040107
申请日：2017-03-03
申请人： TDK株式会社
发明人：内山弘基 , 政岡雷太郎 , 藤井祥平 , 城川眞生子
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/12 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： C01F11/02 , C01F5/02 , C04B35/03 , C04B35/04 , C04B35/057 , C04B35/486 , C04B35/62218 , C23C14/082 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01G4/085 , H01G4/10 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02175 , H01L21/02194 , H01L21/02266 , H01L28/55 , C01P2002/74 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3255 , C04B2235/3284 , C04B2235/762
摘要：【課題】高い比誘電率とQ値、および絶縁破壊電圧を有する誘電体膜およびその誘電体組成物を用いた電子部品を提供することを目的とすること。【解決手段】NaCl型結晶構造を有するアルカリ土類金属酸化物を主成分とする誘電体膜において、前記誘電体膜は面直方向に(111)配向した柱状構造を有し、前記誘電体膜のCu−KαX線回折チャートにおいて、(111)の回折ピークの半値幅が0.3°〜2.0°であることを特徴とする誘電体膜。【選択図】図1

6. 发明专利

JP4882457B2 Thin film capacitor and a semiconductor device having the same 有权
公开(公告)号：JP4882457B2
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：JP2006100595
申请日：2006-03-31
申请人：富士通株式会社
发明人：ディビットベニキジョン , 健司塩賀 , 和明栗原
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/55 , H01G4/085 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L27/10852 , H01L27/11507
摘要： A thin film capacitor comprising a top electrode, a bottom electrode, and a dielectric film held between the top and bottom electrodes. The dielectric film is composed of at least cations Ba, Sr, and Ti and anion O. The concentration of Sr, Ti, and O ions are uniform along the growth direction of the dielectric film while the concentration of the Ba cation is non-uniform along the growth direction such that a reduced Ba-I region in which the average concentration of perovskite type Ba cations (Ba-I) is less than the average concentration of non-perovskite type Ba cations (Ba-II) exists at or near the boundary between at least one of the top and bottom electrodes, with ratio R=(atm % Ba-I)/[(atm % Ba-I)+(atm % Ba-II)] within a range of 0.1

7. 发明专利

JP2010518645A Evaporation method for forming a metal-containing layer on a substrate 有权
公开(公告)号：JP2010518645A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2009549656
申请日：2008-01-25
申请人：マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：スマイズ，ジョン , スリニバサン，バスカー
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/18 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01G4/085 , H01G4/1227 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31691
摘要：本明細書に記載の原子層堆積法は、基板上に金属含有層を形成するために有利に使用され得る。例えば、本明細書に記載の特定の方法は、高誘電率の層をもたらし得る、低炭素含有量（例えば低炭酸ストロンチウム含有量）を持つチタン酸ストロンチウム層を形成し得る。

8. 发明专利

JP2008091693A Semiconductor device, and its manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2008091693A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2006271900
申请日：2006-10-03
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMAZAKI SOICHI , YAMAKAWA KOJI
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11507 , H01G4/085 , H01G4/33 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reliability semiconductor device which lowers the coercive electric field of a ferroelectric capacitor, and to provide a manufacturing method for such a semiconductor device.
SOLUTION: The semiconductor device includes insulating films 207 to 210 attached on a semiconductor substrate 201, bottom contacts 211 and 213 formed on the insulating films, a first bottom electrode 215 formed on and connected to the bottom contact, a second bottom electrode 216 which is attached on the first bottom electrode and consists of the SRO film, a ferroelectric film 217 which is formed on the second bottom electrode and consists of a crystal with the grain size of 30 to 150 nm, a ferroelectric capacitor FC including a top electrode 218 attached on the ferroelectric film, and a wiring 224 connected with the top electrode.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供降低铁电电容器的矫顽电场的高可靠性半导体器件，并提供这种半导体器件的制造方法。解决方案：半导体器件包括安装在半导体衬底201上的绝缘膜207至210，形成在绝缘膜上的底部触点211和213，形成在底部触点上并连接到底部触点的第一底部电极215，第二底部电极 216，其安装在第一底部电极上并由SRO膜构成，铁电体膜217形成在第二底部电极上，由晶体尺寸为30至150nm的晶体构成，铁电电容器FC包括顶部连接在铁电体膜上的电极218和与顶部电极连接的布线224。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2006270056A Method for manufacturing dielectric layer and semiconductor device corresponding thereto 审中-公开
标题翻译：制造电介质层的方法和与之相关的半导体器件
公开(公告)号：JP2006270056A
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：JP2006024594
申请日：2006-02-01
申请人： Infineon Technologies Ag , インフィネオンテヒノロギーズアーゲーInfineon TechnologiesAG
发明人： ERBEN ELKE , SPITZER ANDREAS
IPC分类号： H01L21/318 , H01G4/12 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L27/04 , H01L27/108 , H01L29/78
CPC分类号： H01L28/40 , C23C16/40 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01L21/3141 , H01L21/31645 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a polycrystalline dielectric layer and to provide a semiconductor device using the dielectric layer.
SOLUTION: The polycrystalline dielectric layer 20 is made of a first dielectric material comprising oxide or nitride, and a second material which is less than 1 wt.% of the weight of the dielectric layer. To reduce leakage current along a boundary of a particle 21 of the first dielectric material, the second material for forming non-conductive oxide or nitride having enthalpy lower than that of the first dielectric material is comprised, and arranged at the boundary of the particle of the first dielectric material.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2016213297A 誘電体膜および誘電体素子有权
标题翻译：介电膜和所述介电元件
公开(公告)号：JP2016213297A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2015094760
申请日：2015-05-07
申请人： TDK株式会社
发明人：武田早織 , 古川正仁 , 小須田正則 , 大槻史朗 , 原田祥典
IPC分类号： C04B35/468 , H01G4/12 , H01B3/12 , H01G4/33
CPC分类号： H01G4/33 , C04B35/4682 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C23C14/088 , H01G4/085 , H01G4/1227 , H01G4/1245 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , C04B2235/79
摘要：【課題】誘電体膜を備える薄膜コンデンサ等の誘電体素子に関し、直流電圧の印加の有無における比誘電率の差が小さく、かつ、直流電圧を印加しても高い比誘電率を有する誘電体膜を提供すること。【解決手段】主成分が一般式(Ba 1−x Ca x ) z (Ti 1−y Zr y )O 3 で表され、前記一般式で、0
【選択図】図1
摘要翻译：甲涉及的电介质元件，如薄膜电容器包括电介质膜，在所述直流电压的应用的存在和不存在下的介电常数的差小，并且具有的介电常数更高的通过施加直流电压的电介质膜它提供。主要成分的由通式（BA1-xCax）Z（TI1-yZry）O3，在通式表示，0 <且x≦0.500,0

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