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1. 发明专利

JP2015076116A 不揮発性半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2015076116A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2014048673
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：田端英之 , 塚本隆之
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C7/1042 , G11C29/34 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0085 , G11C2013/0088 , G11C2213/70 , G11C2213/71 , G11C29/028 , G11C29/52
摘要：【課題】本発明の実施形態は、データ書込み時の消費電流を抑制しバンド幅を向上させた不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイと、データ書き込みの際、書き込みステップを繰り返し実行する制御部とを備え、前記データ書き込みの際に1回目に実行される前記書き込みステップを第1書き込みステップ、2回目以降に実行される前記書き込みステップを第2書き込みステップとし、同時に選択されるベイの数を同時選択ベイ数、一の前記ベイ内で同時に選択される前記メモリセルの数を同時選択ビット数とした場合、前記制御部は、前記第1書き込みステップと、前記第2書き込みステップとで、前記同時選択ビット数及び前記同時選択ベイ数の少なくとも一方を切り替えることを特徴とする。【選択図】図7
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制写入数据时的电流消耗并提高带宽的非易失性半导体存储装置。解决方案：根据实施例的非易失性半导体存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储器细胞; 以及在写入数据时重复执行写入步骤的控制单元。如果假定在写入数据时首先执行的写入步骤是第一写入步骤，则执行第二写入步骤，然后执行第二写入步骤，同时选择的数据块数量是同时选择间隔的数量，并且在一个间隔中同时选择的存储器单元的数量是同时选择位的数量，所述控制单元在第一写入步骤和第一写入步骤之间至少改变同时选择位的数量或同时选择间隔的数量第二写步。

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