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    • 6. 发明专利
    • 薄膜磁性素子
    • 薄膜磁性元件
    • JP2014229660A
    • 2014-12-08
    • JP2013106260
    • 2013-05-20
    • Tdk株式会社Tdk CorpTdk株式会社
    • NAKADA KATSUYUKISUWA TAKAHIROITO KUNIYASUTAKAHASHI MASATO
    • H01L43/08H01L29/82
    • H01L43/02G11B5/3906G11B5/3909G11B5/3922G11B5/3932G11B5/3941G11B2005/3996H01L43/08
    • 【課題】薄膜磁性素子の周波数帯域を広げる。【解決手段】非磁性スペーサー層を介して磁化固定層と磁化自由層を備えた磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の積層方向に前記磁気抵抗効果膜を介して配設された一対の電極と、前記磁気抵抗効果膜の積層面と平行となるように、前記磁気抵抗効果膜とは離間し、且つ前記磁気抵抗効果膜を挟んで対向して配設された一対の第1軟磁性層と、前記磁気抵抗効果膜に対して前記第1軟磁性層よりも離間させ、且つ前記積層方向にその一部を前記第1軟磁性層と対向して配設された第2軟磁性層と、前記第2軟磁性層の周囲に巻回形成されたコイルとを有し、前記第1軟磁性層後端領域断面積をS1r、前記第2軟磁性層先端領域断面積をS2fとしたときに、S2f>S1rとして、且つ前記第1軟磁性層先端幅をW1f、前記第1軟磁性層後端幅をW1rとしたときに、W1r>W1fとする。【選択図】図2
    • 要解决的问题:扩大薄膜磁性元件的频带。解决方案:薄膜磁性元件包括:磁阻效应膜,其包括通过非磁性间隔层的磁化固定层和无磁化层; 通过磁阻效应膜在磁阻效应膜的层叠方向上配置的成对电极; 成对的软磁性层与磁阻效应膜分离并且分别面对与磁阻效应膜的层叠表面平行插入的磁阻效应膜; 第二软磁性层,与所述磁阻效应膜比所述第一软磁性层分离,并且在层叠方向上部分地朝向所述第一软磁性层的同时配置; 以及缠绕在第二软磁性层上形成的线圈。 当第一软磁性层的后端区域截面积由S1r表示,并且第二软磁性层的前端区域截面积由S2f表示时,S2f> S1r,并且当第一软磁性层的前端宽度 磁性层由W1f表示,第一软磁性层的后端宽度由W1f表示,满足W1r> W1f。