专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2018156570A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018156570A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017054739
申请日：2017-03-21
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：林宛瑩 , 小寺俊輔
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/06 , G06F11/10
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F3/0619 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F11/1048
摘要：【課題】読出し方式に応じてセクタ毎の誤り訂正結果を出力する。【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、外部と通信可能なインタフェース回路と、データを保持可能なメモリセルを含みページ単位でデータが読み出されるメモリセルアレイと、メモリセルアレイから読み出されたデータのエラーを検出するエラー検出回路と、を備える。読み出されたページ単位のサイズのデータは、ページ単位が分割された複数の第1単位で誤りが検出される。インタフェース回路は、メモリセルアレイから読み出された第1データの外部への出力と、第2データのメモリセルアレイからの読出しと、が並行して実行される第1動作の際に、第1データについて検出された誤りに基づく情報を外部へ出力可能である。情報は、第1単位ごとに検出されたエラービット数、エラービット数が或る閾値を超えたか否かを示す値、又はエラービット数のうちの最大値を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018156452A データ格納装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018156452A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053339
申请日：2017-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：奈良竜太 , 磯崎宏 , 梅澤健太郎
IPC分类号： B60R16/02 , G06F21/64 , B60R16/023 , G06F13/10 , G06F13/12 , G06F11/34
CPC分类号： G06F13/42 , G06F3/0619 , G06F3/0623 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F13/36 , H04L12/40006 , H04L2012/40208 , H04L2012/40215 , H04L2012/40273
摘要：【課題】ホストに相当する機能を内蔵し、自発的にデータを取得して蓄積することが可能なデータ格納装置を提供する。【解決手段】実施形態のデータ格納装置は、車載ネットワークに接続されるデータ格納装置であって、データ蓄積部と、バスインタフェースと、プロセッサと、を備える。データ蓄積部は、NANDインタフェースを備える。バスインタフェースは、前記データ蓄積部と同一基板上に搭載され、前記車載ネットワークのバスに接続される。プロセッサは、前記データ蓄積部および前記バスインタフェースと同一基板上に搭載され、前記バスインタフェースを介して前記車載ネットワークから自発的にデータを取得して前記データ蓄積部に蓄積するように、前記データ格納装置の動作を制御する。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2018151687A 管理装置、情報処理装置および管理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018151687A
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017045240
申请日：2017-03-09
申请人：株式会社東芝
发明人：城田祐介 , 金井達徳 , 白井智 , 吉村礎
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02 , G11C16/34 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0607 , G06F3/0614 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F12/0246
摘要：【課題】不揮発記憶部の寿命を延ばすことにある。【解決手段】実施形態の管理装置は、第1記憶部および複数のページを含む不揮発記憶部に対する、処理回路によるデータの読み出しおよび書き込みを管理する。管理装置は、設定記憶部と、アクセス処理部と、管理部とを備える。設定記憶部は、複数のページのそれぞれについて、不揮発記憶部から第1記憶部に転送したデータに対して書き込みおよび読み出しをする第1アクセス処理、または、不揮発記憶部に記憶されたデータに対して直接書き込みおよび読み出しをする第2アクセス処理の何れを実行するかを示すアクセス方法を記憶する。管理部は、第2アクセス処理に設定されている第3ページの品質が基準値以下となった場合、第3ページに対するアクセス方法を、第2アクセス処理から第1アクセス処理に変更する。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2018502375A ファイルアクセス方法およびファイルアクセス装置、ならびに記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018502375A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017528500
申请日：2014-11-28
申请人：華為技術有限公司 , HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.
发明人：徐君 , 朱冠宇 , 王元▲鋼▼
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/02 , G06F12/10
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0643 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F17/30233 , G06F2212/7201
摘要：ファイルアクセス方法およびファイルアクセス装置、ならびに記憶装置が開示され、ファイルアクセス方法は、ファイルシステムがメモリにおいて設けられる記憶装置に適用される。本方法では、本記憶装置は、アクセスされるべき第1のターゲットファイルのファイル識別子に従って、メタデータ内の第1のターゲットファイルのインデックスノードを獲得することができ、第1のターゲットファイルのインデックスノードは、グローバル仮想空間における第1のターゲットファイルの第1の仮想空間に関する情報を記憶しており(205)、本記憶装置は、第1の仮想空間に関するものであり、インデックスノードに記録されている情報に従って、第1の仮想空間をプロセスの第2の仮想空間にマップし(210)、追加されたファイル管理レジスタでアドレス指定を行う(220および225)ことができる。ファイル管理レジスタは、グローバル・ファイル・ページ・テーブルのページディレクトリのベースアドレスを記憶している。したがって、本記憶装置は、第1の仮想空間の開始アドレスとグローバル・ファイル・ページ・テーブルのページディレクトリのベースアドレスとに従って、第1のターゲットファイルにアクセスすることができる。本方法によれば、プロセス・ページ・テーブルの負担を低減することができ、システムオーバーヘッドを低減することができる。

6. 发明专利

JP2017208087A メモリのアクセスに用いる方法及び装置有权
公开(公告)号：JP2017208087A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2017093240
申请日：2017-05-09
申请人：インフィネオンテクノロジーズアーゲー , INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：マイヤー, アルブレヒト
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F3/061 , G06F12/0246 , G06F12/1027 , G06F12/1081 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F2212/1044 , G06F2212/65 , G06F2212/656 , G06F2212/7201
摘要：【課題】メモリのアクセスに用いる方法及び装置を提供する。【解決手段】アクセスアドレスを決定する方法が、第1の入力アドレスを第1の出力アドレスに変換する為の第1のアドレス変換規則を決定するステップと、第2の入力アドレスを第2の出力アドレスに変換する為の第2のアドレス変換規則を決定するステップと、第1のアドレス変換規則及び第2のアドレス変換規則の少なくとも一方を使用してアクセスアドレスを決定するステップと、を含む。メモリアドレスに基づいてメモリにアクセスする装置が、第1の入力アドレスを第1の出力アドレスに変換するように構成された第1のアドレス変換器と、第2の入力アドレスを第2の出力アドレスに変換するように構成された第2のアドレス変換器と、を含む。この装置は、第1のアドレス変換器及び第2のアドレス変換器の少なくとも一方を使用して、メモリアドレスをアクセスアドレスに変換するように構成されている。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2017151988A 大容量格納装置、システム、及び方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017151988A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017031935
申请日：2017-02-23
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：キウ,シェング , キ,ヤンソク
IPC分类号： G06F12/00 , G06F9/46 , G06F3/08 , G06F3/06 , G06F12/10
CPC分类号： G06F9/45558 , G06F12/00 , G06F13/385 , G06F3/061 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F2009/45579 , G06F2009/45583
摘要：【課題】本発明に係る大容量格納装置は,仮想マシンを意識した仮想フラッシュ変換階層を提供する。【解決手段】各々複数の物理ページを含む複数の物理ブロックの分離された第1セット及び第2セットを含むフラッシュメモリ、及び第1仮想フラッシュ変換階層インスタンス及び第2仮想フラッシュ変換階層インスタンスを実行するように構成されるコントローラを含む。第1仮想フラッシュ変換階層インスタンスは論理ページナンバに向けられたストレージアクセス要請を受信し、第1セット内の物理ページナンバに向けられたストレージアクセス要請を生成するように構成され、第2仮想フラッシュ変換階層インスタンスは論理ページナンバに向けられたストレージアクセス要請を受信し、第2セット内の物理ページナンバに向けられたストレージアクセス要請を生成するように構成される。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2017521753A 読み出しキャッシュメモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2017521753A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016568027
申请日：2015-05-18
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：フェン，ユージーン , アルコレオ，マシュー
IPC分类号： G06F11/10 , G06F3/06 , G06F12/08 , G06F12/16
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0608 , G06F3/0655 , G06F3/0685 , G06F3/0688 , G06F12/0806 , G06F12/0875 , G06F12/0888 , G06F12/1081 , G06F13/28 , G06F2212/2532 , G06F2212/621 , G11C7/1072 , G11C29/44 , G11C29/765 , G11C2029/0409 , G11C2207/2245 , Y02B60/1225 , Y02B60/1228 , Y02D10/13 , Y02D10/14
摘要：本開示は、読み出しキャッシュメモリのための方法及び装置を含む。1つの装置は、第1のDRAMアレイ、第1及び第2のNANDアレイ、ならびにDRAMアレイと第1のNANDアレイとの間のデータの移動及び第1のNANDアレイと第2のNANDアレイとの間のデータの移動を管理するよう構成された制御装置を備える、読み出しキャッシュメモリ装置を含む。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2017064316A 電子機器、記憶装置、および情報処理システム审中-公开
公开(公告)号：JP2017064316A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015197003
申请日：2015-10-02
申请人：株式会社東芝
发明人：佐藤圭介 , 井戸道雄 , 遠藤重人
IPC分类号： G06K19/077 , A63H30/04
CPC分类号： G06F3/0655 , G06F3/061 , G06F3/065 , G06F3/067 , H04W12/06
摘要：【課題】無線通信機能を備える記憶装置を用いて電子機器の設定情報を変更可能とする。【解決手段】本実施形態に係る電子機器は、第1の装着部と、第2の装着部と、第1の制御部と、第2の制御部とを備える。第1の装着部は、物品を装着可能である。第2の装着部は、第1の記憶部と、第1の記憶部を制御する第1のコントローラと、無線アンテナと、無線アンテナより供給される電力に基づいて動作可能な第2の記憶部と、無線アンテナより供給される電力に基づいて動作可能であり無線アンテナを用いて外部装置と無線通信を行う第2のコントローラと、を備える記憶装置を装着可能である。第1の制御部は、物品の物品識別情報を認識し、記憶装置へ物品識別情報の格納を指示する。第2の制御部は、記憶装置から、物品識別情報に対応し記憶装置が外部装置から無線通信により受信した設定情報を読み出し、設定情報に対応する動作を実行する。【選択図】図1

10. 发明专利

JPWO2015008375A1 ストレージ装置および記憶制御方法审中-公开
标题翻译：存储装置和存储控制方法
公开(公告)号：JPWO2015008375A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015527122
申请日：2013-07-19
申请人：株式会社日立製作所
发明人：貴記松下
IPC分类号： G06F12/00
CPC分类号： G06F3/0616 , G06F3/0647 , G06F3/0655 , G06F3/0688 , G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要：ストレージ装置が、半導体記憶デバイスと、半導体記憶デバイスに接続され半導体記憶デバイスが提供する論理記憶領域に対してデータを格納するストレージコントローラとを有する。半導体記憶デバイスは、1以上の不揮発性の半導体記憶媒体と半導体記憶媒体に接続された媒体コントローラとを有する。媒体コントローラは、論理記憶領域に格納されるデータを圧縮し圧縮されたデータを半導体記憶媒体に格納する。論理記憶領域の論理アドレス空間の大きさは、半導体記憶媒体の物理アドレス空間の大きさの合計よりも大きい。
摘要翻译：具有的半导体存储装置，以及用于存储数据，其中提供连接到所述半导体存储装置的半导体存储装置中的逻辑存储区域中的存储控制器的存储装置。所述半导体存储器件包括连接到所述半导体存储介质中的一个或多个非易失性半导体存储介质是媒体控制器。媒体控制器存储要压缩的数据存储在所述逻辑存储区域压缩到半导体存储介质中的数据。逻辑存储区域的逻辑地址空间的大小是比所述半导体存储介质的物理地址空间的大小的总和。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式