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    • 7. 发明专利
    • ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法
    • WAFER的评估方法和WAFER的选择方法
    • JP2015213099A
    • 2015-11-26
    • JP2014094469
    • 2014-05-01
    • 信越半導体株式会社
    • 斉藤 久之
    • G01B21/20H01L21/027
    • G01B21/20G01B21/30G03F7/20H01L22/00G01B2210/56
    • 【課題】ウエハを吸着した際にピンチャックのピッチの違いによって生じるそりの修正度合の違いを示す新規パラメータを導入し、これを用いてウエハのそりを評価する方法を提供する。 【解決手段】ウエハのそりを評価する方法であって、吸着していないフリーの状態のウエハのそりを測定する第1の工程と、測定したウエハのそりのデータを用いて、ウエハ面内の任意の点Pを通る直線上にあり点Pを中心として点Pから距離a離れた点Q 1 と点Q 2 の2点間のウエハそり量Aと、同一直線上にあり点Pを中心として点Pから距離aとは異なる距離b離れた点R 1 と点R 2 の2点間のウエハそり量Bを求め、ウエハそり量A及びウエハそり量Bから点Pにおけるウエハそり量の差を算出する第2の工程とを有し、算出したウエハそり量の差からウエハのそりを評価する方法。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种引入新颖参数的方法,该参数表示在吸附晶片的情况下由针卡盘的间距差引起的翘曲校正度的差异,并且使用该新颖参数来评估 晶片的翘曲。解决方案:评估晶片翘曲的方法包括:测量晶片在非吸附自由状态下的翘曲的第一步骤; 以及第二步骤,使用晶片的测量翘曲的数据来计算通过晶片表面内的任何任意点P并从该点分离的直线上的两个点之间的点Q和点Q之间的晶片翘曲量A. P距离(a)当点P定义为中心时,晶圆翘曲量B在点Rand的两点之间,点R位于相同的直线上并与点P分开距离(b )与点P定义为中心时的距离(a)不同。 从计算的晶片翘曲量的差异来看,评估晶片的翘曲。
    • 10. 发明专利
    • Three-dimensional mapping using scanning electron microscope images
    • 使用扫描电子显微镜图像的三维图像
    • JP2013161795A
    • 2013-08-19
    • JP2013031500
    • 2013-02-01
    • Applied Materials Israel Ltdアプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド
    • SCHWARZBAND ISHAIYAKOV WEINBERG
    • H01J37/28H01J37/22H01J37/244
    • G01B21/30G01D18/008G01N23/2251G01N2223/6116H01J37/24H01J37/244H01J37/26H01J37/28H01J2237/22H01J2237/24465H01J2237/2448H01J2237/2814H01J2237/2826
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a system for calculating a three-dimensional topographical model of a sample surface from plural SEM images of a sample captured by plural detectors for preventing distortion of a three-dimensional model when the sample surface is made up of multiple types of materials.SOLUTION: A method includes irradiating a surface of a sample, which is made up of multiple types of materials, with a beam of primary electrons. Emitted electrons emitted from the irradiated sample are detected using plural detectors that are positioned at respective different positions relative to the sample, so as to produce respective detector outputs. Calibration factors are computed to compensate for variations in emitted electron yield among the types of the materials, by identifying, for each material type, one or more horizontal regions on the surface that are made up of the material type, and computing a calibration factor for the material type based on at least one of the detector outputs in the identified horizontal regions. The calibration factors are applied to the detector outputs. A three-dimensional topographical model of the surface is calculated based on the detector outputs to which the calibration factors are applied.
    • 要解决的问题:提供一种用于从多个检测器捕获的样本的多个SEM图像中计算样品表面的三维形貌模型的方法和系统,用于当制备样品表面时防止三维模型的变形 多种类型的材料。解决方案:一种方法包括用一次电子束照射由多种材料构成的样品的表面。 使用位于相对于样品的各个不同位置的多个检测器来检测从照射样品发射的发射电子,以便产生相应的检测器输出。 计算校准因子,以补偿材料类型中发射的电子产量的变化,通过为每种材料类型识别由材料类型组成的表面上的一个或多个水平区域,并计算校准因子 所述材料类型基于所识别的水平区域中的至少一个检测器输出。 校准因子应用于检测器输出。 基于应用校准因子的检测器输出计算表面的三维地形模型。