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1. 发明专利

KR20210031824A KR20210031824A - Method of cleaning substrate processing apparatus, and substrate processing system 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031824A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：KR1020200112171A
申请日：2020-09-03
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 쇼고 후쿠이 , 포한 후앙
IPC分类号： H01L21/02 , B08B7/00 , F26B5/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B7/0021 , F26B5/005 , H01L21/02043 , H01L21/67034 , H01L21/67051
摘要： 본 발명은, 초임계 유체를 사용한 건조 처리 시의 기판에의 파티클의 부착을 억제할 수 있는 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 시스템을 제공한다. 기판 처리 장치의 세정 방법은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜서, 상기 기판을 건조시키는 건조 처리가 행하여지는 기판 처리 장치의 세정 방법이며, 상기 초임계 유체와, 극성 분자를 포함하고 상기 액체보다도 비점이 낮은 용매가 혼합된 제1 세정용 유체를 상기 기판 처리 장치의 내부에서 확산시키는 공정과, 상기 제1 세정용 유체의 확산 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부로부터 상기 제1 세정용 유체를 배출하는 공정을 갖는다.

2. 发明专利

JP2018060895A 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2018060895A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016196630
申请日：2016-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：五師源太郎 , 清瀬浩巳 , 清原康雄
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B7/0021 , F26B5/005 , H01L21/02057 , H01L21/02101
摘要：【課題】超臨界状態の処理流体を用いて基板から液体を除去する乾燥処理を、処理流体の消費量を抑えつつ短時間で行うことができる基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供する。【解決手段】基板処理方法は、第1処理工程S1及び第2処理工程S2を含む。第1処理工程S1は、処理容器内に存在する超臨界状態の処理流体の気化が起こらない第1の排出到達圧力Pt1まで処理容器内の流体を排出し、その後処理容器内の処理流体の気化が起こらない第1の供給到達圧力Ps1まで処理容器内に処理流体を供給する。第2処理工程S2は、超臨界状態の処理流体の気化が起こらない第1の排出到達圧力Pt1とは異なる第2の排出到達圧力Pt2まで処理容器内の流体を排出し、その後処理容器内の処理流体の気化が起こらない第2の供給到達圧力Ps2まで処理容器内に処理流体を供給する。【選択図】図6

3. 发明专利

JP6071021B2 被処理物に由来する乾燥物の製造方法有权
标题翻译：要被处理用于由所述对象得到的干燥的产物的方法
公开(公告)号：JP6071021B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2015248153
申请日：2015-12-21
申请人：霧島高原ビール株式会社 , 山元正博
发明人：山元正博
IPC分类号： A23K10/26 , A23K10/37 , B09B3/00 , C05F17/00 , C02F11/00 , C02F11/12 , B09B5/00 , B01D12/00 , F26B5/16 , A23K10/12
CPC分类号： B01D11/00 , A23F3/16 , A23K10/00 , A23L25/00 , B01D1/18 , B01D1/20 , B01D12/00 , C02F1/048 , C02F1/265 , C02F11/12 , C05F11/00 , C05G3/007 , C07C51/48 , C10G1/002 , C10G1/04 , C10G32/00 , C10G33/00 , C10G33/06 , C12H1/00 , F23G5/04 , F23G7/001 , F26B5/005 , Y02W30/43

4. 发明专利

JP5918757B2 被処理物の水分含有率を低下させる方法有权
标题翻译：降低目标的水分含量的方法
公开(公告)号：JP5918757B2
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2013516268
申请日：2012-05-07
申请人：霧島高原ビール株式会社 , 山元正博
发明人：山元正博
IPC分类号： B01D1/00 , B09B5/00 , C02F11/12 , C02F11/00 , C02F1/26 , B09B3/00 , C12P1/02 , A23K10/12 , A23K10/00 , A23K20/00 , C05F17/00 , B01D12/00
CPC分类号： B01D11/00 , A23F3/16 , A23K10/00 , A23L25/00 , B01D1/18 , B01D1/20 , B01D12/00 , C02F1/048 , C02F1/265 , C02F11/12 , C05F11/00 , C05G3/007 , C07C51/48 , C10G1/002 , C10G1/04 , C10G32/00 , C10G33/00 , C10G33/06 , C12H1/00 , F23G5/04 , F23G7/001 , F26B5/005 , Y02W30/43

5. 发明专利

JP5318980B2 Substrate processing method and a substrate processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP5318980B2
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：JP2012024127
申请日：2012-02-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：居武彦折 , 口賢治関 , 田範臣内 , 中暁田 , 野広基大
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
CPC分类号： F26B5/005 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： A substrate processing apparatus according to the present invention is provided with a spin chuck (3) that holds a substrate (W) and rotates the same. A process liquid supply system (11, . . . ) is disposed to supply a process liquid to the substrate rotated by the spin chuck. There are disposed a fluid nozzle (12) that supplies to the substrate a drying fluid having a higher volatility than that of the process liquid, and an inert gas nozzle (13) that supplies an inert gas to the substrate. A nozzle moving mechanism (15, 52, . . . ) is disposed that moves the nozzles (12, 13) radially outward relative to a rotational center (Po) of the substrate, while maintaining the inert gas nozzle nearer to the rotational center of the substrate than the fluid nozzle.

6. 发明专利

JP2013055230A Supercritical drying method of semiconductor substrate 审中-公开
标题翻译：半导体基板的超临界干燥方法
公开(公告)号：JP2013055230A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：JP2011192594
申请日：2011-09-05
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SATO YOHEI , OGUCHI HISASHI , TOMITA HIROSHI , HAYASHI HIDEKAZU , JI LINAN
IPC分类号： H01L21/304 , F26B5/04 , F26B5/16
CPC分类号： H01L21/02101 , F26B3/00 , F26B3/02 , F26B5/005 , F26B5/04 , F26B7/00 , H01L21/02057 , H01L21/67034
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a supercritical drying method of a semiconductor substrate which inhibits a metal material and polysilicon on the semiconductor substrate from being etched and prevents the deterioration of electric characteristics of a semiconductor device.SOLUTION: A supercritical drying method of a semiconductor substrate includes the steps of: introducing the semiconductor substrate having a surface wetted with a water soluble organic solvent into a chamber after the semiconductor substrate is cleaned and rinsed; sealing the chamber and putting the water soluble organic solvent in the supercritical state; lowering the pressure in the chamber and changing the water soluble organic solvent in the supercritical state into a gas to discharge the water soluble organic solvent from the chamber; supplying an inactive gas into the chamber as the pressure in the chamber is lowered to the atmospheric pressure; and cooling the semiconductor substrate.
摘要翻译：解决的问题：提供抑制半导体衬底上的金属材料和多晶硅被腐蚀的半导体衬底的超临界干燥方法，并防止半导体器件的电特性劣化。解决方案：半导体衬底的超临界干燥方法包括以下步骤：在半导体衬底被清洁和冲洗之后，将具有被水溶性有机溶剂润湿的表面的半导体衬底引入腔室; 密封室并将水溶性有机溶剂置于超临界状态; 降低室中的压力并将超临界状态的水溶性有机溶剂变成气体，以从室中排出水溶性有机溶剂; 当室中的压力降低到大气压力时，将惰性气体供应到室中; 并冷却半导体衬底。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4934109B2 Method and apparatus for separating the solid phase from the liquid phase 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4934109B2
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：JP2008160034
申请日：2008-06-19
申请人：ティコナゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングTicona GmbH
发明人：ヴァゲナー，ラインハルト , ハオプス，ミヒャエル
IPC分类号： B01D11/02 , C08G75/02 , B01D11/00 , B01D12/00 , B01D43/00 , B03B5/28 , C08J3/00 , C08J3/12 , F26B5/00
CPC分类号： B01D12/00 , B01D2011/002 , F26B5/005

8. 发明专利

JP4451450B2 Substrate processing method and a substrate processing apparatus 有权
公开(公告)号：JP4451450B2
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：JP2006540941
申请日：2005-10-12
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：田範臣内 , 野広基大 , 居武彦折 , 中暁田 , 口賢治関
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： F26B5/005 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/6708

9. 发明专利

JP4408460B2 Compositions for drying solid surfaces 失效
公开(公告)号：JP4408460B2
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：JP5167798
申请日：1998-03-04
申请人：アトフイナ・エス・アー
发明人：パスカル・ミシヨー
IPC分类号： B01D12/00 , C09K3/18 , C11D7/60 , F26B5/00
CPC分类号： F26B5/005 , B01D12/00 , C09K3/18

10. 发明专利

JP2005528326A Method for producing a product having a physiological activity 有权
公开(公告)号：JP2005528326A
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：JP2003530804
申请日：2002-09-12
申请人：シリング,マービン , ディー. ファファード,リチャード
发明人：シリング，マービン , ディー．ファファード，リチャード
IPC分类号： A23L1/30 , A23B4/033 , A23B7/022 , A23J1/00 , A23L1/305 , A23L1/308 , A61K35/32 , A61K36/18 , A61K36/896 , A61K38/17 , A61K38/39 , A61P9/04 , A61P17/02 , A61P19/02 , A61P37/04 , F26B1/00 , F26B5/00 , A61K35/78
CPC分类号： F26B5/005 , A23B4/033 , A23B7/022 , A23J1/002 , A23L33/17 , A23L33/28 , A61K35/32 , A61K38/39 , F26B1/00
摘要：本発明は、生理活性成分、特別にはタンパク質、を含む天然の有機材料の脱水方法であって、活性成分の本来の構造を変化させずに、抗菌剤及び好ましくはイオン化可能な塩の存在下、変性がおこる温度以下で上記材料の水分含量が１５％未満に減少するまで微粒子の形態の該材料を乾燥する、上記方法に関する。

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