基本信息:
- 专利标题： 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
- 专利标题（英）：JP2018060895A - Substrate processing method, substrate processing apparatus and storage medium
- 申请号：JP2016196630 申请日：2016-10-04
- 公开(公告)号：JP2018060895A 公开(公告)日：2018-04-12
- 发明人： 五 師 源太郎 , 清 瀬 浩 巳 , 清 原 康 雄
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 代理人： 永井 浩之; 中村 行孝; 佐藤 泰和; 朝倉 悟; 森 秀行; 村越 卓
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
【課題】超臨界状態の処理流体を用いて基板から液体を除去する乾燥処理を、処理流体の消費量を抑えつつ短時間で行うことができる基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体を提供する。 【解決手段】基板処理方法は、第1処理工程S1及び第2処理工程S2を含む。第1処理工程S1は、処理容器内に存在する超臨界状態の処理流体の気化が起こらない第1の排出到達圧力Pt1まで処理容器内の流体を排出し、その後処理容器内の処理流体の気化が起こらない第1の供給到達圧力Ps1まで処理容器内に処理流体を供給する。第2処理工程S2は、超臨界状態の処理流体の気化が起こらない第1の排出到達圧力Pt1とは異なる第2の排出到達圧力Pt2まで処理容器内の流体を排出し、その後処理容器内の処理流体の気化が起こらない第2の供給到達圧力Ps2まで処理容器内に処理流体を供給する。 【選択図】図6
公开/授权文献:
- JP6759042B2 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体 公开/授权日：2020-09-23
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |