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1. 发明专利

JP6281955B2 立方晶窒化ホウ素の機能化及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6281955B2
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2015525474
申请日：2013-07-26
申请人：ダイヤモンドイノヴェーションズインコーポレイテッド
发明人：ジャーンカイ , クリストファーロング
IPC分类号： B24D3/00
CPC分类号： B24D3/06 , B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/063 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/0655 , B01J2203/066 , B01J2203/068 , B24D5/00 , B24D18/0009

2. 发明专利

JP2014506555A Method of forming a multilayer structure and the multilayer structure for the growth of diamond 审中-公开
公开(公告)号：JP2014506555A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2013552578
申请日：2012-01-31
申请人：ザジェムシスダイアモンドカンパニー
发明人：ヘシャンズー， , カールピアソン， , ジョーロキム，
IPC分类号： C30B29/04 , B01J3/06 , B01J23/755 , C01B31/06
CPC分类号： C30B29/04 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , Y10T117/10
摘要：ダイヤモンドの成長のための反応セルにおける多層構造が提供される。前記多層構造は、ダイヤモンド種結晶、前記ダイヤモンド種結晶の上に設けられた、第１の濃度の炭素を含む第１の金属触媒層、前記第１の金属層の上に設けられた、前記第１の濃度よりも高い第２の濃度の炭素を含む第２の金属触媒層、及び前記第２の金属層の上に設けられた炭素源層を含む。
【選択図】図１

3. 发明专利

JP5140606B2 Wire drawing die 有权
公开(公告)号：JP5140606B2
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：JP2008554094
申请日：2008-01-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 株式会社アライドマテリアル , 住友電工ハードメタル株式会社
发明人：均角谷 , 実湯川
IPC分类号： B21C3/02
CPC分类号： B21C3/025 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B21C3/18 , B82Y30/00 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/656 , C04B2235/781 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , C30B29/605

4. 发明专利

JPWO2008088048A1 伸線ダイス有权
公开(公告)号：JPWO2008088048A1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：JP2008554094
申请日：2008-01-18
申请人：住友電気工業株式会社 , 株式会社アライドマテリアル , 住友電工ハードメタル株式会社
发明人：角谷　均 , 均角谷 , 実湯川 , 実湯川
IPC分类号： B21C3/02
CPC分类号： B21C3/025 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B21C3/18 , B82Y30/00 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B2235/422 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/656 , C04B2235/781 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , C30B29/605
摘要：強度や耐摩耗性に優れた伸線ダイスを提供することを目的とする。伸線ダイスのコアとして、非ダイヤモンド型炭素物質を含む原料組成物を、超高圧高温下で焼結助剤や触媒の添加なしに直接的にダイヤモンドに変換焼結された、実質的にダイヤモンドのみからなる多結晶体であって、当該多結晶体が、最大粒径が100nm以下かつ平均粒径が50nm以下の微粒ダイヤモンド結晶と、最小粒径が50nm以上かつ最大粒径が10000nm以下の板状もしくは粒状の粗粒ダイヤモンド結晶との混合組織を有する高硬度ダイヤモンド多結晶体を用いたものとする。

6. 发明专利

JP2008522807A Synthesis of diamond 有权
公开(公告)号：JP2008522807A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2007545000
申请日：2004-12-09
申请人：エレメントシックス (プロダクション)(プロプライエタリィ) リミテッド
发明人：ストリャマン、コリーナ、ベラ、ヘルガ , チシクハウェ、フランシス , バーンズ、ロバート、チャールズ , ハンセン、ジョン、オラフ
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C01B32/25
摘要：ダイヤモンドを合成する方法において、実質的にすべての雰囲気ガス及び他の軽量揮発性原子を除去するために、炭素源と溶媒／触媒の反応混合物を高温及び高真空で前処理する。次いで、低下した温度で、この除去されたガスを望ましいプロセスガスで置き換える。次いで、この前処理された反応混合物を、プロセスガスの存在下で炭素相図のダイヤモンド安定領域中の高温及び高圧条件にかけてダイヤモンドを製造する。このプロセスガスは、ダイヤモンドの成長速度を高め、溶媒／触媒包含物を減少させ、合成ダイヤモンド（成長した結晶）の形態を、主結晶面及びより塊状の方向へ移行させ、好ましくは望ましい高成長速度において、成長した結晶中の亀裂及びひずみを減少させ、且つ、ヘテロ原子、例えば、Ｐ（リン）又はＳ（硫黄）による、ダイヤモンド結晶の制御された均一なドーピングを可能にするように選択される。

7. 发明专利

JP3898127B2 Chapter iii group or nitride including the first iv group metal element single crystal and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3898127B2
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：JP2002537936
申请日：2001-10-11
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：昭司山中 , 学安陳
IPC分类号： C30B29/12 , B01J3/06 , C30B29/38
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/0675 , B01J2203/068

8. 发明专利

JP2005507843A Method and products for making synthetic gemstones comprising a complete or partial human or components recovered from the animal's body, 审中-公开
公开(公告)号：JP2005507843A
公开(公告)日：2005-03-24
申请号：JP2003513683
申请日：2002-07-11
申请人：グレゴリー・アール・ハーロ , ディーン・ティー・ヴァンデンビーセン , ラッセル・ピー・ヴァンデンビーセン
发明人：グレゴリー・アール・ハーロ , ディーン・ティー・ヴァンデンビーセン , ラッセル・ピー・ヴァンデンビーセン
IPC分类号： A44C17/00 , B01J3/00 , B01J3/06 , C01B31/06 , C30B23/00 , C30B29/36
CPC分类号： B01J3/065 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C30B23/00 , C30B29/04
摘要：本発明は完全な、または部分的なヒトまたは動物の遺体から回収した成分を含む合成宝石を包含する。本発明はまた、ヒトまたは動物の遺体を火葬にして粒子およびガスの形状の炭素を産生することにより、脊椎動物由来の炭素を含む合成宝石を製造する手順を包含する。その後炭素は慣用の濾過技術を使用して濾過される。次に炭素および他の成分はハロゲン精製技術を使用して精製され、黒鉛化される。それから慣用の昇華技術を使用して宝石が作製される。合成宝石は慣用のファセット形成および研磨技術を使用してファセットを形成し、研磨してもよい。宝石はまた、慣用の印付け法を使用してもよい。

9. 发明专利

JPS5939362B2 JPS5939362B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5939362B2
公开(公告)日：1984-09-22
申请号：JP18139181
申请日：1981-11-12
申请人： Showa Denko Kk
发明人： IIZUKA EIICHI
IPC分类号： B01J3/06 , B01J27/00 , C01B35/14 , C04B35/5831
CPC分类号： C01B35/146 , B01J3/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/066 , B01J2203/068 , C04B35/5831

10. 发明专利

JPS593100A Rod-like diamond single crystal and its production 失效
标题翻译： ROD型钻石单晶及其生产
公开(公告)号：JPS593100A
公开(公告)日：1984-01-09
申请号：JP11039882
申请日：1982-06-25
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd
发明人： TSUJI KAZUO
IPC分类号： C01B31/06 , B01J3/06 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B13/02 , C30B29/04
CPC分类号： C30B13/02 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0625 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C30B9/00 , C30B29/04
摘要： PURPOSE:To obtain diamond having a shape suited as a tool and the surface condition that permits adhesion to a tool support at high strength in a producing method using solvent metal by limiting the diameter of the solvent metal. CONSTITUTION:This diamond has irregular sectional shapes such as circular, polygonal, pentagram and other shapes, and has the >=1.5 times length for the diameter of these sectional areas. It is a rod-like single crystal of which the longitudinal direction is in the or or direction and of which the surface has ruggedness 10 like a ground glass. In the case of synthesizing a piece of the single crystal of such diamond having, for example, a circular cylindrical shape, solvent metal 8 is worked to a shape having a circular cylindrical leg, and the diameter thereof is limited to the size smaller than the size of the diamond to be grown. Such metal is laminated with a carbon supply source 3 and seed crystal diamond 1 as shown in the figure, and the top and bottom end parts of the metal 8 are heated to high and low temps. under ultra-high pressure and high temp. to deposit carbon as diamond on the seed crystal by utilizing the difference of solubility of the carbon in the metal 8.
摘要翻译：目的：获得具有适合作为工具的形状的金刚石，以及通过限制溶剂金属的直径，在使用溶剂金属的制造方法中能够以高强度粘附到工具支架上的表面状态。构成：该钻石具有不规则的截面形状，例如圆形，多边形，五角形和其他形状，并且对于这些截面积的直径具有> = 1.5倍的长度。它是长方向为<111>或<100>或<110>方向的棒状单晶，其表面具有如磨玻璃的坚固度10。在合成具有例如圆柱形状的这种金刚石的单晶片的情况下，将溶剂金属8加工成具有圆柱形腿的形状，并且其直径被限制为小于要生长的钻石的大小。这样的金属与碳供应源3和晶种金刚石1层叠，如图所示，金属8的顶端部和底端部分被加热到高和低温度。在超高压和高温下。通过利用碳在金属8中的溶解度的差异将碳作为金刚石沉积在晶种上。

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