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1. 发明专利

JP2012069921A Plasma processing method and plasma processing apparatus 有权
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP2012069921A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：JP2011171005
申请日：2011-08-04
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： OYA YOSHINOBU , TANABE AKIRA , YASUDA YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To optimize a plasma process for various requirements of microfabrication by enhancing the controllability of an RF bias function.SOLUTION: In order to apply high frequency waves RFsuitable for plasma generation of capacity coupling from a third high frequency power supply 66 to an upper electrode 46 (or a lower electrode 12) and to control the energy of ions impinging on a semiconductor wafer W from a plasma, the plasma processing apparatus applies two kinds of high frequency waves RF(0.8 MHz), RF(13 MHz) suitable for ion extraction from first and second high frequency power supplies 36, 38 while superimposing on a susceptor 12. In accordance with the specifications, conditions or recipe of the process, a control unit 88 controls the total power and the power ratio of both high frequency waves RF, RF.
摘要翻译：要解决的问题：通过提高RF偏置功能的可控性，优化用于微细加工的各种要求的等离子体处理。解决方案：为了施加适用于从第三高频电源66到上电极46（或更低的）的等离子体产生电容耦合的高频波RF H 电极12），并且为了控制从等离子体入射到半导体晶片W上的离子的能量，等离子体处理装置应用两种高频波RF L1 （0.8MHz） RF L2 （13MHz），适用于从第一和第二高频电源36,38离子提取，同时叠加在基座12上。根据规格，条件或配方该处理中，控制单元88控制高频波RF L1 ，RF L2 的总功率和功率比。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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