专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2010229477A Heusler alloy material, magnetoresistive element and magnetic device 有权
标题翻译：高压合金材料，磁性元件和磁性装置
公开(公告)号：JP2010229477A
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：JP2009077606
申请日：2009-03-26
申请人： Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学
发明人： OKANE MIKIHIKO , SATO JO , KUBOTA TAKAHIDE , NAGANUMA HIROSHI , ANDO YASUO
IPC分类号： C22C19/07 , H01F10/16 , H01F10/28 , H01F10/32 , H01F41/22 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a Heusler alloy material which has high spin polarization and low magnetic anisotropy and, therefore, can be applied to a magnetization free layer or a magnetization fixed layer of a highly magnetic field-sensitive magnetoresistive element, and to provide a magnetoresistive element and a magnetic device using the Heusler alloy material.
SOLUTION: The Heusler alloy material has a composition ratio of Co
2 (Fe
x Mn
1-x )Si alloy (x=0.1 to 0.9). The Heusler alloy material is formed via a substrate layer made of magnesium oxide or chromium oxide and, thereafter, is formed through heat treatment process.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有高自旋极化和低磁各向异性的Heusler合金材料，因此可以应用于高磁场敏感磁阻元件的无磁化层或磁化固定层，并提供使用Heusler合金材料的磁阻元件和磁性器件。解决方案：Heusler合金材料的组成比为Co 2 （Fe x Mn ）Si合金（x = 0.1〜0.9）。 Heusler合金材料通过由氧化镁或氧化铬制成的基底层形成，然后通过热处理工艺形成。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2012190914A Magnetoresistance effect element and magnetic device 审中-公开
标题翻译：磁阻效应元件和磁性器件
公开(公告)号：JP2012190914A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2011051678
申请日：2011-03-09
申请人： Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学
发明人： OKANE MIKIHIKO , SATO JO , NAGANUMA HIROSHI , ANDO YASUO
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3906 , G11B2005/3996
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistance effect element exhibiting a high MR ratio of 50% or more at room temperature and capable of achieving a recording density of several Tbit/inch, and to provide a magnetic device.SOLUTION: The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a CoFeMnSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween. The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在室温下具有50％以上的高MR比的磁阻效应元件，并且能够实现几个Tbit / inch的记录密度 2 < SP>，并提供磁性装置。解决方案：磁阻效应元件具有由Co 2 Fe x Si-Heusler合金（x = 0.0〜1.0），厚度为2-20nm，非磁性金属层14由 Ag夹在中间。磁阻效应元件具有由第一半金属铁磁层13下的Cr / Ag层构成的下层12，并且在第二半金属铁磁层15上具有由Ag / Ru层构成的抗氧化层16。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式