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1. 发明专利

JP2011176252A Method of making fine-pitch circuit traces 审中-公开
标题翻译：制造精细电路轨迹的方法
公开(公告)号：JP2011176252A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：JP2010067643
申请日：2010-03-24
申请人： Subtron Technology Co Ltd , 旭▲徳▼科技股▲分▼有限公司
发明人： WU CHIEN-NAN , HUANG GUAN-WEI
IPC分类号： H05K3/06
CPC分类号： H05K3/06 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of making fine-pitch circuit traces.
SOLUTION: A method of making fine-pitch circuit traces includes the steps of: preparing an insulative substrate 10 and disposing a conductive metal layer 20 on the insulative substrate 10; disposing on a whole or a part of a top surface of the conductive metal layer 20, a hetero layer 30 having an etching rate smaller than that of the conductive metal layer 20; continuously forming a mask 40 having a circuit trace pattern on the hetero layer 30 and performing wet etching; and finally removing the mask 40 and the hetero layer 30 so as to form fine-pitch circuit traces having a high etching factor.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供制造精细间距电路迹线的方法。解决方案：制作精细间距电路迹线的方法包括以下步骤：制备绝缘衬底10并在绝缘衬底10上设置导电金属层20; 设置在导电金属层20的整个或一部分顶表面上，具有蚀刻速率小于导电金属层20的蚀刻速率的异质层30; 在异质层30上连续地形成具有电路迹线图案的掩模40，并执行湿蚀刻; 最后去除掩模40和异质层30，以形成具有高腐蚀因子的细间距电路迹线。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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