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1. 发明专利

JP2015037188A 電力半導体素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：功率半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015037188A
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2014124128
申请日：2014-06-17
申请人：サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド. , Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： SONG IN HYUK , PARK JAE HOON , UM KEE JU , SEO DONG SOO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/063 , H01L29/0611 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/1095 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/7802
摘要：【課題】本発明は、電力半導体素子及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明は、第1導電型の第1ドリフト層と、上記ドリフト層に厚さ方向の上部に形成され、幅方向に第1導電型の第1半導体領域と第2導電型の第2半導体領域とが交互に形成される第1〜nリサーフ層と、上記第nリサーフ層の厚さ方向の上部に形成される第1導電型の第2ドリフト層と、上記第2ドリフト層に形成され、上記第2半導体領域の上部に形成される第2導電型のウェル領域と、上記ウェル領域の上部に形成される第1導電型のソース領域と、を含み、上記第1〜nリサーフ層に形成される上記第2半導体領域において幅方向に最も長い部分の長さをPnとしたときに、Pn−1≦̸Pn(但し、n≧2)である電力半導体素子に関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种功率半导体元件，其能够降低正向压降并具有高耐压性，并提供其制造方法。本发明的功率半导体元件包括：导电型第一漂移层; 在厚度方向上形成在漂移层上的第一至第n个第一重叠层，并且在宽度方向上交替形成第一导电类型的第一半导体区域和第二导电型第二半导体区域; 第一导电型第二漂移层，其形成在厚度方向上的第n个复合层上; 形成在第二漂移层中并形成在第二半导体区上的第二导电型阱区; 以及形成在阱区的上部的第一导电型源区。当宽度方向上形成在第1〜第n个再生层中的第2半导体区域的最长部分的长度为P时，满足下式：P≤P（n≥2）。

2. 发明专利

JP2014049744A Power semiconductor element and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：功率半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014049744A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012259801
申请日：2012-11-28
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： SONG IN HYUK , PARK JAE HOON , SEO DONG SOO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/6634 , H01L21/046 , H01L21/22 , H01L21/2253 , H01L21/265 , H01L21/3081 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/66325 , H01L29/66348 , H01L29/66674 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7825
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power semiconductor element capable of reducing a conduction loss, and reducing the change width of a threshold voltage and a method for manufacturing the power semiconductor element.SOLUTION: A power semiconductor element 100 comprises: a first conductive base substrate; a second conductive semiconductor substrate 110 formed on the other surface of the base substrate; a first conductive diffusion layer 140 formed on one surface of the base substrate with higher concentration than that of a first conductive drift layer 120; a trench formed so as to penetrate a second conductive well layer 170 and the first conductive diffusion layer 140 from one surface of the base substrate in a thickness direction; a first insulating film formed on one surface of the base substrate including the inner wall of the trench; and a first electrode 165 formed in the trench, in which the peak point of the impurity doping profile of the first conductive diffusion layer 140 is positioned in a region between a region below the second conductive well layer 170 and the lower surface of the trench.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低导通损耗并降低阈值电压的变化宽度的功率半导体元件和用于制造功率半导体元件的方法。解决方案：功率半导体元件100包括：第一导电基底基质; 形成在基底基板的另一个表面上的第二导电半导体衬底110; 在基底基板的一个表面上形成的浓度高于第一导电漂移层120的第一导电扩散层140; 形成为在厚度方向从基底基板的一个表面贯通第二导电性阱层170和第一导电性扩散层140的沟槽; 形成在所述基底基板的包括所述沟槽的内壁的一个表面上的第一绝缘膜; 以及形成在沟槽中的第一电极165，其中第一导电扩散层140的杂质掺杂分布的峰值点位于第二导电阱层170下面的区域和沟槽的下表面之间的区域中。

3. 发明专利

JP2013135222A Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013135222A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2012271981
申请日：2012-12-13
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： PARK JAEHOON , SEO DONG SOO
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/41 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/4236 , H01L29/66666 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element and a method of manufacturing the same, capable of removing a shoot-through phenomenon by forming capacitance between an electrode and a protruded lateral surface of a gate and particularly increasing a gate-source capacitance.SOLUTION: The semiconductor element comprises: a semiconductor body having a predetermined volume; a source formed on an upper surface of the semiconductor body; a gate formed in a groove of the semiconductor body and having a protrusion region protruded from the upper surface of the semiconductor body, the groove having a predetermined depth and the protrusion region having a protrusion height altered depending on capacitance to be set; and an electrode to form capacitance together with a lateral surface of the protrusion region of the gate. A method of manufacturing the semiconductor element is also provided.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种半导体元件及其制造方法，能够通过在电极和栅极的突出侧表面之间形成电容并且特别地增加栅源电容来去除直通现象。解决方案半导体元件包括：具有预定体积的半导体本体; 形成在所述半导体本体的上表面上的源极; 形成在所述半导体本体的沟槽中并且具有从所述半导体本体的上表面突出的突出区域的所述沟槽，所述沟槽具有预定深度，并且所述突起高度根据要设置的电容而改变的突起高度; 以及与栅极的突出区域的侧表面一起形成电容的电极。还提供了制造半导体元件的方法。

4. 发明专利

JP2013135213A Semiconductor element and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2013135213A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2012241613
申请日：2012-11-01
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： SEO DONG SOO , PARK JAE HOON
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0653 , H01L29/0834 , H01L29/6634 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor element and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A semiconductor element comprises: a semiconductor substrate which has a front surface and a back surface, and which has a p-type impurity region, a low-concentration n-type impurity region and an n-type impurity region formed from the front surface, in which the n-type impurity region includes a high-concentration p-type impurity region, and the n-type impurity region and the high-concentration p-type impurity region are exposed on the back surface; and a deep trench which is vertically formed on the semiconductor substrate, and which opens on the front surface of the semiconductor substrate, and which has a lower part connected to the high-concentration p-type impurity region. The semiconductor element and a manufacturing method of the same can increase an activation rate of a p-type impurity and prevent damages occurring in a thinned film process.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体元件及其制造方法。解决方案：半导体元件包括：半导体衬底，其具有前表面和后表面，并且具有p型杂质区域，低浓度n型杂质区域和由前表面形成的n型杂质区域，其中n型杂质区域包括高浓度p型杂质区域，n型杂质区域和高浓度p型杂质区域，浓度p型杂质区域暴露在背面; 以及深沟槽，其在半导体基板上垂直地形成，并且在半导体衬底的前表面上开口，并且具有连接到高浓度p型杂质区的下部。半导体元件及其制造方法可以增加p型杂质的活化率，并防止在薄膜处理中发生损伤。

5. 发明专利

JP2014038999A Trench-gate-type power semiconductor element 审中-公开
标题翻译： TRENCH-GATE型功率半导体元件
公开(公告)号：JP2014038999A
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：JP2012269439
申请日：2012-12-10
申请人： Samsung Electro-Mechanics Co Ltd , サムソンエレクトロ−メカニックスカンパニーリミテッド.
发明人： SONG IN HYUK , PARK JAE HOON , SEO DONG SOO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7827 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/41775 , H01L29/7397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a trench-gate-type power semiconductor element capable of preventing an increase in contact resistance and preventing product breakage phenomenon due to passing a large-capacity current by preventing deviation of a current in one direction.SOLUTION: A trench-gate-type power semiconductor element 100 according to the present invention includes: a semiconductor substrate 110; a drift layer 120 formed on the semiconductor substrate 110; a well layer 130 formed on the drift layer 120; a trench 140 formed so as to penetrate through the well layer 130 in the thickness direction and to reach the drift layer 120; a first insulating film 141 formed from a bottom surface 140b of the trench 140 to a predetermined height; a first electrode 150 formed in the trench 140 with a height lower than the first insulating film 141; an interlayer insulating film 160 formed in the trench 140 to the same height as the first insulating film 141; and a second electrode 170 formed on the well layer 130, having a portion corresponding to the trench 140 that is protrudingly formed in the trench 140, and being in contact with the interlayer insulating film 160.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沟槽栅型功率半导体元件，其能够防止接触电阻增加，并且通过防止电流在一个方向上的偏移而使大容量电流通过而防止产品破损现象。解决方案：A 根据本发明的沟槽栅型功率半导体元件100包括：半导体衬底110; 形成在半导体衬底110上的漂移层120; 形成在漂移层120上的阱层130; 形成为在厚度方向上穿透阱层130并到达漂移层120的沟槽140; 由沟槽140的底面140b形成为预定高度的第一绝缘膜141; 形成在沟槽140内的第一电极150的高度低于第一绝缘膜141; 在沟槽140中形成与第一绝缘膜141相同高度的层间绝缘膜160; 以及形成在阱层130上的第二电极170，其具有对应于突出地形成在沟槽140中并与层间绝缘膜160接触的沟槽140的部分。

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