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1. 发明专利

JP2013046332A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013046332A
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：JP2011184427
申请日：2011-08-26
申请人： Renesas Electronics Corp , ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： IWASAKI TADASHI
IPC分类号： H03K19/0175 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC分类号： H03K19/018571 , H03K19/018585 , H04L25/0278
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem with existing semiconductor devices that a current consumption varies depending on whether there is an emphasis.SOLUTION: A semiconductor device includes: a variable resistance 30 whose resistance value is a first resistance value in an emphasis mode and a second resistance value smaller than the first resistance value in a non-emphasis mode; a first drive section 10 whose output impedance is a third resistance value in the emphasis mode and a fourth resistance value larger than the third resistance value in the non-emphasis mode; a second drive section 11 whose output impedance is a fifth resistance value in the emphasis mode and a sixth resistance value larger than the fifth resistance value in the non-emphasis mode; and a control section for controlling conduction states of the first and second drive sections in response to an input signal, and switching the output impedances of the first and second drive sections and the resistance value of the variable resistance between the emphasis mode and the non-emphasis mode.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决现有半导体器件的电流消耗根据是否存在强调而变化的问题。解决方案：半导体器件包括：可变电阻30，其电阻值是加重模式中的第一电阻值，而第二电阻值小于非加重模式中的第一电阻值; 第一驱动部分10，其输出阻抗是加重模式中的第三电阻值;以及第四电阻值大于非加重模式中的第三电阻值; 第二驱动部分11，其输出阻抗是加重模式中的第五电阻值;以及第六电阻值大于非加重模式中的第五电阻值; 以及控制部分，用于响应于输入信号控制第一和第二驱动部分的导通状态，并且切换第一和第二驱动部分的输出阻抗以及加强模式与非驱动部分之间的可变电阻的电阻值，强调模式。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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