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1. 发明专利

JP2014203971A アンダーフィルフィルム、封止シート、半導体装置の製造方法及び半導体装置审中-公开
标题翻译：底片，密封片，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014203971A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013078907
申请日：2013-04-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： MORITA KOSUKE , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/3157 , C09J7/0207 , C09J7/38 , C09J2201/606 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/295 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/11002 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16238 , H01L2224/16268 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/29298 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75753 , H01L2224/8113 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/05432 , H01L2924/207 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：【課題】熱伝導性に優れるとともに、半導体素子と基板との間の空間を良好に充填できるアンダーフィルフィルム及び封止シートを提供する。【解決手段】樹脂及び熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーの含有量が50体積%以上であり、アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの平均粒径が30%以下の値であり、前記アンダーフィルフィルムの厚みに対して、前記熱伝導性フィラーの最大粒径が80%以下の値であるアンダーフィルフィルムに関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种导热性优良的底部填充膜和密封片，并且能够使半导体器件与衬底之间的空间充分充分。解决方案：底部填充膜包括：树脂和导热性填料。导热性填料的含量为50体积％以上。导热填料的平均粒径相对于底部填充膜的厚度为30％以下。导热性填料的最大粒径相对于底部填充膜的厚度为80％以下。

2. 发明专利

JP2020092157A ダイシングダイボンドフィルム审中-公开
公开(公告)号：JP2020092157A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018227882
申请日：2018-12-05
申请人： NITTO DENKO CORP
发明人： FUKUI AKIHIRO , TAKAMOTO HISAHIDE , KIMURA TAKEHIRO , SHISHIDO YUICHIRO , SUGIMURA TOSHIMASA
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/52
摘要：【課題】ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るためにダイシングダイボンドフィルム(DDAF)を使用して行うエキスパンド工程にて良好な割断を実現しつつ、チップ間の割断箇所につき十分なカーフ幅を確保するのに適した、DDAFを提供する。【解決手段】本発明のDDAFは、ダイボンドフィルム10およびダイシングテープ20を含む積層構造を有する。ダイボンドフィルム10は、ダイシングテープ20の有する粘着剤層22に剥離可能に密着している。ダイボンドフィルム10は、所定条件で行われる引張試験での破断伸度が20%以下である。このダイボンドフィルム10は、直径D1の円盤形状を有し、当該円盤形状と同心円の直径D2のウエハ貼着領域を含む。D1およびD2は、0

3. 发明专利

JP2014239151A アンダーフィル材、積層シート及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：下载材料，多层薄片和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014239151A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013120957
申请日：2013-06-07
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： FUKUI AKIHIRO , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , MORITA KOSUKE
IPC分类号： H01L21/60 , C09J7/02 , C09K3/10 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6836 , C08L33/08 , C09J163/00 , H01L24/13 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/131 , H01L2224/14181 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/94 , H01L2224/27 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0665
摘要：【課題】フラックス成分を含み、熱履歴が負荷されてもフラックス活性の維持が可能な耐熱保存性と、他の粘着剤層への経時的な移行が抑制された良好な非移行性とを有するアンダーフィル材及びこれを備える積層シート、並びに半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、フラックス成分として、分子量が300以上であり、かつ分子内にエステル結合を少なくとも1つ有する芳香族化合物を含むアンダーフィル材である。前記アンダーフィル材を100℃で1時間加熱した後の前記フラックス成分の初期含有量に対する重量減少率が50%未満であることが好ましい。【選択図】図2F
摘要翻译：要解决的问题：提供：包含助焊剂成分的底部填充材料，并且即使由于具有耐热保存性而在其上放置热滞的负载也能够保持助焊剂活性，并且其转移到另一种粘合剂由于具有良好的非迁移性，抑制了时间的层; 包括这种底部填充材料的多层片材; 和半导体器件的制造方法。解决方案：底部填充材料包含分子量为300以上的芳族化合物和其分子中的至少一个酯键作为助熔剂成分。优选将底部填充材料在100℃下加热1小时后的助熔剂成分的重量减少到其初始含量的比例小于50％。

4. 发明专利

JP2014210880A 熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：热固性树脂组合物和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014210880A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013088636
申请日：2013-04-19
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： MORITA KOSUKE , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： C08L63/00 , C08G59/62 , C08K3/00 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： C08L61/06 , C08G59/62 , C08L63/00 , C08L2203/206 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2744 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29371 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83123 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L2924/05442 , H01L2924/00 , C08L61/24
摘要：【課題】半導体素子と被着体との熱応答挙動の差を緩和することで部材の材質の利用可能性を確保しつつ、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な熱硬化性樹脂組成物及びこれを用いる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、エポキシ樹脂と、水酸基当量が200g/eq以上であるノボラック型フェノール樹脂とを含む半導体装置製造用の熱硬化性樹脂組成物である。前記ノボラック型フェノール樹脂は下記構造式で表わされる構造を含むことが好ましい。【選択図】図2F
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够制造具有高连接可靠性的半导体器件的热固性树脂组合物，同时通过减少半导体元件和被粘物之间的热响应行为的差异来确保构件的材料的可用性，以及制造方法使用其的半导体器件。解决方案：用于制造半导体器件的热固性树脂组合物含有环氧树脂和羟基当量为200g / eq以上的酚醛清漆型酚醛树脂。酚醛清漆型酚醛树脂优选包括由结构式表示的结构。

5. 发明专利

JP2014203964A アンダーフィル用接着フィルム、裏面研削用テープ一体型アンダーフィル用接着フィルム、ダイシングテープ一体型アンダーフィル用接着フィルム及び半導体装置审中-公开
标题翻译：用于底部的粘合膜，用于底层的粘合膜，用于背面研磨的胶带，用于与底层组合的粘合膜和半导体器件
公开(公告)号：JP2014203964A
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：JP2013078872
申请日：2013-04-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： MORITA KOSUKE , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , B32B27/38 , B32B27/42 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC分类号： C09J133/12 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B2264/10 , B32B2307/718 , B32B2405/00 , B32B2457/00 , C08G14/04 , C08K3/36 , C08L21/00 , C08L33/10 , C08L61/00 , C08L63/00 , C09J7/10 , C09J133/10 , C09J161/06 , C09J161/34 , C09J163/00 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2421/00 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/295 , H01L23/3142 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要：【課題】シート用アンダーフィル材において、可とう性を損なわずに、ガラス転移温度を高められるアンダーフィル用接着フィルムを提供する。【解決手段】数平均分子量が600以下のエポキシ樹脂、数平均分子量が500を超えるフェノール樹脂、及びエラストマーを含む樹脂成分を含み、前記樹脂成分中の前記エポキシ樹脂の含有量が5〜50重量%であり、前記フェノール樹脂の含有量が5〜50重量%であり、前記エラストマーの含有量が10〜40重量%であるアンダーフィル用接着フィルム。前記フェノール樹脂の水酸基当量が200g/eq以上である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于底部填充的粘合剂膜，其玻璃化转变温度可以在不牺牲柔性的情况下被增强，用于片材的底部填充材料。解决方案：用于底部填充的粘合剂膜包含含有数量的环氧树脂的树脂组分平均分子量为600以下，数均分子量超过500的酚醛树脂和弹性体。树脂成分中的环氧树脂的含量为5-50重量％，酚醛树脂的含量为5-50重量％，弹性体的含量为10〜40重量％。酚醛树脂的羟基当量为200g / eq以上。

6. 发明专利

JP2014170847A Method for manufacturing semiconductor device, sheet-like resin composition, and dicing tape integrated sheet-like resin composition 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法，片状树脂组合物和带状集成片状树脂组合物
公开(公告)号：JP2014170847A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013042128
申请日：2013-03-04
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , MORITA KOSUKE , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/60
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing dissolution of a sheet-like resin composition adhered to a surface of a wafer with a support when the support is separated from the wafer with the support in which the wafer is bonded to the support through a temporary joint layer.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step A for preparing a wafer with a support in which the support is bonded to one surface of the wafer where a through electrode is formed thereon, through a temporary joint layer; a step B for preparing a dicing tape integrated sheet-like resin composition having a dicing tape, a sheet-like resin composition laminated on a central part of the dicing tape and a barrier layer laminated on an outside region of the central part of the dicing tape; a step C for adhering the other surface of the wafer with the support to the sheet-like resin composition of the dicing tape integrated sheet-like resin composition; and a step D for separating the support from the wafer by dissolving the temporary layer with a solvent.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件能够在支撑体与晶片分离时利用支撑体抑制粘附到晶片表面的片状树脂组合物的溶解，其中晶片通过临时接合层粘合到支撑体上。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法，包括：步骤A，用于制备具有支撑体的晶片，其中支撑体结合到晶片的形成通孔的一个表面通过临时接合层; 制备具有切割带的切割带集成片状树脂组合物的步骤B，层压在切割带的中心部分上的片状树脂组合物和层压在切割部分的中心部分的外部区域上的阻挡层胶带; 用于将具有支撑体的晶片的另一表面粘附到切割带一体的片状树脂组合物的片状树脂组合物的步骤C; 以及通过用溶剂溶解临时层而将载体与晶片分离的步骤D.

7. 发明专利

JP2014170845A Method for manufacturing semiconductor device, sheet-like resin composition, and dicing tape integrated sheet-like resin composition 审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法，片状树脂组合物和带状集成片状树脂组合物
公开(公告)号：JP2014170845A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013042123
申请日：2013-03-04
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , MORITA KOSUKE , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of suppressing dissolution of a sheet-like resin composition adhered to a surface of a wafer with a support when the support is separated from the wafer with the support in which the wafer is bonded to the support through a temporary joint layer.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step A for preparing a wafer with a support in which the support is bonded to one surface of the wafer where a through electrode is formed thereon, through a temporary joint layer; a step B for preparing a dicing tape integrated sheet-like resin composition in which a sheet-like resin composition having an outer shape being smaller than an other surface of the wafer, is formed on a dicing tape; a step C for adhering the other surface of the wafer with the support to the sheet-like resin composition of the dicing tape integrated sheet-like resin composition; and a step D for separating the support from the wafer by dissolving the temporary layer with a solvent.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件能够在支撑体与晶片分离时利用支撑体抑制粘附到晶片表面的片状树脂组合物的溶解，其中晶片通过临时接合层粘合到支撑体上。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法，包括：步骤A，用于制备具有支撑体的晶片，其中支撑体结合到晶片的形成通孔的一个表面通过临时接合层; 在切割带上形成具有小于晶片的其他表面的外形的片状树脂组合物的切割带一体的片状树脂组合物的工序B; 用于将具有支撑体的晶片的另一表面粘附到切割带一体的片状树脂组合物的片状树脂组合物的步骤C; 以及通过用溶剂溶解临时层而将载体与晶片分离的步骤D.

8. 发明专利

JP2014236152A シート状樹脂組成物、裏面研削用テープ一体型シート状樹脂組成物、ダイシングテープ一体型シート状樹脂組成物、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置有权
标题翻译：片状树脂组合物，背面研磨胶带类型片状树脂组合物，带状粘合型板状树脂组合物，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2014236152A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118009
申请日：2013-06-04
申请人：日東電工株式会社 , Nitto Denko Corp
发明人： HANAZONO HIROYUKI , TAKAMOTO HISAHIDE , MORITA KOSUKE , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/10 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , C09J2479/08 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83862 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/27 , H01L2224/11 , H01L2924/0665 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要：【課題】高温での耐久性に優れ、且つ、アンダーフィル用のシートとして好適に使用できるシート状樹脂組成物を提供すること。【解決手段】被着体と被着体上にフリップチップ接続された半導体素子との界面封止に用いられるシート状樹脂組成物であって、昇温速度10℃/minにて、25℃から300℃まで昇温した際の重量減少率が2%以下であり、カールフィッシャー法による吸湿率が1%以下であり、酸解離定数が3.0以上5.0以下の範囲内にある有機酸をシート状樹脂組成物全体に対して1重量%以上10重量%以下の範囲内で含有するシート状樹脂組成物。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在高温下耐久性优异的片状树脂组合物，其可以优选用作底部填充片。溶解性：使用片状树脂组合物来密封安装目标和在安装目标上的倒装芯片连接的半导体器件。片状树脂组合物包含对整个片状树脂组合物的有机酸在1-10重量％的范围内。对于有机酸，以10℃/分钟的升温速度将温度从25℃升温至300℃时的重量减少率为2％以下; 根据卡尔费休法的吸水率为1％以下; 酸解离常数在3.0-5.0的范围内。

9. 发明专利

JP2014165206A Underfill sheet, tape-integrated underfill sheet for back grinding, dicing tape-integrated underfill sheet and method of manufacturing semiconductor device 有权
标题翻译：底板，用于背面研磨的带状集成底板，拼接组合底板和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2014165206A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2013032386
申请日：2013-02-21
申请人： Nitto Denko Corp , 日東電工株式会社
发明人： MORITA KOSUKE , TAKAMOTO HISAHIDE , HANAZONO HIROYUKI , FUKUI AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/10 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09K3/10 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L21/563 , B32B27/38 , B32B2264/102 , B32B2457/14 , C08G59/621 , C08J5/18 , C08J2333/08 , C08J2333/12 , C08J2361/10 , C08J2433/08 , C08J2433/12 , C08J2433/20 , C08J2463/00 , C08L33/06 , C09J133/08 , C09J163/00 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/84862 , H01L2924/00011 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2924/066 , H01L2924/00 , H01L2224/81805
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an underfill sheet which can fill the protrusions and recesses in the circuit surface of a semiconductor element well, can connect the terminals of the semiconductor element and an attached body well, and can reduce outgassing.SOLUTION: An underfill sheet has a viscosity of 1000-10000 Pa s at 150°C, 0.05-0.20 rev/min, and a lowest viscosity of 100 Pa s or more at 100-200°C, 0.3-0.7 rev/min.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够将半导体元件的电路表面中的突起和凹部填充的底部填充片能够良好地连接半导体元件的端子和附接体，并且可以减少排气。解决方案：底部填充片材在150℃，粘度为1000-10000Pa·s，0.05-0.20转/分钟，100-200℃下的最低粘度为100Pa·s以上，0.3-0.7转/分钟。

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