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1. 发明专利

JP2015002318A 太陽電池モジュール及びその製造方法有权
标题翻译：太阳能电池模块及其制造方法
公开(公告)号：JP2015002318A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013127349
申请日：2013-06-18
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： NISHIKAWA YUSUKE , OKUDA SATOSHI , YASUI SHINICHI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】太陽電池モジュールの小型化を図ってモジュール変換効率を向上させるとともに、コストダウン及び重量の軽減を実現し、さらに、外観上の意匠性を高めた太陽電池モジュール及びその製造方法を得ること。【解決手段】複数の太陽電池セル1をタブ線5で連結して形成された太陽電池ストリングと、透光性基板2と、透光性基板2との間に太陽電池ストリングが複数配置される裏面保護材と、透光性基板2と裏面保護材との間に配置された複数の太陽電池ストリングを直列に接続する横タブ線6a,6bと、直列に接続された複数の太陽電池ストリングから電力を取り出すための引き出し線7a,7bと、透光性基板2と裏面保護材との間に複数の太陽電池ストリングを封止する封止材3とを有する太陽電池モジュール50であって、横タブ線6a,6b線及び引き出し線7a,7bを、透光性基板2の側面に配置した。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过实现太阳能电池模块的小型化来提高模块转换效率的太阳能电池模块，实现成本降低和重量减轻，并且改善外观设计及其制造方法。解决方案：太阳能电池模块 50包括：通过接头线5连接多个太阳能电池1而形成的太阳能电池串; 半透明基板2; 在后侧保护材料和透光性基板2之间配置有多个太阳能电池串的背面保护材料; 串联连接设置在透光性基板2和后侧保护材料之间的多个太阳能电池串的水平接头线6a，6b; 用于从串联连接的多个太阳能电池串提取电力的引线7a和7b; 以及用于将透明基板2和后侧保护材料之间的多个太阳能电池串封装的封装材料3。水平突出线6a和6b以及引线7a和7b设置在透光性基板2的侧面上。

2. 发明专利

JP2014216388A 太陽電池モジュール及び太陽電池セル有权
标题翻译：太阳能电池模块和太阳能电池
公开(公告)号：JP2014216388A
公开(公告)日：2014-11-17
申请号：JP2013090621
申请日：2013-04-23
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： YASUI SHINICHI , NISHIKAWA YUSUKE
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/05
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】タブ電極に丸線の導体を用いて、太陽電池セルのバスバーと安定した接続を図る。【解決手段】太陽電池セル上に、光起電力によって生じた電流を集電する複数のフィンガー電極と、フィンガー電極に接続された帯状のバスバー電極とを備え、バスバー電極は、複数のドット状パターンが配列した構成を有し、バスバー電極の幅方向において中心側に位置するものより外縁側に位置するものの方が、最大厚みが大きくなっており、断面円形のワイヤーからなるタブ電極と接合されている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：通过使用突片电极中的圆线导体，与太阳能电池的母线稳定连接。解决方案：多个指状电极，用于收集由光电动势产生的电流，以及带状母线电极与手指电极连接设置在太阳能电池上。母线电极具有布置多个点状图案的构造。位于外缘侧的母线电极的最大厚度大于母线电极的宽度方向中央侧的汇流条电极的最大厚度，并且接合到由具有圆形截面。

3. 发明专利

JP2014154675A Photoelectric conversion module and manufacturing method therefor 有权
标题翻译：光电转换模块及其制造方法
公开(公告)号：JP2014154675A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：JP2013022382
申请日：2013-02-07
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SUGAWARA KATSUTOSHI , FUJIOKA YASUSHI , NISHIKAWA YUSUKE , YASUI SHINICHI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photoelectric conversion module in which PID phenomenon can be suppressed by an inexpensive and convenient configuration.SOLUTION: In a photoelectric conversion module 100 where a photoelectric conversion cell 10, using a crystalline semiconductor substrate having an insulating film formed on the light-receiving surface side surface, is sealed between a light-receiving surface side protective glass 31 and a rear surface side protective member 32 via a sealant 33, a low density layer (porous silicon nitride layer 41) containing silicon nitride or silicon nitride and silicon oxide as a main component, containing a cavity internally and having a density lower than that of the silicon nitride, is provided between the light-receiving surface side protective glass 31 and the photoelectric conversion cell 10.
摘要翻译：要解决的问题：获得可以通过廉价且方便的配置来抑制PID现象的光电转换模块。解决方案：在光电转换模块100中，使用形成有绝缘膜的晶体半导体衬底的光电转换单元10 在受光面侧表面经由密封剂33密封在受光面侧保护玻璃31和背面侧保护部件32之间，含有氮化硅或硅的低密度层（多孔氮化硅层41）在受光面侧保护玻璃31和光电转换电池10之间设置氮化物和氧化硅作为主要成分，在内部包含密度低于氮化硅的密度。

4. 发明专利

JP2014130943A Solar cell and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2014130943A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012288408
申请日：2012-12-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKAMURA KEISUKE , YAMAMUKA MIKIO , FURUHATA TAKEO , YAMAGUCHI SHINSAKU , SHINAGAWA TOMOHIRO , YASUI SHINICHI
IPC分类号： H01L31/06 , H01L21/205
CPC分类号： Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form an excellent junction interface by maintaining the interface of an n-type semiconductor layer deposited on a rear side and a crystal silicon substrate in a clean state of less impurities, when using an n-type crystal silicon substrate as the crystal silicon substrate, in the manufacture of a heterojunction solar cell.SOLUTION: A manufacturing method of a solar cell includes a first step for forming a protective layer on the rear side of a crystalline semiconductor substrate, a second step for forming an intrinsic semiconductor layer and a p-type amorphous semiconductor layer on a light-receiving surface, a third step for removing the protective layer, and a fourth layer for forming an intrinsic semiconductor layer and an n-type amorphous semiconductor layer on the rear side, being carried out in this order.
摘要翻译：要解决的问题：为了通过保持沉积在后侧的n型半导体层与晶体硅衬底的界面在较少杂质的清洁状态下形成优异的接合界面，当使用n型晶体硅衬底作为晶体硅衬底，制造异质结太阳能电池。解决方案：太阳能电池的制造方法包括在晶体半导体衬底的后侧形成保护层的第一步骤，用于形成本征半导体的第二步骤层和在受光面上的p型非晶半导体层，用于去除保护层的第三步骤，以及用于形成背面的本征半导体层和n型非晶半导体层的第四层，被携带在这个顺序。

5. 发明专利

JP2014072406A Solar cell and manufacturing method therefor, solar cell module 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法，太阳能电池模块
公开(公告)号：JP2014072406A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012217875
申请日：2012-09-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： SHINAGAWA TOMOHIRO , YAMAGUCHI SHINSAKU , YASUI SHINICHI , SUGAWARA KATSUTOSHI , TANIGUCHI TOMOYUKI , FURUHATA TAKEO
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell having an intrinsic amorphous silicon-based thin film layer between a conductivity type crystal silicon-based substrate and a conductivity type crystal silicon-based thin film layer, in which defects on the boundary surface of the conductivity type crystal silicon-based substrate and in the intrinsic amorphous silicon-based thin film layer are reduced and excellent photoelectric conversion efficiency is ensured.SOLUTION: In a solar cell where an intrinsic amorphous silicon-based thin film layer 21, a conductivity type crystal silicon-based thin film layer 22, and an electrode 23 are laminated, in this order, on a principal surface of a conductivity type crystal silicon-based substrate 1, the intrinsic amorphous silicon-based thin film layer 21 has, as a plurality of peaks of hydrogen density, one or more film peak in the film, and one more surface layer peak in the boundary region to the conductivity type crystal silicon-based thin film layer 22.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在导电型晶体硅基基板和导电型晶体硅基薄膜层之间具有本征非晶硅基薄膜层的太阳能电池，其中，在导电型晶体硅基基板和本征非晶硅基薄膜层中的光电转换效率降低，并且确保了优异的光电转换效率。在本征非晶硅系薄膜层21，导电型晶体硅基薄膜层22和电极23依次叠层在导电型晶体硅基基板1的主表面上，本征非晶硅基薄膜层21具有多个氢密度峰，膜中的一个或多个膜峰，以及边界区中另一个表面层峰到导电型晶体硅基薄膜层呃22。

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