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    • 2. 发明专利
    • Semiconductor device, semiconductor laminated module structure, laminated module structure and manufacturing methods of those
    • 半导体器件,半导体层压模块结构,层压模块结构及其制造方法
    • JP2014093430A
    • 2014-05-19
    • JP2012243276
    • 2012-11-05
    • J Devices:Kk株式会社ジェイデバイス
    • INOUE KOJIKATSUMATA AKIOSAWACHI SHIGENORIYAMAGATA OSATAKE
    • H01L23/12H01L21/56H01L23/29H01L23/31H01L25/04H01L25/065H01L25/07H01L25/18
    • H01L24/96H01L24/97H01L2224/12105H01L2224/19H01L2224/32225H01L2224/73267H01L2224/92244H01L2224/97H01L2224/82H01L2224/83H01L2924/00012
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which easily enables vertical lamination of LSI chips having different sizes from each other.SOLUTION: A semiconductor device comprises: an insulating substrate; a semiconductor element mounted on one principal surface of the insulating substrate with an element circuit surface up; a first insulating material layer A for encapsulating a top face of the element circuit surface of the semiconductor element and a top face of the insulating substrate around the element circuit surface; a first metal thin film wiring layer which is arranged on the first insulating material layer A and a part of which is exposed outside; a first insulating material layer B arranged on the first metal thin film wiring layer; a second insulating material layer arranged on the other principal surface of the insulating substrate; a second metal thin film wiring layer which is arranged in the second insulating material layer and a part of which is exposed outside; a via which pierces the insulating substrate and electrically connects the first metal thin film wiring layer and the second metal thin film wiring layer; and an external electrode formed on the first metal thin film wiring layer. The semiconductor device has a structure in which the second metal thin film wiring layer, an electrode arranged on the element circuit surface of the semiconductor element, the first metal thin film wiring layer, the via and the external electrode on the first metal thin film wiring layer are electrically connected.
    • 要解决的问题:提供一种容易实现彼此不同尺寸的LSI芯片的垂直层叠的半导体器件。解决方案:半导体器件包括:绝缘基板; 半导体元件安装在绝缘基板的一个主表面上,元件电路表面向上; 用于封装半导体元件的元件电路表面的顶面和围绕元件电路表面的绝缘基板的顶面的第一绝缘材料层A; 第一金属薄膜布线层,其布置在第一绝缘材料层A上并且其一部分暴露在外部; 布置在第一金属薄膜布线层上的第一绝缘材料层B; 布置在所述绝缘基板的另一个主表面上的第二绝缘材料层; 第二金属薄膜布线层,其布置在第二绝缘材料层中并且其一部分暴露在外部; 穿过所述绝缘基板并将所述第一金属薄膜布线层与所述第二金属薄膜布线层电连接的通孔; 以及形成在第一金属薄膜布线层上的外部电极。 半导体器件具有这样的结构,其中第一金属薄膜布线层,布置在半导体元件的元件电路表面上的电极,第一金属薄膜布线层,通孔和外部电极在第一金属薄膜布线 层电连接。
    • 4. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2014220537A
    • 2014-11-20
    • JP2014172343
    • 2014-08-27
    • 株式会社ジェイデバイスJ Devices:Kk株式会社東芝Toshiba Corp
    • IMAIZUMI YUKARIKAWAZU TAKESHIKUDO ISAOKATSUMATA AKIOHIRUTA YOICHI
    • H01L23/29
    • H01L2224/16145H01L2224/32225H01L2224/48091H01L2224/48227H01L2224/49171H01L2224/73204H01L2224/73265H01L2225/06562H01L2924/15311H01L2924/1815H01L2924/00014H01L2924/00
    • 【課題】本発明は、半導体素子動作時の熱を効果的に封止部材内部に拡散させ、半導体装置の放熱性の向上、熱抵抗の低減を実現する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置において、基板と、基板上に配置される半導体素子と、半導体素子上に配置される放熱部材と、基板の上部と、半導体素子と、放熱部材とを被覆する封止部材とを備え、放熱部材の半導体素子に配置される面の表面積は、半導体素子の放熱部材が配置される面の表面積よりも大きいことを特徴とする。本発明に係る半導体装置によれば、封止部材内部に放熱部材を埋め込むことによって、従来の放熱部材より小さな面積の放熱部材によって半導体素子動作時の熱を効果的に封止部材内部に拡散させ、半導体装置の放熱性を向上させ、熱抵抗の低減を図ることが可能となる。【選択図】図4
    • 要解决的问题:提供一种将半导体元件的工作中产生的热量有效地分散在密封部件中的半导体器件,提高半导体器件的散热性能,降低耐热性。解决方案:半导体器件包括基板, 设置在所述基板上的半导体元件,设置在所述半导体元件上的散热构件,以及覆盖所述基板的上部,所述半导体元件和所述散热构件的密封构件。 设置在散热元件的半导体元件上的表面的表面积大于设置有半导体元件的散热构件的表面的表面积。 根据本发明的半导体装置,散热构件被埋在密封构件的内部,从而通过散热构件将半导体元件的操作期间产生的热量有效地分散到密封构件的面积小于 传统的散热构件,提高半导体器件的散热性能,降低耐热性。