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1. 发明专利

JP2011249405A Plasma cleaning method of dry etching device 有权
标题翻译：干蚀刻装置的等离子体清洗方法
公开(公告)号：JP2011249405A
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：JP2010118390
申请日：2010-05-24
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： ONO TETSUO , SAITO TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve cleaning problems in a dry etching device for treating a high-k/metal gate.SOLUTION: After dry etching of a high-k/metal gate structure, plasma cleaning of gas containing chlorine such as Cland BCland no fluorine is performed, followed by plasma cleaning of gas containing fluorine such as SF, CFand NF.
摘要翻译：解决的问题：为了解决用于处理高k /金属栅极的干蚀刻装置中的清洗问题。解决方案：在高k /金属栅极结构的干蚀刻之后，等离子体清洗含氯的气体，例如Cl 2 和BCl 3 ，不进行氟化，然后等离子体清洗含氟气体，例如SF 6 ，CF 4 和NF 3 。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2014131086A Plasma processing method 审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法
公开(公告)号：JP2014131086A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2014081175
申请日：2014-04-10
申请人： Hitachi High-Technologies Corp , 株式会社日立ハイテクノロジーズ
发明人： ONO TETSUO , SAITO TSUYOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To perform microprocessing in a semiconductor having a structure formed by depositing a metal conductor for controlling work-function on a high dielectric constant insulating film, without degrading an element.SOLUTION: In a plasma processing method, a conductive film 103 containing Ti, Ta or Ru formed above an insulating film 102 containing Hf or Zr is subjected to plasma etching by using a resist 107 that is preliminarily patterned into a dimension of 65 nm or smaller. After the conductive film 103 is subjected to the plasma etching, the resist 107 is removed by plasma using Hgas 108 while supplying a bias power to a semiconductor substrate 101 having the conductor film 103.
摘要翻译：要解决的问题：在具有通过在高介电常数绝缘膜上沉积用于控制功函数的金属导体形成的结构的半导体中进行微处理而不降低元素。解决方案：在等离子体处理方法中，导电膜103 通过使用预先图案化为65nm以下的尺寸的抗蚀剂107，对包含Hf或Zr的绝缘膜102上方形成的含有Ti，Ta或Ru进行等离子体蚀刻。在对导电膜103进行等离子体蚀刻之后，通过使用Hgas 108的等离子体去除抗蚀剂107，同时向具有导体膜103的半导体衬底101提供偏置功率。

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