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1. 发明专利

JP2014027146A Polishing solution and substrate polishing method using polishing solution 审中-公开
标题翻译：抛光溶液和抛光方法使用抛光溶液
公开(公告)号：JP2014027146A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2012166995
申请日：2012-07-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , OTA MUNEHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI , YOSHIKAWA TAKAHIRO , SHINODA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution and a substrate polishing method using the polishing solution, which can improve a polishing speed of a polished film and further improve surface smoothness after polishing in a CMP technique for polishing the polished film formed on a surface of the substrate.SOLUTION: A polishing solution for CMP of pH 4.8-5.2 contains cerium oxide particles, a pH buffer solution, a polymer compound B having a carboxylic acid group or a carboxylate group, and water. The pH buffer solution has an amount of pH change between a liquid concentrate pH and pH after 3 fold dilution of the buffer solution is 0.2 and under and the buffer solution contains acid A having pKa of 4-6, in which a content of the polymer compound B to a total mass of the polishing solution is 0.02 mass% and over and a total of contents of the acid A and the polymer compound B is 0.6 mass% and under with respect to the total mass of the polishing solution.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用抛光液的抛光溶液和基板研磨方法，其可以提高抛光膜的抛光速度，并且在用于抛光形成在表面上的抛光膜的CMP技术中进一步提高抛光后的表面平滑度的溶液。溶液：pH 4.8-5.2的CMP抛光溶液含有氧化铈颗粒，pH缓冲溶液，具有羧酸基团或羧酸盐基团的高分子化合物B和水。 pH缓冲溶液在缓冲溶液稀释3倍以后在液体浓度pH和pH之间具有一定量的pH值变化，缓冲溶液含有pKa为4-6的酸A，其中聚合物的含量化合物B相对于研磨液的总质量为0.02质量％以上，酸A和高分子化合物B的总含量为0.6质量％以下。

2. 发明专利

JP2013149987A Polishing solution and substrate polishing method using the same 有权
标题翻译：抛光溶液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2013149987A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013037141
申请日：2013-02-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SHINODA TAKASHI , OTA MUNEHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , TAKIZAWA TOSHIO , YOSHIKAWA TAKAHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution which can improve a polishing speed of a polished film and improve surface flatness after polishing in a CMP technique that planarizes an interlayer insulation film and a polished film such as a BPSG film and an STI film.SOLUTION: In a polishing solution for polishing an inorganic insulation film, which is a polishing solution for CMP containing cerium oxide particles, p-toluenesulfonic acid, polymer B having a carboxylic acid group or a carboxylic acid base, and water. A p-toluenesulfonic acid content to a total mass of the polishing solution is 0.001-1 mass%, a content of polymer B to the total mass of the polishing solution is 0.01-0.50 mass%, and pH is not less than 4.0 and not more than 7.0.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高抛光膜的抛光速度并且在CMP技术中提高抛光后的表面平坦度的抛光溶液，其中平版化层间绝缘膜和抛光膜如BPSG膜和STI膜。解决方案：在用于抛光作为含有二氧化铈颗粒的CMP的抛光溶液的无机绝缘膜的抛光溶液中，对甲苯磺酸，具有羧酸基或羧酸碱的聚合物B和水。相对于研磨液的总质量的对甲苯磺酸含量为0.001〜1质量％，聚合物B相对于研磨液的总质量的含量为0.01-0.50质量％，pH为4.0以上超过7.0。

3. 发明专利

JP2015023122A 研磨液及びその製造方法、並びに研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光液及其生产方法及抛光方法
公开(公告)号：JP2015023122A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013149393
申请日：2013-07-18
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： MATSUMOTO TAKAAKI , SHINODA TAKASHI , FUKAZAWA MASATO , YOSHIKAWA SHIGERU , YOSHIKAWA TAKAHIRO , TANAKA TAKAAKI , YAMASHITA TETSURO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：【課題】基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するCMP技術において、配線密度依存性が小さい上に、研磨後の表面平坦性及びオーバー研磨耐性に優れる研磨液を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子と、アクリル酸系重合体と、有機酸化合物と、pH調整剤と、水とを含有し、アクリル酸系重合体が、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む単量体成分を重合させて得られる重合体であり、当該重合体が、硝酸基、硝酸塩基、亜硝酸基及び亜硝酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を末端基として有し、pHが4.0以上5.5以下である研磨液。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种对布线的依赖性小，抛光后的表面平坦度和超抛光耐受性优异的抛光液，用于研磨在基材表面形成的研磨膜的CMP技术。溶液：抛光液含有氧化铈颗粒，丙烯酸类聚合物，有机化合物，pH调节剂和水。丙烯酸类聚合物通过聚合含有选自丙烯酸和甲基丙烯酸中的至少一种的单体组分而获得。聚合物具有选自由硝酸基，硝酸碱，亚硝酸基和亚硝酸碱组成的组中的至少一种作为末端基团，并且pH为4.0-5.5。

4. 发明专利

JP2015008212A 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2015008212A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013132721
申请日：2013-06-25
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： TANAKA TAKAAKI , FUKAZAWA MASATO , SHINODA TAKASHI , YOSHIKAWA TAKAHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , MATSUMOTO TAKAAKI , YAMASHITA TETSURO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：【課題】研磨後の平坦性を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供すること。【解決手段】酸化セリウム粒子、有機酸A、高分子化合物B及び水を含むCMP用の研磨液であって、有機酸Aは、−COOM基、−Ph−OM基、−SO3M基及び−PO3M2基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸AのpKaが9未満であり、高分子化合物Bは、カルボン酸基及びカルボン酸塩基からなる群より選択される少なくとも一種と、亜硫酸基及び亜硫酸塩基からなる群より選択される少なくとも一種とを有する、研磨液。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高抛光后的平坦度的抛光液，以及使用研磨液的基板研磨方法。溶液：CMP用研磨液含有氧化铈粒子，有机酸A，高分子化合物B和水。有机酸A具有选自-COOM基团，-Ph-OM基团，-SOM基团和-POM基团中的至少一个基团。有机酸A的pKa小于9.聚合物化合物B具有选自羧酸基和羧酸酯基中的至少一种，以及选自亚硫酸基和亚硫酸盐基。

5. 发明专利

JP2013149988A Polishing solution and substrate polishing method using the same 有权
标题翻译：抛光溶液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2013149988A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013037142
申请日：2013-02-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SHINODA TAKASHI , OTA MUNEHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , TAKIZAWA TOSHIO , YOSHIKAWA TAKAHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution which can improve a polishing speed of a polished film and improve surface flatness after polishing in a CMP technique that planarizes an interlayer insulation film and a polished film such as a BPSG film and an STI film.SOLUTION: In a polishing solution for CMP containing cerium oxide particles, p-toluenesulfonic acid, polymer B having a carboxylic acid group or a carboxylic acid base, and water. A p-toluenesulfonic acid content to a total mass of the polishing solution is 0.001-1 mass%, a content of polymer B to the total mass of the polishing solution is 0.01-0.50 mass%, and a pH is not less than 4.0 and not more than 7.0.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高抛光膜的抛光速度并且在CMP技术中提高抛光后的表面平坦度的抛光溶液，其中平版化层间绝缘膜和抛光膜如BPSG膜和STI膜。解决方案：在含有二氧化铈颗粒，对甲苯磺酸，具有羧酸基的聚合物B或羧酸碱的CMP的抛光溶液中，和水。相对于研磨液的总质量的对甲苯磺酸含量为0.001〜1质量％，聚合物B相对于研磨液的总质量的含量为0.01-0.50质量％，pH为4.0以上，不超过7.0。

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