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1. 发明专利

JP2014160827A Metal film polishing liquid and polishing method 有权
标题翻译：金属膜抛光液和抛光方法
公开(公告)号：JP2014160827A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2014046742
申请日：2014-03-10
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： TANAKA TAKAAKI , FUKAZAWA MASATO , NOBE SHIGERU , SAKURADA TAKASHI , SHINODA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a metal film polishing liquid and a polishing method for improving flatness of a surface to be polished by preventing erosion and seam generation while maintaining a satisfactory polishing speed with respect to an interlayer insulator film.SOLUTION: The metal film polishing liquid contains: abrasive grains; water soluble polymers containing methacrylic acid based polymers for 0.001 to 15 g with respect to a total quantity 100 g of all components in the polishing liquid; at least one kind of oxidized metal melting agent selected from among organic acid, organic acid ester and salt of organic acid; an anticorrosive agent for a metal; at least one kind of organic solvent selected from among glycol mono-ether, alcohols and ether; and water. An weight-average molecular weight of the methacrylic acid based polymers is 3,000 to 100,000 and the methacrylic acid based polymer contains at least one kind selected from among homopolymers of methacrylic acid and copolymers of the methacrylic acid and monomers copolymerizable with the methacrylic acid.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种金属膜研磨液和抛光方法，用于通过防止侵蚀和接缝产生，同时保持相对于层间绝缘膜的令人满意的抛光速度来提高待抛光表面的平整度。解决方案：金属膜抛光液含有：磨粒; 含有甲基丙烯酸类聚合物的水溶性聚合物相对于研磨液中的所有组分的总量为0.001〜15g; 选自有机酸，有机酸酯和有机酸盐中的至少一种氧化金属熔融剂; 用于金属的防腐剂; 至少一种选自乙二醇单醚，醇和醚的有机溶剂; 和水。甲基丙烯酸类聚合物的重均分子量为3,000〜100,000，甲基丙烯酸系聚合物含有选自甲基丙烯酸的均聚物和甲基丙烯酸与可与甲基丙烯酸共聚的单体的共聚物中的至少一种。

2. 发明专利

JP2014057071A Polishing liquid for cmp and polishing method 有权
标题翻译：抛光液用于CMP和抛光方法
公开(公告)号：JP2014057071A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013194019
申请日：2013-09-19
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SHINODA TAKASHI , TANAKA TAKAAKI , KANAMARU MAMIKO , AMANOKURA HITOSHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/04 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a polishing liquid for CMP having good dispersion stability and a high speed in polishing an interlayer insulating film; and a polishing method.SOLUTION: A polishing liquid for CMP contains a medium and colloidal silica particles. The colloidal silica particles satisfy the following conditions: (1) a two-axis average primary particle diameter (R) obtained from images of twenty arbitrarily selected colloidal silica particles observed by a scanning electron microscope is in a range of 35 to 55 nm; (2) a value (S/S) obtained by dividing a specific surface area (S) of the colloidal silica particles measured by a BET method by a calculated specific surface area (S) of a true sphere having the same particle diameter as the two-axis average primary particle diameter (R) is 1.20 or less; and (3) a ratio (association degree: Rs/R) of a secondary particle diameter (Rs) of the colloidal silica particles in the polishing liquid for CMP, measured with a dynamic light scattering particle size distribution analyzer, and the two-axis average primary particle diameter (R) is 1.30 or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供：用于CMP的抛光液，具有良好的分散稳定性和高速抛光层间绝缘膜; 和抛光方法。解决方案：CMP的抛光液含有介质和胶体二氧化硅颗粒。胶体二氧化硅粒子满足以下条件：（1）通过扫描电子显微镜观察到的20个任意选择的胶体二氧化硅粒子的图像得到的2轴平均一次粒径（R）在35〜55nm的范围内，（2）通过将通过BET法测定的胶体二氧化硅粒子的比表面积（S）除以与粒径相同的真实球体的计算比表面积（S）得到的值（S / S）两轴平均一次粒径（R）为1.20以下; 和（3）用动态光散射粒度分布分析仪测定的CMP用研磨液中的胶体二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）的比（相关度：Rs / R），双轴平均一次粒径（R）为1.30以下。

3. 发明专利

JP2013149988A Polishing solution and substrate polishing method using the same 有权
标题翻译：抛光溶液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2013149988A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013037142
申请日：2013-02-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SHINODA TAKASHI , OTA MUNEHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , TAKIZAWA TOSHIO , YOSHIKAWA TAKAHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution which can improve a polishing speed of a polished film and improve surface flatness after polishing in a CMP technique that planarizes an interlayer insulation film and a polished film such as a BPSG film and an STI film.SOLUTION: In a polishing solution for CMP containing cerium oxide particles, p-toluenesulfonic acid, polymer B having a carboxylic acid group or a carboxylic acid base, and water. A p-toluenesulfonic acid content to a total mass of the polishing solution is 0.001-1 mass%, a content of polymer B to the total mass of the polishing solution is 0.01-0.50 mass%, and a pH is not less than 4.0 and not more than 7.0.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高抛光膜的抛光速度并且在CMP技术中提高抛光后的表面平坦度的抛光溶液，其中平版化层间绝缘膜和抛光膜如BPSG膜和STI膜。解决方案：在含有二氧化铈颗粒，对甲苯磺酸，具有羧酸基的聚合物B或羧酸碱的CMP的抛光溶液中，和水。相对于研磨液的总质量的对甲苯磺酸含量为0.001〜1质量％，聚合物B相对于研磨液的总质量的含量为0.01-0.50质量％，pH为4.0以上，不超过7.0。

4. 发明专利

JP2017117898A ＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017117898A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015250452
申请日：2015-12-22
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： KINO AIKO , HOSHI YOSUKE , KOBAYASHI SHINGO , TANAKA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：【課題】高い段差除去性を有するCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)用研磨液を提供する。【解決手段】表面に凹部及び凸部を有するシリコン基材1、基材の凸部上に配置されたストッパ膜2及び基材及びストッパを被覆する絶縁材料3酸化ケイ素膜を有する基体における絶縁材料を研磨する第一の研磨工程と、絶縁材料におけるストッパ膜上の部分を研磨してストッパ膜を露出させる第二の研磨工程と、を備える研磨方法における第一の研磨工程に用いられるCMP用研磨液である。砥粒と、第一の添加剤と、第二の添加剤と、水とを含有し、第一の添加剤が、4−ピロン系化合物を含み、第二の添加剤が、第四級アンモニウム塩含有モノマに由来する構造単位を有するカチオンポリマを含む。【選択図】図2

5. 发明专利

JP2015023122A 研磨液及びその製造方法、並びに研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光液及其生产方法及抛光方法
公开(公告)号：JP2015023122A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013149393
申请日：2013-07-18
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： MATSUMOTO TAKAAKI , SHINODA TAKASHI , FUKAZAWA MASATO , YOSHIKAWA SHIGERU , YOSHIKAWA TAKAHIRO , TANAKA TAKAAKI , YAMASHITA TETSURO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：【課題】基板の表面に形成された被研磨膜を研磨するCMP技術において、配線密度依存性が小さい上に、研磨後の表面平坦性及びオーバー研磨耐性に優れる研磨液を提供する。【解決手段】酸化セリウム粒子と、アクリル酸系重合体と、有機酸化合物と、pH調整剤と、水とを含有し、アクリル酸系重合体が、アクリル酸及びメタクリル酸からなる群より選ばれる少なくとも一種を含む単量体成分を重合させて得られる重合体であり、当該重合体が、硝酸基、硝酸塩基、亜硝酸基及び亜硝酸塩基からなる群より選ばれる少なくとも一種を末端基として有し、pHが4.0以上5.5以下である研磨液。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种对布线的依赖性小，抛光后的表面平坦度和超抛光耐受性优异的抛光液，用于研磨在基材表面形成的研磨膜的CMP技术。溶液：抛光液含有氧化铈颗粒，丙烯酸类聚合物，有机化合物，pH调节剂和水。丙烯酸类聚合物通过聚合含有选自丙烯酸和甲基丙烯酸中的至少一种的单体组分而获得。聚合物具有选自由硝酸基，硝酸碱，亚硝酸基和亚硝酸碱组成的组中的至少一种作为末端基团，并且pH为4.0-5.5。

6. 发明专利

JP2015008212A 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2015008212A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013132721
申请日：2013-06-25
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： TANAKA TAKAAKI , FUKAZAWA MASATO , SHINODA TAKASHI , YOSHIKAWA TAKAHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , MATSUMOTO TAKAAKI , YAMASHITA TETSURO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：【課題】研磨後の平坦性を向上させることが可能な研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法を提供すること。【解決手段】酸化セリウム粒子、有機酸A、高分子化合物B及び水を含むCMP用の研磨液であって、有機酸Aは、−COOM基、−Ph−OM基、−SO3M基及び−PO3M2基からなる群より選択される少なくとも一つの基を有しており、有機酸AのpKaが9未満であり、高分子化合物Bは、カルボン酸基及びカルボン酸塩基からなる群より選択される少なくとも一種と、亜硫酸基及び亜硫酸塩基からなる群より選択される少なくとも一種とを有する、研磨液。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高抛光后的平坦度的抛光液，以及使用研磨液的基板研磨方法。溶液：CMP用研磨液含有氧化铈粒子，有机酸A，高分子化合物B和水。有机酸A具有选自-COOM基团，-Ph-OM基团，-SOM基团和-POM基团中的至少一个基团。有机酸A的pKa小于9.聚合物化合物B具有选自羧酸基和羧酸酯基中的至少一种，以及选自亚硫酸基和亚硫酸盐基。

7. 发明专利

JP2013062516A Polishing liquid for metal film and polishing method 有权
标题翻译：抛光液用于金属膜和抛光方法
公开(公告)号：JP2013062516A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：JP2012230493
申请日：2012-10-18
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： TANAKA TAKAAKI , FUKAZAWA MASATO , NOBE SHIGERU , SAKURADA TAKASHI , SHINODA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/76819
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide polishing liquid for metal films and a polishing method, which suppresses occurrence of erosion and a seam, and has high flatness of a surface to be polished, while keeping excellent polishing speed to an interlayer insulator.SOLUTION: Polishing liquid for metal contains abrasive grains, a methacrylate polymer and water.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供金属膜用抛光液和抛光方法，其抑制侵蚀和接缝的发生，并且在对层间绝缘体保持优异的抛光速度的同时具有高抛光表面的平坦度。
解决方案：金属抛光液含有磨粒，甲基丙烯酸酯聚合物和水。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2014027146A Polishing solution and substrate polishing method using polishing solution 审中-公开
标题翻译：抛光溶液和抛光方法使用抛光溶液
公开(公告)号：JP2014027146A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2012166995
申请日：2012-07-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , OTA MUNEHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI , YOSHIKAWA TAKAHIRO , SHINODA TAKASHI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution and a substrate polishing method using the polishing solution, which can improve a polishing speed of a polished film and further improve surface smoothness after polishing in a CMP technique for polishing the polished film formed on a surface of the substrate.SOLUTION: A polishing solution for CMP of pH 4.8-5.2 contains cerium oxide particles, a pH buffer solution, a polymer compound B having a carboxylic acid group or a carboxylate group, and water. The pH buffer solution has an amount of pH change between a liquid concentrate pH and pH after 3 fold dilution of the buffer solution is 0.2 and under and the buffer solution contains acid A having pKa of 4-6, in which a content of the polymer compound B to a total mass of the polishing solution is 0.02 mass% and over and a total of contents of the acid A and the polymer compound B is 0.6 mass% and under with respect to the total mass of the polishing solution.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用抛光液的抛光溶液和基板研磨方法，其可以提高抛光膜的抛光速度，并且在用于抛光形成在表面上的抛光膜的CMP技术中进一步提高抛光后的表面平滑度的溶液。溶液：pH 4.8-5.2的CMP抛光溶液含有氧化铈颗粒，pH缓冲溶液，具有羧酸基团或羧酸盐基团的高分子化合物B和水。 pH缓冲溶液在缓冲溶液稀释3倍以后在液体浓度pH和pH之间具有一定量的pH值变化，缓冲溶液含有pKa为4-6的酸A，其中聚合物的含量化合物B相对于研磨液的总质量为0.02质量％以上，酸A和高分子化合物B的总含量为0.6质量％以下。

9. 发明专利

JP2013149987A Polishing solution and substrate polishing method using the same 有权
标题翻译：抛光溶液和基板抛光方法
公开(公告)号：JP2013149987A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2013037141
申请日：2013-02-27
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SHINODA TAKASHI , OTA MUNEHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , TAKIZAWA TOSHIO , YOSHIKAWA TAKAHIRO , MATSUMOTO TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31055 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625 , H01L21/31053
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing solution which can improve a polishing speed of a polished film and improve surface flatness after polishing in a CMP technique that planarizes an interlayer insulation film and a polished film such as a BPSG film and an STI film.SOLUTION: In a polishing solution for polishing an inorganic insulation film, which is a polishing solution for CMP containing cerium oxide particles, p-toluenesulfonic acid, polymer B having a carboxylic acid group or a carboxylic acid base, and water. A p-toluenesulfonic acid content to a total mass of the polishing solution is 0.001-1 mass%, a content of polymer B to the total mass of the polishing solution is 0.01-0.50 mass%, and pH is not less than 4.0 and not more than 7.0.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以提高抛光膜的抛光速度并且在CMP技术中提高抛光后的表面平坦度的抛光溶液，其中平版化层间绝缘膜和抛光膜如BPSG膜和STI膜。解决方案：在用于抛光作为含有二氧化铈颗粒的CMP的抛光溶液的无机绝缘膜的抛光溶液中，对甲苯磺酸，具有羧酸基或羧酸碱的聚合物B和水。相对于研磨液的总质量的对甲苯磺酸含量为0.001〜1质量％，聚合物B相对于研磨液的总质量的含量为0.01-0.50质量％，pH为4.0以上超过7.0。

10. 发明专利

JP2013045944A Polishing method of substrate 审中-公开
标题翻译：基板抛光方法
公开(公告)号：JP2013045944A
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：JP2011183627
申请日：2011-08-25
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： OTA MUNEHIRO , YOSHIKAWA SHIGERU , TANAKA TAKAAKI , TAKIZAWA TOSHIO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/26 , C09K3/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing method capable of enhancing planarity of the surface after polishing, while maintaining the polishing speed for an inorganic insulating film, in the CMP technique for polishing an inorganic insulating film formed on the surface of a substrate.SOLUTION: In the polishing method of a substrate, at least a part of a polished film provided on the substrate is removed by polishing, by using a CMP polishing liquid containing a cerium oxide, an organic acid having at least one group selected from -COOM group, -Ph-OM group, -SOM group, -OSOH group, -POMgroup, and -POMgroup (In the formula, M is any one kind selected from H, NH, Na, and K, and Ph represents a phenyl group which may have a substituent group), a polymer compound having a carboxyl group, and water, having pH of 4.5-7.0, and containing 0.01-0.30 mass% of polymer compound for total mass, and a polishing pad in which multiple grooves and holes are formed.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种能够在保持无机绝缘膜的抛光速度的同时提高抛光后的表面的平面性的抛光方法，在用于研磨形成在表面上的无机绝缘膜的CMP技术中基质。解决方案：在基板的抛光方法中，通过抛光来除去设置在基板上的至少一部分抛光膜，通过使用含有氧化铈的CMP抛光液，选择至少一个基团的有机酸 -COOM基团，-Ph-OM基团，-SO 3组，-OSO 3组，-PO < SB POS =“POST”> 4 M 2 组，而-PO 3 M 2 组（在该式中，M是选自H，NH，SB，...，4，和Na中的任一种，Ph表示苯基，可以具有取代基，具有羧基的高分子化合物和水，pH为4.5〜7.0，含有0.01-0.30质量％的总质量的高分子化合物，以及研磨垫，其中多个凹槽和孔是形成。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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