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1. 发明专利

JP2012174317A Semiconductor storage device 有权
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：JP2012174317A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2011037109
申请日：2011-02-23
申请人： Handotai Rikougaku Kenkyu Center:Kk , 株式会社半導体理工学研究センター
发明人： KAWAGUCHI HIROSHI , YOSHIMOTO MASAHIKO , NOGUCHI HIROKI , TAKAGI TOMOYA , KUGATA KOJI , OKUMURA SHUNSUKE
IPC分类号： G11C11/413 , G11C11/41 , G11C11/412
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-port semiconductor storage device important in signal processing.SOLUTION: A semiconductor storage device comprises a memory cell including: a latch circuit comprised of a cross-coupled inverter having two data holding nodes connected to a first bit line; a first switch part provided between the first bit line and each of the data holding nodes of the inverter; and a first word line for controlling the conduction of the first switch part. It also comprises: a second switch part for switching between a first mode, in which respective data holding nodes of a plurality of memory cells are separated for each memory cell and one bit is comprised of one memory cell, and a second mode, in which the respective data holding nodes of the plurality of memory cells are connected in parallel and one bit is comprised of the plurality of memory cells; and further, a third switch part for switching between whether or not to connect one data holding node of the respective data holding nodes of the plurality of memory cells to a second bit line.
摘要翻译：要解决的问题：提供在信号处理中重要的多端口半导体存储装置。解决方案：一种半导体存储装置，包括：存储单元，包括：锁存电路，包括具有连接到第一位线的两个数据保持节点的交叉耦合的反相器; 第一开关部分，设置在逆变器的第一位线和每个数据保持节点之间; 以及用于控制第一开关部件的导通的第一字线。它还包括：用于在第一模式之间进行切换的第二开关部件，其中，针对每个存储器单元分离多个存储器单元的各个数据保持节点和一个位的第一模式由一个存储单元组成，第二模式包括：多个存储单元的相应数据保持节点并联连接，一位由多个存储单元构成; 以及第三开关部分，用于在是否将多个存储器单元的各个数据保持节点的一个数据保持节点连接到第二位线之间进行切换。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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