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1. 发明专利

JP2015023188A 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2015023188A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013150934
申请日：2013-07-19
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： KANEKO AKIHIRO , TAKAKU KOJI , YONEKUTA YASUTOMO , HIRAI TOMOKI , SUGIURA HIROKI , KOYANAGI MASAFUMI , MASUI KENSUKE
IPC分类号： H01L51/30 , C08G61/00 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要：【課題】キャリア移動度が高く、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】一般式(1−1)または(1−2)で表されるn個の繰り返し単位からなる化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(Cyはベンゼン環、ナフタレン環またはアントラセン環を表す。R11〜R14、R15〜R18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ar1〜Ar4はそれぞれ独立にヘテロアリーレン基またはアリーレン基を表す。V1、V2は2価の連結基を表す。mは0〜6の整数を表し、mが2以上のとき、2つ以上のV1は同一であっても、異なっていても良い。nは2以上を表す。pは0〜6の整数を表し、pが2以上のとき、2つ以上のV2は同一であっても、異なっていても良い。)【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现高载流子迁移率并且在有机溶剂中具有高溶解度的化合物; 以及使用这种化合物排列的有机薄膜晶体管。解决方案：有机薄膜晶体管包括含有由通式（1-1）或（1-2）表示的n个重复单元的化合物的半导体活性层，下面。（通式中，Cy表示苯环，萘环或蒽环; RtoR，Rto RindR2表示氢原子或取代基; Ar Ar独立地表示亚杂芳基或亚芳基; V表示二价 “m”表示0-6的整数，条件是当“m”等于或大于2时，两个或更多个V可以相同或不相同;“n”表示两个或更大;“ p“表示0-6的整数，条件是当”p“等于或大于2时，两个或更多个V可以彼此相同。

2. 发明专利

JP2015038955A 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2015038955A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：JP2014028173
申请日：2014-02-18
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： TAKAKU KOJI , KANEKO AKIHIRO , SUGIURA HIROKI , MASUI KENSUKE , YONEKUTA YASUTOMO , HIRAI TOMOKI , KOYANAGI MASAFUMI
IPC分类号： H01L51/30 , C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要：【課題】有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高く、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】式(1)で表されるn個の繰り返し単位からなる化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(Ar1及びAr2はヘテロアリーレン基又はアリーレン基;V1は2価の連結基;mは1〜6の整数;nは2以上の整数;Aは式(1’)で表される2価の連結基;RA1〜RA6は水素原子、置換基又は一般式(1)中のAr1若しくはAr2との結合手;RA1〜RA6のうち異なる2つが一般式(1)中のAr1との結合手及びAr2との結合手をそれぞれ表す)。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供当用于有机薄膜晶体管的半导体有源层时，对有机溶剂具有高载流子迁移率和高溶解度的化合物; 并提供使用该化合物的有机薄膜晶体管。解决方案：一种有机薄膜晶体管，包括由式（1）表示的n个重复单元（其中Arand Ar表示亚杂芳基或亚芳基）组成的化合物; V表示二价连接基团 m表示1-6的整数; n表示大于1的整数; A表示由式（1'）表示的二价连接基团; R-R表示与氢原子，取代基或Aror的原子键合 Arin通式（1）;不同的两个R-R表示与通式（1）的Arin的原子键和通式（1）的Arin的原子键）。

3. 发明专利

JP2015023181A 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2015023181A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013150768
申请日：2013-07-19
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： TAKAKU KOJI , KANEKO AKIHIRO , SUGIURA HIROKI , MASUI KENSUKE , YONEKUTA YASUTOMO , HIRAI TOMOKI , KOYANAGI MASAFUMI
IPC分类号： H01L51/30 , C08G61/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要：【課題】キャリア移動度が高く、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】一般式(1−1)または(1−2)で表されるn個の繰り返し単位からなる化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ。R1、R2は水素原子または置換基を表す。Ar1、Ar2はヘテロアリーレン基またはアリーレン基を表し、V1は2価の連結基を表す。mは0〜6の整数を表し、2つ以上のV1は同一であっても、異なっていても良い。Cyはナフタレン環、またはアントラセン環を表し、R3、R4は水素原子または置換基を表す。Ar3、Ar4は複素芳香環または芳香環を表す。V2は2価の連結基を表す。pは0〜6の整数を表し、2つ以上のV2は同一であっても、異なっていても良い。nは2以上の整数を表す。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现高载流子迁移率并且在有机溶剂中具有高溶解度的化合物; 以及使用这种化合物排列的有机薄膜晶体管。解决方案：有机薄膜晶体管包括含有由通式（1-1）或（1-2）表示的n个重复单元的化合物的半导体活性层，下面。在通式中，兰德R表示氢原子或取代基; Arand Ar表示亚杂芳基或亚芳基; V表示二价连接基团，“m”表示0-6的整数，条件是两个或多个V可以彼此相同或不相同; Cy表示萘环或蒽环; 兰德R表示氢原子或取代基; Arand表示杂芳环或芳环; V表示二价偶联基团，“p”表示0-6的整数，条件是两个或多个V可以彼此相同或不相同; “n”表示2以上的整数。

4. 发明专利

JP2014170928A Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2014170928A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2014020141
申请日：2014-02-05
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： TAKAKU KOJI , TOYAMA WATARU , KOYANAGI MASAFUMI , KINOSHITA MASAJI
IPC分类号： H01L51/30 , C07D491/048 , C07D495/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0071 , C07D491/048 , C07D495/04 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0074 , H01L51/0545 , H01L51/0558
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic thin film transistor which has a high carrier mobility, and suffers a small change in threshold voltage even after having been driven repeatedly.SOLUTION: An organic thin film transistor comprises a semiconductor active layer including a compound expressed by the general formula (1). {X is a sulfur or oxygen atom; Z is a substituent group having a length of 3.7 Å or shorter from a nitrogen atom to an end; Rto Rare each a hydrogen atom or a substituent group, provided that at least one of Rto Ris a substituent group expressed by the general formula (W); L is a particular divalent coupling group; and R is a substituted or unsubstituted alkyl group (the total number of carbon atoms of the alkyl group included in -L-R is 4 or more) having a particular number or more of carbon atoms, an oligooxyethylene group in which the number v of times an oxyethylene unit is repeated is 2 or larger, an oligosiloxane group having two or more silicon atoms, or a substituted or unsubstituted trialkylsilyl group.}
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高载流子迁移率的有机薄膜晶体管，并且即使在被重复驱动之后即使阈值电压也具有小的变化。解决方案：有机薄膜晶体管包括半导体活性层，其包含表达的化合物由通式（1）表示。 {X是硫或氧原子; Z是从氮原子到末端具有3.7或更短长度的取代基; Rto各自为氢原子或取代基，条件是Rto Ris中的至少一个为通式（W）表示的取代基; L是特定的二价连接基团; 且R为取代或未取代的烷基（其中包含-LR中的烷基的总碳原子数为4以上），具有特定数目或更多个碳原子的烷氧基，其中数目v为次氧乙烯单元重复2以上，具有2个以上硅原子的低聚硅氧烷基，或取代或未取代的三烷基甲硅烷基。}

5. 发明专利

JP2015023190A 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2015023190A
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：JP2013151034
申请日：2013-07-19
申请人：富士フイルム株式会社 , Fujifilm Corp
发明人： KANEKO AKIHIRO , TAKAKU KOJI , YONEKUTA YASUTOMO , HIRAI TOMOKI , SUGIURA HIROKI , KOYANAGI MASAFUMI , MASUI KENSUKE
IPC分类号： H01L51/30 , C08G61/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
摘要：【課題】有機薄膜トランジスタの半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高く、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】一般式(1−1)または(1−2)で表されるn個の繰り返し単位からなる化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(Cyはベンゼン環、ナフタレン環またはアントラセン環を表す。R11〜R14、R15〜R18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ar1〜Ar4はそれぞれ独立にヘテロアリーレン基またはアリーレン基を表す。V1、V2は2価の連結基を表す。mは0〜6の整数を表し、nは2以上を表し、pは0〜6の整数を表す)。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供当用于有机薄膜晶体管的半导体有源层时能够实现高载流子迁移率并且在有机溶剂中具有高溶解度的化合物; 以及使用这种化合物排列的有机薄膜晶体管。解决方案：有机薄膜晶体管包括含有由通式（1-1）或（1-2）表示的n个重复单元的化合物的半导体活性层，下面。（通式中，Cy表示苯环，萘环或蒽环; RtoR，Rto RindR2表示氢原子或取代基; Ar Ar独立地表示亚杂芳基或亚芳基; V表示二价 “m”表示0-6的整数，“n”表示2以上，p表示0-6以上的整数。

6. 发明专利

JP2014170929A Organic thin film transistor, organic semiconductor thin film, and organic semiconductor material 有权
标题翻译：有机薄膜晶体管，有机半导体薄膜和有机半导体材料
公开(公告)号：JP2014170929A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2014020142
申请日：2014-02-05
申请人： Fujifilm Corp , 富士フイルム株式会社
发明人： TAKAKU KOJI , TSUYAMA HIROAKI , YONEKUTA YASUTOMO , TOYAMA WATARU , KINOSHITA MASAJI , KOYANAGI MASAFUMI
IPC分类号： H01L51/30 , C07D498/04 , C07D513/04 , C07F7/10 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0071 , C07D498/04 , C07D513/04 , H01L51/0558 , H01L51/42
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic thin film transistor having a high carrier mobility.SOLUTION: An organic thin film transistor comprises a semiconductor active layer including a compound expressed by the general formula (1-1) or (1-2). {X is a sulfur or oxygen atom. Rto Rare each a hydrogen atom or a substituent group having a length of 3.7Å or shorter. Ris a hydrogen atom, an alkyl group; an alkenyl group; an alkynyl group; an alkylthio group; an alkoxy group; an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group or an acyl group or a silyl group; or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an acyl group or a silyl group. Lis a particular divalent coupling group. Ris an alkyl group having a particular number or more carbon atoms, an oligooxyethylene group in which the number v of times an oxyethylene unit is repeated is 2 or larger, an oligosiloxane group having two or more silicon atoms, or a trialkylsilyl group.}
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高载流子迁移率的有机薄膜晶体管。解决方案：有机薄膜晶体管包括包含由通式（1-1）或（1-2）表示的化合物的半导体活性层。 {X是硫或氧原子。 Rto各自为氢原子或长度为3.7或更短的取代基。 R为氢原子，烷基; 烯基; 炔基; 烷硫基烷氧基未取代或被烷基，烯基，炔基，烷氧基，烷硫基或酰基或甲硅烷基取代的芳基; 或未被取代或被烷基，烯基，炔基，烷氧基，烷硫基，酰基或甲硅烷基取代的杂芳基。一个特定的二价键合基团。 R是具有特定数目或更多个碳原子的烷基，其中重复氧化乙烯单元的次数v为2或更大的低聚氧乙烯基，具有两个或多个硅原子的低聚硅氧烷基或三烷基甲硅烷基}

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