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    • 1. 发明专利
    • 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
    • 有机薄膜晶体管,有机半导体薄膜和有机半导体材料
    • JP2015032716A
    • 2015-02-16
    • JP2013161829
    • 2013-08-02
    • 富士フイルム株式会社Fujifilm Corp
    • HIRAI TOMOKITAKAKU KOJIYONEKUTA YASUTOMOMASUI KENSUKE
    • H01L51/30C07D487/04H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40
    • 【課題】半導体活性層に用いたときにキャリア移動度が高く、かつ、駆動電圧が低くなり、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】一般式(1)を含む有機薄膜トランジスタ(R1〜R10はそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表す。R23およびR24はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R23およびR24のうち少なくとも1つは一般式(W)で表される置換基である。Sは−(CRS2)n−を表す(RSはそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、nは0〜17の整数を表す)。Lは特定の2価の連結基を表す。Tはアルキル基、オリゴオキシエチレン基、オリゴシロキサン基、シリル基を表す。)。【選択図】なし
    • 要解决的问题:当用于半导体活性层时,提供具有高载流子迁移率和低驱动电压以及相对于有机溶剂的高溶解度的化合物; 并提供使用该化合物的有机薄膜晶体管。解决方案:提供一种包含通式(1)的有机薄膜晶体管(R-Reach独立地表示氢原子或卤素原子; Rand Reach独立地表示氢原子或 取代基; Rand Ris中的至少一个是由通式(W)表示的取代基; S表示 - (CR) - (Reach独立地表示氢原子或卤素原子,n表示0-17的整数); L 表示特定的二价连接基团; T表示烷基,低聚氧乙烯基,低聚硅氧烷基或甲硅烷基)。
    • 4. 发明专利
    • Method for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, display and lighting apparatus
    • 有机电致发光元件,有机电致发光元件,显示器和照明装置的制造方法
    • JP2012221856A
    • 2012-11-12
    • JP2011088678
    • 2011-04-12
    • Fujifilm Corp富士フイルム株式会社
    • TAKADA SAKITAKAKU KOJIWATANABE TORUYONEKUTA YASUTOMO
    • H05B33/10H01L51/50
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic electroluminescent element having high luminous efficiency and capable of suppressing deterioration of the luminous efficiency even when driven by a high voltage, and an organic electroluminescent element manufactured by the method, and a display and a lighting apparatus having the element.SOLUTION: In a method for manufacturing an organic electroluminescent element having an anode, a luminescent layer, an organic layer adjacent to the luminescent layer and a cathode in this order, when a glass-transition temperature of a main component in the luminescent layer is defined as Tem(°C) during forming the organic layer by vapor deposition on the luminescent layer, a sublimation-initiation temperature Tb(°C) of a component having the highest sublimation-initiation temperature at 1×10Pa among components constituting the organic layer, satisfies 0.60≥Tem/Tb≥0.30. When a distance between a vapor deposition source for forming the organic layer and a surface of the luminescent layer is defined as L(cm), the vapor deposition of the organic layer is performed under a condition satisfying 2.0≤Tb/L≤80.
    • 解决的问题:提供一种制造具有高发光效率且能够抑制由高电压驱动的发光效率劣化的有机电致发光元件的方法和通过该方法制造的有机电致发光元件,以及 显示器和具有该元件的照明装置。 解决方案:在用于制造具有阳极,发光层,与发光层相邻的有机层和阴极的有机电致发光元件的方法中,当发光层中的主要成分的玻璃化转变温度 在通过气相沉积在发光层上形成有机层时,将层定义为Tem(℃),升华开始温度为1×10 -2 Pa满足0.60≥Tem/Tb≥0.30。 当用于形成有机层的气相沉积源和发光层的表面之间的距离定义为L(cm)时,有机层的气相沉积在满足2.0≤Tb/ L 2 ≤80。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
    • 10. 发明专利
    • 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
    • 有机薄膜晶体管,有机半导体薄膜和有机半导体材料
    • JP2015023188A
    • 2015-02-02
    • JP2013150934
    • 2013-07-19
    • 富士フイルム株式会社Fujifilm Corp
    • KANEKO AKIHIROTAKAKU KOJIYONEKUTA YASUTOMOHIRAI TOMOKISUGIURA HIROKIKOYANAGI MASAFUMIMASUI KENSUKE
    • H01L51/30C08G61/00H01L29/786H01L51/05H01L51/40
    • 【課題】キャリア移動度が高く、有機溶媒への高い溶解性を有する化合物および該化合物を用いた有機薄膜トランジスタの提供。【解決手段】一般式(1−1)または(1−2)で表されるn個の繰り返し単位からなる化合物を半導体活性層に含む有機薄膜トランジスタ(Cyはベンゼン環、ナフタレン環またはアントラセン環を表す。R11〜R14、R15〜R18はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ar1〜Ar4はそれぞれ独立にヘテロアリーレン基またはアリーレン基を表す。V1、V2は2価の連結基を表す。mは0〜6の整数を表し、mが2以上のとき、2つ以上のV1は同一であっても、異なっていても良い。nは2以上を表す。pは0〜6の整数を表し、pが2以上のとき、2つ以上のV2は同一であっても、異なっていても良い。)【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供能够实现高载流子迁移率并且在有机溶剂中具有高溶解度的化合物; 以及使用这种化合物排列的有机薄膜晶体管。解决方案:有机薄膜晶体管包括含有由通式(1-1)或(1-2)表示的n个重复单元的化合物的半导体活性层, 下面。 (通式中,Cy表示苯环,萘环或蒽环; RtoR,Rto RindR2表示氢原子或取代基; Ar Ar独立地表示亚杂芳基或亚芳基; V表示二价 “m”表示0-6的整数,条件是当“m”等于或大于2时,两个或更多个V可以相同或不相同;“n”表示两个或更大;“ p“表示0-6的整数,条件是当”p“等于或大于2时,两个或更多个V可以彼此相同。