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    • 1. 发明专利
    • Organic material coating apparatus and organic material coating method using the same
    • 有机材料涂料装置及其有机材料涂料方法
    • JP2014135393A
    • 2014-07-24
    • JP2013002779
    • 2013-01-10
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • KATO HIROMICHIKATAYAMA MASAYUKI
    • H01L21/368B05C5/00B05C9/08B05C15/00B05D1/26B05D3/04
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To enable more severe control of a degree of super saturation of a solution in which an organic material is dissolved.SOLUTION: An organic material coating apparatus comprises: a heatable stage (12) on which a substrate (20) is loaded on one surface (12a); a nozzle (13) in which a discharge port (13a) is movably arranged opposite to the one surface of the stage, the nozzle (13) coating an organic material on a surface of the substrate; a chamber (11) for housing the stage and the nozzle; a supply part (14) for blowing an inert gas on the one surface of the stage; and an exhaust part (15) for exhausting a gas in the chamber to the outside. The supply part includes an opening (14c) opening inside the chamber is arranged at a height the same with that of the one surface of the stage. The exhaust part includes an opening (15b) opening inside the chamber is arranged at a position higher than the one surface of the stage.
    • 要解决的问题:能够更有效地控制有机材料溶解的溶液的过饱和程度。有机材料涂覆装置包括:可加热级(12),基底(20)在其上是 装载在一个表面(12a)上; 喷嘴(13),其中排出口(13a)可移动地布置在所述台的一个表面上,所述喷嘴(13)在所述基板的表面上涂覆有机材料; 用于容纳所述台和所述喷嘴的室(11); 用于在所述台的一个表面上吹送惰性气体的供应部分(14); 以及用于将所述室中的气体排出到外部的排气部分(15)。 供给部包括在室内开口的开口(14c)的高度与台的一个表面的高度相同。 排气部包括在室内开口的开口(15b)布置在比台的一个表面高的位置。
    • 2. 发明专利
    • Manufacturing method of organic el element
    • 有机EL元素的制造方法
    • JP2014099366A
    • 2014-05-29
    • JP2012251450
    • 2012-11-15
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • TATE KOJIROKATAYAMA MASAYUKI
    • H05B33/10H01L51/50
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a triphenylamine derivative constituting a low molecule material layer from being dissolved away.SOLUTION: As an organic solvent in forming a luminescent layer, an organic solvent having a Hansen solubility parameter Δδof 90 or more is selected. Drying treatment is performed under the temperature which is higher than a solidification point of the organic solvent preferably, equal to or lower than an atmospheric temperature and is lower than the atmospheric temperature by 10°C or more preferably. Thus, when forming a low molecule material layer from a triphenylamine derivative, even in the case where a luminescent layer which becomes another organic film is formed on a top layer, the triphenylamine derivative can be prevented from being dissolved way into the organic solvent. Therefore, surface roughness of the low molecule material layer or the luminescent layer can be suppressed and leak generation or characteristic reduction of an organic EL element can be prevented.
    • 要解决的问题:防止构成低分子材料层的三苯胺衍生物被溶解。溶解性:作为形成发光层的有机溶剂,选择Hansen溶解度参数&Dgr;δ为90以上的有机溶剂。 干燥处理在比有机溶剂的凝固点高的温度下进行,优选为等于或低于大气温度,并且低于10℃或更优选的气氛温度。 因此,当从三苯基胺衍生物形成低分子材料层时,即使在顶层上形成另一有机膜的发光层的情况下,也可以防止三苯胺衍生物溶解在有机溶剂中。 因此,可以抑制低分子材料层或发光层的表面粗糙度,并且可以防止有机EL元件的泄漏产生或特性降低。
    • 3. 发明专利
    • Method of manufacturing organic semiconductor device
    • 制造有机半导体器件的方法
    • JP2013077799A
    • 2013-04-25
    • JP2012124954
    • 2012-05-31
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • KATO HIROMICHINAKAMURA KENJIKATAYAMA MASAYUKI
    • H01L21/368H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To form an organic semiconductor thin film of high orientation by preventing crystal growth from a place other than a painting start place.SOLUTION: Ink 11 is dried from a paint start place of the ink 11 that contains organic semiconductor material, and the organic semiconductor material in the ink 11 is crystallized to form an organic semiconductor thin film 15. At that time, what including a nozzle body part 2a containing an overhang part constituting a tip face 2f that faces the surface of a substrate 12 and a solution discharge part 2c containing a discharge opening 2g that protrudes to the substrate 12 side from the tip face 2f of the nozzle body part 2a while extended with one direction as a length direction is used as a nozzle part 2. The ink 11 is discharged under such condition as a lower end of the solution discharge part 2c is separated from the substrate 12. While a liquid reservoir is formed between the solution discharge part 2c and the substrate 12 using the discharged ink 11, and the nozzle part 2 is shifted in the direction vertical to the length direction of the discharge opening 2g so that the ink 11 is applied in a line.
    • 要解决的问题:通过防止来自除了涂漆开始地点以外的位置的晶体生长而形成高取向性的有机半导体薄膜。 解决方案:油墨11从包含有机半导体材料的油墨11的油漆开始位置被干燥,并且油墨11中的有机半导体材料被结晶以形成有机半导体薄膜15.此时,包括 包含构成与基板12的表面相对的端面2f的突出部的喷嘴主体部2a和从喷嘴主体部的前端面2f向基板12侧突出的排出口2g的溶液排出部2c 2a作为长度方向以一个方向延伸,作为喷嘴部分2.油墨11在溶液排出部2c的下端与基板12分离的状态下排出。当液体储存器形成在 溶液排出部2c和使用排出的油墨11的基板12,并且喷嘴部2沿与排出口2g的长度方向垂直的方向移动,使得油墨11 被应用在一条线上。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
    • 4. 发明专利
    • Inspection method for organic el element
    • 有机EL元件检验方法
    • JP2009211994A
    • 2009-09-17
    • JP2008055075
    • 2008-03-05
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • KATO HIROMICHIKATAYAMA MASAYUKISUZUKI HARUMI
    • H05B33/10H01L51/50
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inspection method can inspect open defects caused by aging and suitably determining its quality level, in an organic EL element having an upper electrode with film thickness of 135 nm or more.
      SOLUTION: In the inspection method for the organic EL element wherein a lower electrode, an organic film including a light-emitting layer, and the upper electrode with film thickness of 135 nm or more are laminated in order on a substrate, voltage V is applied between both electrodes wherein a negative electrode side is set up to be a plus electrode and a positive electrode side is set up to be a minus electrode between the upper and lower electrodes, and leak current flowing between both electrodes is measured for a long period while making the defect section existed on the organic film evident. Thus, instantaneous current accompanied by the open defect can be detected, and it is determined on the basis of the measured leak current that what the instantaneous current is detected is a poor quality product and what the instantaneous current is not detected is a good quality product.
      COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种检查方法,可以在具有135nm以上的膜厚度的上电极的有机EL元件中检查由老化引起的开放缺陷并适当地确定其质量水平。 解决方案:在其中将下电极,包括发光层的有机膜和膜厚度为135nm以上的上电极的有机EL元件的顺序层叠在基板上的检查方法中,电压 V被施加在两个电极之间,其中负极侧被设置为正电极,正电极侧被设置为上电极和下电极之间的负电极,并且测量两电极之间流动的漏电流 长时间使得缺陷部分存在于有机膜上。 因此,可以检测到伴随着开路缺陷的瞬时电流,并且基于测得的漏电流来确定检测到的瞬时电流是否是质量差的产品,并且没有检测到瞬时电流是质量好的产品 。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 5. 发明专利
    • Manufacturing method of organic el element
    • 有机EL元素的制造方法
    • JP2007066707A
    • 2007-03-15
    • JP2005251366
    • 2005-08-31
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • KATO HIROMICHIKATAYAMA MASAYUKISUZUKI HARUMI
    • H05B33/10H01L51/50H05B33/12
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To properly determine quality by exposing a defective part easily causing leak, in an organic EL element where the thickness of a negative electrode capable of preventing it from being opened and broken in an aging process is not smaller than 135 nm.
      SOLUTION: In this manufacturing method of an organic EL element, a positive electrode 20 and an organic film 30 are formed on a substrate 10; the negative electrode 40 is formed on top of them at a thickness not smaller than 135 nm; a defective part exposing process is executed by applying a first voltage V1 as a reverse voltage between both the electrodes 20 and 40 and thereafter a second voltage V2 is applied as a reverse voltage between both the electrodes 20 and 40 to measure a leak current flowing then; and the quality of the organic EL element 100 is determined, based on the measured leak current. The measurement of the leak current is executed within a period in which the leak current of a defective product is set larger than the leak current of a normal product when the second voltage V2 is applied.
      COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了在容易引起泄漏的缺陷部分暴露出正确确定质量的有机EL元件中,能够防止其在老化处理中断开的负极的厚度不小于 135nm。 解决方案:在有机EL元件的制造方法中,在基板10上形成正极20和有机膜30, 负极40以不小于135nm的厚度形成在其顶部; 通过在两个电极20和40之间施加作为反向电压的第一电压V1,然后在两个电极20和40之间施加第二电压V2作为反向电压来执行缺陷部分曝光处理,以测量流过的漏电流 ; 并且基于测量的泄漏电流来确定有机EL元件100的质量。 泄漏电流的测量是在施加第二电压V2时将缺陷产品的漏电流设定为大于正常产品的漏电流的期间内执行的。 版权所有(C)2007,JPO&INPIT
    • 6. 发明专利
    • イオン伝導性高分子アクチュエータ
    • 离子导电聚合物致动器
    • JP2015029379A
    • 2015-02-12
    • JP2013157739
    • 2013-07-30
    • 株式会社デンソーDenso Corp
    • HATA KENSUKESAKAI KENICHITOYODA AKITOKATAYAMA MASAYUKI
    • H02N11/00
    • 【課題】イオン伝導性高分子アクチュエータ1を任意な形状に変形させる。【解決手段】イオン伝導性高分子アクチュエータ1は、電極層3a、3bと、電極層3a、3bに挟持されている高分子膜2と、を備える。高分子膜2には、イオン伝導性を有する部分21とイオン伝導性を有さない部分22とが同一平面内で交互にストライプ状に並べられている。電極層3a、3bの間に電圧が電源回路4から与えられることにより、電極層3a、3bの間に生じる電場によってイオン伝導性を有する部分21内のプラスイオン6が移動して、イオン伝導性を有する部分21が屈曲し、この屈曲に伴って一対の電極層3a、3bおよびイオン伝導性を有さない部分22が変形する。【選択図】図1
    • 要解决的问题:使离子导电聚合物致动器1变形为随机形状。解决方案:离子传导聚合物致动器1包括电极层3a和3b以及由电极层3a和3b保持的聚合物膜2。 聚合物膜2包括具有离子传导性的部分21和不具有离子传导性的部分22,其在相同的平面中交替地设置成条形。 通过从电源电路4提供电极层3a和3b之间的电压,通过在电极层3a和3b之间出现的电场,加上具有离子传导性的部分21中的离子6移动,使得部分21具有 离子电导率弯曲,从而使一对电极层3a和3b以及与弯曲相关联的不具有离子传导性的部分22变形。
    • 7. 发明专利
    • 形状可変光学素子
    • 形状可变光学元件
    • JP2014238545A
    • 2014-12-18
    • JP2013121997
    • 2013-06-10
    • 株式会社デンソーDenso Corp
    • TANIGUCHI KAZUYAINOUE TAKASHITOYODA AKITOKATAYAMA MASAYUKI
    • G02B5/10
    • 【課題】光学ミラー20の光反射面33を曲面状に変形させることを可能にする。【解決手段】光学ミラー20は、電解質膜30と、電解質膜30の一面に沿うように形成されている電極層31と、電解質膜30の他面に沿うように形成されている電極層32とを備える。電極層31、32の間に電圧が制御回路40によって印加された際に、電極層31、32の間の電界によって電解質膜30内を陽イオンが水分子とともに移動する。このことにより、電解質膜30が電極層31、32とともに屈曲するようになっている。電極層31には、光反射面33が形成されている。電極層31には、面方向外周部から面方向中央部に向かうほど厚み寸法が小さくなる勾配が形成されている。【選択図】図1
    • 要解决的问题:将光学镜20的光反射表面33配置为可变形成曲面。解决方案:光学镜20包括电解质膜30,沿电解质膜30的一个表面形成的电极层31 以及沿着电解质膜30的另一个表面形成的电极层32.当通过控制电路40在电极层31,32之间施加电压时,阳离子与电解质膜30中的水分子一起通过电解质膜 这种现象引起电极层31,32对电解质膜30的弯曲。在电极层31上形成光反射表面33.在电极层31中形成厚度的梯度, 厚度尺寸从平面方向的外周向平面方向的中心部分减小的方式。
    • 8. 发明专利
    • 有機半導体装置の製造方法
    • 有机半导体器件制造方法
    • JP2014216477A
    • 2014-11-17
    • JP2013092557
    • 2013-04-25
    • 株式会社デンソーDenso Corp
    • TAKEDA KODAIKATO HIROMICHIKATAYAMA MASAYUKI
    • H01L21/336G03F7/004G03F7/039G03F7/26H01L21/027H01L21/28H01L29/417H01L29/786
    • G03F7/00G03F7/26H01L21/28H01L21/30H01L29/78
    • 【課題】有機半導体薄膜を傷つけること無くパターニングでき、かつ、電極から有機半導体薄膜への電荷注入が抑制されてしまうことを防げるようにする。【解決手段】ソース電極16およびドレイン電極17をパターニングするために用いるレジスト膜20を光分解性のもので構成し、紫外光照射によって分解したのち、その分解物を単なる加熱のみによって除去できるようにする。また、レジスト膜20よりも有機半導体薄膜15の吸収波長を短くし、有機半導体薄膜15が吸収しない波長の紫外光を照射する。これにより、レジスト膜20では紫外光が吸収されてレジスト膜20が光分解され、有機半導体薄膜15では紫外光が透過して紫外光が照射されても有機半導体薄膜15の品質に影響を与えないようにできる。したがって、有機半導体薄膜15を傷つけること無くパターニングでき、かつ、電極から有機半導体薄膜15への電荷注入が抑制されてしまうことを防ぐことができる。【選択図】図2
    • 要解决的问题:能够在不损坏有机半导体薄膜的情况下进行图案化,并且防止从电极向有机半导体薄膜的电荷注入的抑制。解决方案:在有机半导体器件制造方法中, 源电极16和漏电极17由光降解材料构成,通过紫外线照射而劣化,能够通过加热除去溶剂; 并且使有机半导体薄膜15的吸收波长比抗蚀剂膜20的吸收波长和有机半导体薄膜15不吸收的波长的紫外线短。 通过这样做,紫外线被抗蚀剂膜20吸收,抗蚀剂膜20被光降解,有机半导体薄膜15透射紫外光,即使当照射紫外线时也不会影响有机半导体薄膜15的质量 。 因此,能够在不破坏有机半导体薄膜15的同时进行图案化,并且可以防止从电极向有机半导体薄膜15的电荷注入的抑制。
    • 10. 发明专利
    • Manufacturing method and manufacturing apparatus of layered film
    • 层状膜的制造方法和制造装置
    • JP2014003135A
    • 2014-01-09
    • JP2012136997
    • 2012-06-18
    • Denso Corp株式会社デンソー
    • KAWAUCHI MASAAKIONISHI SHINJIKATAYAMA MASAYUKI
    • H01L21/31C23C16/04H01L21/312H01L21/316H01L51/50H05B33/04H05B33/10
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To allow a change in a deposition range of each film which composes a layered film by using the same mask when performing deposition of the layered film by gas supply.SOLUTION: A manufacturing method of a layered film comprises: preparing a substrate 6 on which a semiconductor element is formed and preparing a mask 5; and aligning the mask 5 and the substrate 6 in a deposition chamber. During deposition of the layered film 8, a clearance between the mask 5 and the substrate 6 is varied by supplying currents A1, A2 of current values having magnitudes different from each other from a current supply part to an electromagnet 4 in each of formation processes of first and second barrier layers 8a, 8b. That is, by differentiating the magnitudes of the currents A1, A2 supplied to the electromagnet 4, a magnetic attractive force of the electromagnet 4 varies and a pressure for deforming a deposition range variable part 7 by the mask 5 varies and contact pressure between the deposition range variable part 7 and the substrate 6 varies.
    • 要解决的问题:通过使用相同的掩模,通过气体供给来实现层叠膜的沉积,允许构成层叠膜的各膜的成膜范围的变化。解决方案:层叠膜的制造方法包括: 在其上形成半导体元件的衬底6并制备掩模5; 并且在沉积室中对准掩模5和基板6。 在层叠膜8的沉积期间,通过将电流值A1,A2从电流供应部分提供到电磁体4的电流值A1,A2中,在掩模5和基板6之间的间隙, 第一和第二阻挡层8a,8b。 也就是说,通过区分提供给电磁体4的电流A1,A2的大小,电磁体4的吸引力变化,并且由掩模5使沉积范围可变部分7变形的压力发生变化并且接触压力 范围可变部分7和基板6变化。