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    • 6. 发明专利
    • 光半導体装置
    • 光学半导体器件
    • JP2016081939A
    • 2016-05-16
    • JP2014208183
    • 2014-10-09
    • 積水化学工業株式会社
    • 乾 靖中村 秀西村 貴史金 千鶴山田 佑小林 祐輔渡邉 貴志
    • H01L33/52
    • H01L2224/48091H01L2224/48247H01L2224/48257H01L2224/73265H01L2924/00014
    • 【課題】光半導体装置から発せられる光度をかなり高くすることができる光半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明に係る光半導体装置は、枠部及び上端に開口部を有する成形体と、前記成形体の枠部内に配置された光半導体素子と、前記成形体の枠部内に配置されており、かつ前記光半導体素子を封止するように配置されている封止部とを備え、前記封止部が、蛍光体と、平均粒径が0.2μm以上、10μm以下でありかつ円形度が0.8以上であるフィラーとを含み、前記封止部の下側1/2の領域における前記蛍光体の全てが存在するか、又は、前記封止部の下側1/2の領域における前記蛍光体の第1の個数密度が、前記封止部の上側1/2の領域における前記蛍光体の第2の個数密度の1倍を超える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种能够大幅提高从光学半导体装置发出的光的强度的光学半导体。解决方案:根据本实施方式的光学半导体装置包括:具有框架部分和开口 在上边缘 布置在所述压块的框架部分中的光学半导体元件; 以及封装部,其布置在所述压块的框架部分中并且被布置成封装所述光半导体元件。 封装部包括平均粒径为0.2μm以上且10μm以下且圆形度为0.8以上的荧光物质和填料,整个荧光物质存在于下1/2 区域或密封部分的下1/2区域中的第一数量密度的荧光物质在封装部分的上1/2区域中的第二数量密度的荧光物质超过一次。图1