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1. 发明专利

JP2018034078A 液中プラズマ発生装置、液中プラズマ発生方法および処理液精製装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018034078A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016166873
申请日：2016-08-29
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：中村昭平 , 木瀬一夫 , 河野元宏 , 高辻茂 , 谷出敦 , 堀越章
IPC分类号： H05H1/24 , C02F1/48 , B01J19/08
摘要：【課題】液中プラズマの発生を受けた液体が昇温するのを防止しつつ、液中プラズマを効率的に発生できる液中プラズマ発生技術を有する処理液精製装置。【解決手段】絶縁性材料で形成されて外部から供給される液体を流通させる配管51と、配管51に液体が供給される前に液体に気泡を導入する気泡導入部8と、配管51の外壁に沿って互いに離間して配置された複数の電極と、複数の電極に電圧を印加して配管81を流れる液体中でプラズマを発生させる電源と、気泡導入部8を制御して液体中における気泡の量を時間的に変化させて液体中に気泡リッチな状態と気泡プアな状態とを作り出す導入量制御部と、を備えている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2020080349A エッチング方法およびエッチング装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020080349A
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：JP2018212151
申请日：2018-11-12
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 株式会社SCREENホールディングス
发明人：堀勝 , 谷出敦 , 中村昭平 , 高辻茂 , 灘原壮一
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】オーバーエッチングと半導体の表面荒れとを抑制することを図ったエッチング方法およびエッチング装置を提供することである。【解決手段】このエッチング方法においては、Cl 2 とH 2 とを含む混合ガスをプラズマ化し、混合ガスをプラズマ化したプラズマガスをIII 族窒化物半導体を収容する処理室1001に供給し、プラズマガスによりIII 族窒化物半導体をエッチングする。混合ガスにおけるH 2 が、1体積%以上10体積%以下である。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019148002A 成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019148002A
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：JP2018035029
申请日：2018-02-28
申请人：国立大学法人名古屋大学 , 株式会社SCREENホールディングス
发明人：堀勝 , 小田修 , 谷出敦 , 高辻茂 , 中村昭平
IPC分类号： C23C14/34
摘要：【課題】基板に向かうガリウム粒子が他の粒子に衝突することを抑制し、結晶性に優れた半導体層を成長させることのできる成膜装置を提供することである。【解決手段】第1室100は、ターゲットT1を収容するターゲット収容部110を有する。第2室200は、基板S1を支持する基板支持部210を有する。区画部300は、筒形状部330と、筒形状部330の第1の開口端331を覆うとともに第1室100と第2室200とを連通する複数の貫通孔を有する開口部材340と、を有する。ターゲット収容部110は、基板支持部210と対向する位置に配置されている。開口部材340は、ターゲット収容部110と基板支持部210との間の位置に配置されている。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2015170680A CVD装置およびCVD方法审中-公开
标题翻译： CVD装置和CVD方法
公开(公告)号：JP2015170680A
公开(公告)日：2015-09-28
申请号：JP2014043630
申请日：2014-03-06
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：谷出敦
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/318 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要：【課題】CVD装置のクリーニング頻度を低下させるとともに、クリーニングガスの使用量を低減する。【解決手段】CVD装置は、チャンバーと、チャンバー内にCVD処理用の処理空間を規定する構造体と、処理空間に所定のガス種を含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、処理空間において原料ガスを励起する励起部と、原料ガスから生じた活性種の構造体への付着を抑制するための付着抑制ガスを構造体の処理空間を囲む壁面に二次元的に分布する複数の吐出口から処理空間に供給する付着抑制ガス供給部と、処理空間に処理対象の基材を対向させる機構と、を備え、付着抑制ガスは、所定のガス種を含む。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：降低CVD设备的清洁频率并降低清洁气体的消耗。解决方案：CVD设备包括：室; 用于调节室中的CVD处理的处理空间的结构; 原料气体供给单元，用于将包含预定气态物质的原料气体供给到处理空间; 用于激发处理空间中的原料气体的激励单元; 一种粘附抑制气体供给单元，用于提供粘附抑制气体，用于抑制从原料气体产生的活性物质对结构的粘附，所述粘附抑制气体由二维分布在该结构的处理空间的壁表面上的多个排出口到加工空间; 以及用于将要处理的基底材料对置到处理空间的机构。粘合抑制气体包括预定的气态物质。

5. 发明专利

JP6829564B2 液中プラズマ発生装置、液中プラズマ発生方法、処理液精製装置および処理液精製方法有权
公开(公告)号：JP6829564B2
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：JP2016166873
申请日：2016-08-29
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：中村昭平 , 木瀬一夫 , 河野元宏 , 高辻茂 , 谷出敦 , 堀越章
IPC分类号： H05H1/24 , C02F1/48 , B01J19/08

6. 发明专利

JP5832329B2 基板処理装置および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP5832329B2
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：JP2012034671
申请日：2012-02-21
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：谷出敦
IPC分类号： H01L21/306

7. 发明专利

JP2021150568A 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021150568A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020050878
申请日：2020-03-23
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：中村昭平 , 谷出敦
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：【課題】チャンバ内でプラズマを発生させて基板を処理する技術において、基板に入射するイオンのエネルギーを適正に規制し、基板へのダメージを効果的に防止する。【解決手段】基板処理装置1は、基板Sを収容するチャンバ11と、チャンバ内の気体をプラズマ化するプラズマ発生場PFをチャンバ内に形成するプラズマ発生部30と、陽イオンが通過可能な開口を各々が有し、プラズマ発生場から基板へ向かう陽イオンの進路を遮るように、かつ進路に沿って順に離隔配置された第1電極41、第2電極42、第3電極43、第4電極44および第5電極45と、第1ないし第5電極のそれぞれにバイアス電位を付与するバイアス付与部47と、所定の制御シーケンスに基づいて、バイアス付与部から第1ないし第5電極に付与するバイアス電位を経時的に変化させる制御部90とを備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020147837A III族窒化物半導体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020147837A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019048958
申请日：2019-03-15
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社SCREENホールディングス
发明人：堀勝 , 谷出敦 , 高辻茂 , 中村昭平
IPC分类号： C23C14/48 , H01L21/203 , C23C14/06
摘要：【課題】平坦性に優れた半導体層を成長させることのできるIII 族窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】第1の工程では、塩素ガスとアルゴンガスとを含む第1のガスをプラズマ化してGaターゲットからGa原子を飛翔させるとともにGa原子とCl原子とを反応させて基板S1に供給し、窒素ガスと水素ガスとを含む第2のガスをプラズマ化して基板S1に供給することにより第1半導体層30を成膜する。第2の工程では、アルゴンガスをプラズマ化してGaターゲットからGa原子を基板S1に供給するとともに、窒素ガスをプラズマ化して基板S1に供給することにより第2半導体層40を成膜する。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2019056663A 吸光度測定用容器、吸光度測定装置および吸光度測定方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019056663A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2017182364
申请日：2017-09-22
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：中村昭平 , 河野元宏 , 高辻茂 , 堀越章 , 谷出敦
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/59 , G01N21/03
摘要：【課題】液体中に含まれる複数種の物質の吸光度を個別に、かつ精度よく測定することを可能にする。【解決手段】本発明に係る吸光度測定用容器は、測定対象となる液体を一時的に貯留可能な貯留空間SPを内部に形成し、貯留空間SPに連通し外部から貯留空間SPへ液体を流入させる流入部202、貯留空間SPに連通し貯留空間SPから外部へ液体を流出させる流出部201を有する容器本体12Aと、外部の光源から受け入れた光を容器本体12A内の液体に入射させ、液体内を通過した光を容器本体12Aから外部へ出射させ、液体への光の入射位置と液体からの光の出射位置とを規定することで液体中を通過する光の光路を設定する光路設定部214〜218とを備え、光路設定部214〜218は、液体中の光路長が互いに異なる複数の光路を設定する。【選択図】図4

10. 发明专利

JP6871550B2 エッチング装置有权
公开(公告)号：JP6871550B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2017046325
申请日：2017-03-10
申请人：国立大学法人東海国立大学機構 , 株式会社SCREENホールディングス
发明人：堀勝 , 谷出敦 , 堀越章 , 中村昭平 , 高辻茂 , 河野元宏 , 木瀬一夫
IPC分类号： H01L21/3065

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