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1. 发明专利

JP2021172553A 結晶性積層構造体および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021172553A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077067
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/205 , H01L29/24 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶層を備える結晶性積層構造体、およびこのような結晶性積層構造体を備える半導体装置を提供する。【解決手段】第1の結晶を含む第1の結晶層上に、第2の結晶を含む第2の結晶層が積層されている結晶性積層構造体であって、第1の結晶が、κ−Ga 2 O 3 の多結晶を含み、第2の結晶が結晶性酸化物の単結晶である結晶性積層構造体を、半導体装置に適用する。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2021172552A 結晶膜审中-公开
公开(公告)号：JP2021172552A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077066
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L29/24 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体装置等に有用な、Si等の不純物が低減された高品質な結晶膜を提供する。【解決手段】原料から結晶成長により基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法において、前記原料がGaCl 3 を含み、前記の結晶成長を、前記基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に原料の分圧1kPa以上の結晶成長条件にて結晶膜を形成することにより、ガリウムを含む結晶性金属酸化物を主成分として含む結晶膜であって、Siの含有量が2×10 15 cm −3 以下である結晶膜を作製する。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2019034883A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019034883A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2018154237
申请日：2018-08-20
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐賀大学
发明人：大島祐一 , 藤田静雄 , 金子健太郎 , 嘉数誠 , 河原克明 , 四戸孝 , 松田時宜 , 人羅俊実
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/40 , C23C16/02 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面にバッファ層を有しており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2021172555A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021172555A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077069
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/205 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体装置等に有用な、Si等の不純物が低減された高品質な結晶膜を工業的有利に製造できる方法を提供する。【解決手段】原料から結晶成長により基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法であって、前記原料がGaCl 3 を含み、前記の結晶成長を、前記基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に前記原料の分圧を1kPa以上且つ酸素含有雰囲気下の結晶成長条件にて結晶膜を形成することにより行う。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2021172554A 結晶性積層構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021172554A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077068
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/365 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶層を備える結晶性積層構造体を工業的有利に得ることができる結晶性積層構造体の製造方法を提供する。【解決手段】結晶基板(例えば、サファイア基板など)上に、応力緩和層を介して、結晶性酸化物の単結晶を含む結晶性酸化物層を形成する結晶性積層構造体の製造方法において、前記応力緩和層に、κ−Ga 2 O 3 を含む多結晶を用いて、前記応力緩和層の形成を、前記結晶基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に、前記応力緩和層を成膜することにより行う。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2020001997A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020001997A
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018154236
申请日：2018-08-20
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐賀大学
发明人：大島祐一 , 藤田静雄 , 金子健太郎 , 嘉数誠 , 河原克明 , 四戸孝 , 松田時宜 , 人羅俊実
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/40 , C23C16/02 , H01L29/872 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面に凹部または凸部からなる凹凸部が形成されており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2019163200A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019163200A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018154238
申请日：2018-08-20
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構 , 国立大学法人京都大学 , 国立大学法人佐賀大学
发明人：大島祐一 , 藤田静雄 , 金子健太郎 , 嘉数誠 , 河原克明 , 四戸孝 , 松田時宜 , 人羅俊実
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/40 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019034882A 結晶膜の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019034882A
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：JP2018154235
申请日：2018-08-20
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明 , 四戸孝 , 松田時宜 , 人羅俊実
IPC分类号： C30B25/14 , C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/455 , C30B29/16
摘要：【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6083096B2 結晶成長方法および結晶成長装置有权
标题翻译：晶体生长方法和晶体生长装置
公开(公告)号：JP6083096B2
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：JP2014509168
申请日：2013-04-02
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 中村優 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B23/00 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/448 , C23C14/24 , C23C14/00 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/165 , C30B29/403

10. 发明专利

JP2016155714A α−Ga2O3単結晶、α−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子审中-公开
标题翻译： α-Ga2O3单晶，α-Ga2O3的制造方法和使用其的半导体器件
公开(公告)号：JP2016155714A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035140
申请日：2015-02-25
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア , 島村清史
IPC分类号： C30B25/16 , C23C16/40 , C23C16/14 , H01L21/205 , H01L33/26 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体素子に適用可能なα−Ga 2 O 3 単結晶、α−Ga 2 O 3 の製造方法、及び、それを用いた半導体素子の提供。【解決手段】少なくともGaのハロゲン化物を含むガリウム原料の分圧を0.05〜10kPa、O 2 、H 2 OおよびN 2 Oから少なくとも1つ選択される酸素原料の分圧を0.25〜50kPaとし、250〜650℃未満の成長温度、5μm〜1mm/時間の成長速度で、サファイア基板上にα−Ga 2 O 3 単結晶を成長させるハライド気相成長法によるα−Ga 2 O 3 単結晶の製造方法。前記方法によって得られる、カーボン濃度が5×10 18 cm −3 以下、水素濃度が、5×10 18 cm −3 以下、アルミニウム濃度が4× 16 cm −3 以下、塩素濃度が1× 18 cm −3 以下であり、波長300nm以上の光に対する吸収係数は、500cm −1 以下であるα−Ga 2 O 3 単結晶及び前記単結晶を備えた半導体素子。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供可应用于半导体器件的α-GaO单晶，α-GaO的制造方法和使用其的半导体器件。解决方案：通过卤化物蒸气的α-GaO单晶的制备方法提供了一种生长方法，其中在蓝宝石衬底上在至少包含0.05-10kPa的Ga的卤化物和选择了至少一种氧原料的分压的镓原料的分压下生长α-GaO单晶从O，HO和NO为0.25-50kPa，生长温度为250-小于650℃，生长速度为5μm-1mm /小时。提供了通过制造方法得到的碳浓度为5×10cm以下，氢浓度为5×10cm以下，铝浓度为4×cm以下，氯浓度为1×cm 2以上的α-GaO单晶相对于波长为300nm以上的光，吸收系数为500cm以下。还提供了包括α-GaO单晶的半导体器件。选择图：无

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