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    • 4. 发明专利
    • 光電素子
    • 光电元件
    • JP2015198211A
    • 2015-11-09
    • JP2014076777
    • 2014-04-03
    • 株式会社豊田中央研究所
    • 田島 伸長谷川 正樹
    • H01L31/072H01L31/0749H01L31/18H01L31/0224
    • Y02E10/541
    • 【課題】硫化物系化合物半導体からなる光吸収層を備えた光電素子において、下部電極の耐硫化性を向上させること。 【解決手段】光電素子は、アルカリガラスからなる基板と、前記基板の表面に形成された下部電極と、前記下部電極の表面に形成された硫化物系化合物半導体からなる光吸収層とを備えている。前記下部電極は、前記基板側に形成された、Mo、Ti、Zr、Hf、Ta、Nb、及びWからなる群から選ばれるいずれか1以上の元素を含む金属材料からなる第1電極層と、前記光吸収層側に形成された結晶性ZrB 2 からなる第2電極層とを備えている。 【選択図】図2
    • 要解决的问题:提高包含由硫化物类化合物半导体制成的光吸收层的光电元件中的下电极的耐硫化性。解决方案:光电元件包括​​:由碱玻璃制成的基板; 形成在所述基板的表面上的下电极; 以及形成在下电极的表面上并由硫化物系化合物半导体构成的光吸收层。 下电极包括:形成在基板侧并由含有选自Mo,Ti,Zr,Hf,Ta,Nb和W中的一种或多种元素的金属材料制成的第一电极层; 以及形成在光吸收层侧并由结晶ZrB制成的第二电极层。