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1. 发明专利

JP2015056562A 半導体装置及び放射線装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和辐射器件
公开(公告)号：JP2015056562A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013189818
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp , 東芝メディカルシステムズ株式会社 , Toshiba Medical Systems Corp
发明人： KADOTA TOMOKO , KUNO KATSUMI , KUGIMIYA TETSUYA , HIROHATA KENJI , HONGO TAKUYA , YAMAYORI YU
IPC分类号： H01L23/36 , H05K7/20
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：【課題】熱疲労を低減することと、振動・衝撃・荷重から保護することとを両立させることができる半導体装置及び放射線装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体素子と、ゲルと、鈍化部材と、を有する。ゲルは、半導体素子周辺を予め定められた強度で絶縁して封止する。鈍化部材は、ゲル内に設けられ、潜熱及び外部からの制御の少なくともいずれかにより、予め定められた温度範囲に対し、ゲルの温度の上昇及び下降における温度変化を鈍らせる。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以实现热疲劳降低和防止振动，冲击和负载的半导体器件和辐射装置。解决方案：半导体器件具有半导体元件，凝胶和钝化元件。凝胶以预定强度绝缘并密封半导体元件的周边。在凝胶体中设置有钝化部件，通过潜热和外部控制中的至少任意一种使凝胶的温度在预定温度范围的上升和下降之间变差。

2. 发明专利

JP2010171253A Semiconductor device, and manufacturing method thereof 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2010171253A
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：JP2009013140
申请日：2009-01-23
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMAYORI YU , KUGIMIYA TETSUYA , HIROHATA KENJI
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which is high in reliability by reducing stress concentration due to singularity of an end of an interface between an under-bump metal layer and an insulating film at a junction part between a semiconductor chip and a package substrate, and to provide a manufacturing method thereof. SOLUTION: The semiconductor device includes: a semiconductor chip 20 having a plurality of electrode pads 23 for semiconductor formed on a surface of a multilayer wiring layer 22 on a semiconductor substrate 21, an insulating film 24 having openings wherein the electrode pads 23 are exposed, and a plurality of under-bump metal layers 25 formed from on the electrode pads 23 to regions reaching the insulating film 24 nearby the openings corresponding to the pads 23; and a substrate 31 having solder bumps 26 formed on the under-bump metal layer 25 and a plurality of electrode pads 32 for substrate formed at the electrode pads 23, the solder bumps 26 being joined to the electrode pads 32 for substrate. A groove 27 having a cavity inside is formed in the insulating film 24 to be right below an end of the under-bump metal layer 25. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其通过在半导体芯片之间的接合部分处减小由凸块状金属层和绝缘膜之间的界面的端部的奇异性引起的应力集中，从而可靠性高和封装基板，并提供其制造方法。解决方案：半导体器件包括：具有形成在半导体衬底21上的多层布线层22的表面上的多个用于半导体的电极焊盘23的半导体芯片20，具有开口的绝缘膜24，其中电极焊盘23 以及从电极焊盘23形成的多个凸块下金属层25到达与焊盘23对应的开口附近的到达绝缘膜24的区域; 以及形成在凸块状金属层25上的焊料凸块26和形成在电极焊盘23上的多个用于基板的电极焊盘32的基板31，焊料凸点26与基板用电极焊盘32接合。在绝缘膜24内形成有内腔的凹槽27，其正好位于凸块下金属层25的正下方。版权所有：（C）2010，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2014072460A Semiconductor device, life estimation device and life estimation method 有权
标题翻译：半导体器件，寿命估计器件和寿命估算方法
公开(公告)号：JP2014072460A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：JP2012218786
申请日：2012-09-28
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMAYORI YU , HIROHATA KENJI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： G01R31/31924 , G01R31/318513 , H01L2224/16145
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, a life estimation device and a life estimation method, which can detect cracks occurring at a bump in an early stage.SOLUTION: A semiconductor device of an embodiment comprises: a plurality of semiconductor chips laminated above a circuit board; a first bump and a second bump arranged at a distance from a peripheral part of the semiconductor chip farther than the first bump, which are provided in any of gaps between the circuit board and the semiconductor chips and a gap between two semiconductor chips; a third bump provided in any gap different from the gaps where the first bump and the second bump are provided; a fourth bump arranged at a distance from the peripheral part of the semiconductor chip farther than the third bump; a first detection part for detecting a breakage of the first bump and creating a first signal indicating the breakage of the first bump; and a second detection part for detecting a breakage of the third bump and creating a second signal indicating the breakage of the third bump.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，寿命估计器件和寿命估计方法，其可以在早期阶段检测在凸点处发生的裂纹。解决方案：一个实施例的半导体器件包括：多个半导体芯片层压电路板上方设置在比所述第一凸块更远的所述半导体芯片的周边部分的距离处设置在所述电路板和所述半导体芯片之间的间隙中的第一凸块和第二凸块以及两个半导体芯片之间的间隙; 设置在与设置有第一凸起和第二凸起的间隙不同的任何间隙中的第三凸起; 第四凸起，其布置在比所述第三凸起更远离所述半导体芯片的周边部分的距离处; 第一检测部分，用于检测第一凸起的断裂并产生指示第一凸起断裂的第一信号; 以及第二检测部，用于检测第三凸起的断裂并产生指示第三凸起的断裂的第二信号。

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